薄膜晶体管的制备方法、显示面板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法、显示面板的制备方法，所述方法中，通过利用具有与半导体沟道层形状相同的凹陷部的压印模板压在半导体溶液材料上，以形成与所述凹陷部形状对应的半导体溶液材料的凸起部，固化所述凸起部，并将所述压印模板和所述基底分离，从而在源极层和漏极层上形成半导体沟道层。通过上述方式，不需要在半导体溶液材料上形成光阻，从而可以避免光阻对半导体沟道层的侵蚀，有利于提高产品质量，进而提高器件性能。

Method for preparing thin film transistor and method for preparing display panel

The invention provides a preparation method and preparation method of display panel of a thin film transistor, the method, imprint template and semiconductor channel layer has the same shape concave part through the use of pressure solution in semiconductor materials, semiconductor materials to form the raised part of the solution and the concave part corresponding to the shape. Curing the bulge, and the imprint template and the substrate separation, resulting in the source layer and a drain layer formed on the semiconductor channel layer. Through the above method, the photoresist is not needed to be formed on the semiconductor solution material, thereby preventing the photoresist from eroding the semiconductor channel layer, improving the quality of the product, and improving the device performance.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管的制备方法、显示面板的制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种薄膜晶体管的制备方法、显示面板的制备方法。
技术介绍
显示面板的驱动方式通常分为有源驱动和无源驱动，与无源驱动相比，有源驱动的显示面板可以实现高亮度、高分辨率，并且功耗更低，易于实现彩色化，目前绝大部分显示面板都是有源驱动。有源驱动是指给每个像素配备具有开关功能的薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)，通过对薄膜晶体管进行ON/OFF切换动作以选择对相应的像素提供显示数据。因此，在有源驱动的显示面板中，需要形成较多薄膜晶体管。在薄膜晶体管的结构中，一般有栅极层、源极层和漏极层构成，其中源极层和漏极层之间具有半导体沟道层，在栅极层与源极层、漏极层之间具有绝缘层。现有技术形成半导体沟道层的步骤通常是：在源极层和漏极层上涂布并固化得到一层半导体层；在半导体层上形成一层光阻层；利用具有半导体沟道层图案的光罩对光阻层进行UV紫外光曝光，并显影处理除去未被光照射的光阻层以暴露光阻层之下的半导体层；通过蚀刻等方式除去暴露的半导体导，然后再通过显影处理将剩余的光阻层除去，从而得到半导体沟道层。然而，上述方式中，光阻层和半导体层直接接触，容易导致半导体层的表面受到侵蚀，从而对半导体沟道层与后续形成在其上的介电绝缘层之间的接触造成不良影响，影响器件性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管的制备方法、显示面板的制备方法，能够避免半导体沟道层的表面被光阻层侵蚀，可以提高器件性能。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供基底和压印模板，所述压印模板具有与半导体沟道层形状相同的凹陷部；在所述基底上形成源极层和漏极层；在所述源极层、所述漏极层以及未被所述源极层和所述漏极层覆盖的基底上涂敷半导体溶液材料；确定所述源极层和所述漏极层上需形成半导体沟道层的预设位置，将所述压印模板的凹陷部与所述预设位置对位；将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上，以除去位于所述凹陷部内的半导体溶液材料之外的其他半导体溶液材料，进而形成与所述凹陷部形状对应的半导体溶液材料的凸起部；固化所述凸起部，并将所述压印模板和所述基底分离，以在所述源极层和所述漏极层上形成半导体沟道层；在所述半导体沟道层上依次形成第一绝缘层和栅极层。在本专利技术所述的制备方法中，将所述压印模板和所述基底分离之后，还包括：对所述半导体沟道层的表面和所述基底的表面进行蚀刻处理。在本专利技术所述的制备方法中，在所述源极层