发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光二极管芯片。发光二极管芯片包括：基板；第一导电型半导体层，配置在基板上；网，配置到第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；绝缘层，覆盖第一导电型半导体层及网，包括使第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部、及位于网的上部的第二开口部；第一焊垫电极，配置到绝缘层的上部，通过第一开口部电连接到第一导电型半导体层；及第二焊垫电极，配置到绝缘层的上部，通过第二开口部电连接到电连接到第二导电型半导体层；且绝缘层的第一开口部包括由第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到第一焊垫电极的外部的第二区域。本实用新型专利技术可提高产品的耐久性，可在产品内均匀地安装多个芯片。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片
本技术涉及一种小型发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管用在大型背光单元(BackLightUnit：BLU)、普通照明及电气组件等各种产品中，并且广泛地用在小型家电产品及装饰产品。发光二极管除简单地用作光源以外，也用于传达信息、彰显美感等各种用途。因此，要求利用发光二极管的产品的设计自由度。例如，需在可挠性印刷电路板(FlexiblePrintedCircuitsBoard：FPCB)安装发光二极管而自由地变更产品的形态。尤其，要求可根据需求者的需要自由地变更形态的产品。然而，发光二极管例如由氮化镓类单晶半导体制作，故而无法变更发光二极管的形态。但是，如果将小型发光二极管安装到可挠性印刷电路板等，则可制作变形较为自由的产品。因此，为了制造可变形的产品，要求发光二极管的小型化。另一方面，大部分的发光二极管通常利用焊料安装到引线。在利用焊料安装发光二极管的情况下，因焊料的流动性而发光二极管易于发生歪斜(tilting)。为了解决这种问题，可在引线形成槽而防止因焊料引起的发光二极管的歪斜。但是，难以对具有柔软性的FPCB等基板上的引线进行形成槽等加工，在引线形成槽的情况下，当改变产品的形态时，引线易于发生断线而产生产品的可靠性下降的问题。而且，在以较窄的间隔配置小型的发光二极管的情况下，在引线的较多部分形成槽，因此可靠性更下降。因此，要求开发一种不仅制造产率较高，而且可确保设计自由度、确保适于各种设计的耐久性、适于防止歪斜的发光二极管芯片及发光装置。
技术实现思路
[欲解决的课题]本技术欲解决的课题在于提供一种将面积及厚度最小化，并且发光效率较高且制造产率较高的发光二极管芯片。本技术欲解决的又一课题在于提供一种不仅可防止电气短路，而且还可减少所制造的芯片间的电性能偏差的倒装芯片型发光二极管芯片。本技术欲解决的又一课题在于提供一种通过利用最小限度的厚度的接合部将经小型化及薄型化的发光二极管芯片安装到基板上而实现薄型化的发光装置，且提供一种耐久性优异的发光装置。本技术欲解决的又一课题在于提供一种不仅可确保产品的耐久性，而且在进行安装时还可防止歪斜的发光二极管芯片及发光装置。本技术欲解决的又一课题在于提供一种包括经小型化及薄型化的发光二极管芯片和/或发光装置的应用产品。[解决课题的手段]本技术的一实施例的发光二极管芯片包括：基板，包括形成在上表面的多个突出部；发光构造体，位于所述基板上，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，且包括贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层而使所述第一导电型半导体层的一部分露出的至少一个孔；接触电极，至少局部地位于所述第二导电型半导体层上，包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的透光性导电氧化物；反光性绝缘层，覆盖所述发光构造体的侧面及上表面，包括使通过所述孔露出的第一导电型半导体层露出的第一开口部、及使所述接触电极局部地露出的第二开口部，且包括分布布拉格反射器；第一焊垫电极，位于所述反光性绝缘层上，通过所述第一开口部而与所述第一导电型半导体层电连接；及第二焊垫电极，位于所述反光性绝缘层上，通过所述第二开口部而与所述接触电极电连接；且所述基板的上表面的一部分露出到所述发光构造体的周边，所述反光性绝缘层与露出在所述发光构造体的周边的基板的上表面相接，所述基板的上部棱角与所述反光性绝缘层隔开。本技术的又一实施方式的发光装置包括：第二基板；发光二极管芯片，位于所述第二基板上；及第一接合部及第二接合部，位于所述发光二极管芯片与所述第二基板之间；所述发光二极管芯片包括：第一基板，包括形成在下表面的多个突出部；发光构造体，位于所述第一基板的下方，包括第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层上的第一导电型半导体层、及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，且包括贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层而使所述第一导电型半导体层的一部分露出的至少一个孔；接触电极，至少局部地位于所述第二导电型半导体层的下方，与所述第二导电型半导体层欧姆接触；反光性绝缘层，覆盖所述发光构造体的侧面及下表面，包括使通过所述孔露出的第一导电型半导体层露出的第一开口部、及使所述接触电极局部地露出的第二开口部，且包括分布布拉格反射器；第一焊垫电极，位于所述反光性绝缘层的下方，通过所述第一开口部而与所述第一导电型半导体层电连接；及第二焊垫电极，位于所述反光性绝缘层的下方，通过所述第二开口部而与所述接触电极电连接；且所述第一基板的下表面的一部分露出到所述发光构造体的周边，所述反光性绝缘层与露出在所述发光构造体的周边的第一基板的下表面相接，所述第一基板的下部棱角与所述反光性绝缘层隔开，所述第一接合部及所述第二接合部分别电连接到所述第一焊垫电极及第二焊垫电极。根据本技术的又一实施例，提供一种发光二极管芯片，其包括：基板；第一导电型半导体层，配置在所述基板上；网，配置到所述第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层及所述网，包括使所述第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部、及位于所述网的上部的第二开口部；第一焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第一开口部而电连接到所述第一导电型半导体层；及第二焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第二开口部而电连接到所述第二导电型半导体层；且所述绝缘层的第一开口部包括由所述第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到所述第一焊垫电极的外部的第二区域。在一实施例中，所述绝缘层包括多个所述第一开口部，所述第一开口部中的两个分别配置在所述网的两侧面。在一实施例中，所述第一开口部中的一个配置在所述网的两侧面中的一侧面。在一实施例中，所述网包括从侧面凹陷的多个沟槽，多个所述第一开口部分别使在多个所述沟槽内露出的所述第一导电型半导体层局部地露出。在一实施例中，所述网还包括使所述第一导电型半导体层露出的贯通孔，所述绝缘层还包括在所述贯通孔内使所述第一导电型半导体层露出的开口部，所述第一焊垫电极通过所述贯通孔电连接到所述第一导电型半导体层。在一实施例中，所述贯通孔配置在所述沟槽之间，所述沟槽配置在所述网的两侧面。在一实施例中，所述第一开口部的第二区域使所述第一导电型半导体层的侧面局部地露出。在一实施例中，发光二极管芯片还包括接触电极，所述接触电极配置到所述网与所述绝缘层之间而与所述第二导电型半导体层接触，所述第二焊垫电极连接到所述接触电极。在一实施例中，在所述活性层产生的光通过所述基板向外部射出，并且通过所述第一焊垫电极与所述第二焊垫电极之间的区域向外部射出。在一实施例中，所述接触电极为使在所述活性层产生的光透射的透明电极。根据本技术的又一实施例，提供一种发光装置，其包括：基底；导电性配线，配置在所述基底上；所述发光二极管芯片，配置在所述基底上；及第一接合材及第二接合材，使所述发光二极管芯片接合到所述导电性配线。[技术的效果]根据本技术，提供一种构造简单的发光二极管芯片，由此可提供经小型化及薄型化的高效发光二极管芯片及发光装置。并且，通过使第一开口部的第二区域露出到第一焊垫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，其特征在于包括：基板；第一导电型半导体层，配置在所述基板上；网，配置到所述第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层及所述网，包括使所述第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部及位于所述网的上部的第二开口部；第一焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第一开口部电连接到所述第一导电型半导体层；及第二焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第二开口部电连接到所述第二导电型半导体层，且所述绝缘层的所述第一开口部包括由所述第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到所述第一焊垫电极的外部的第二区域。

【技术特征摘要】
2015.10.16 KR 10-2015-0144997;2015.12.17 KR 10-2011.一种发光二极管芯片，其特征在于包括：基板；第一导电型半导体层，配置在所述基板上；网，配置到所述第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层及所述网，包括使所述第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部及位于所述网的上部的第二开口部；第一焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第一开口部电连接到所述第一导电型半导体层；及第二焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第二开口部电连接到所述第二导电型半导体层，且所述绝缘层的所述第一开口部包括由所述第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到所述第一焊垫电极的外部的第二区域。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层包括多个所述第一开口部，所述第一开口部中的两个分别配置在所述网的两侧面。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一开口部中的一个配置在所述网的两侧面中的一侧面。4.根据权利要求1所述的发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：金艺瑟，金京完，禹尚沅，金智惠，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR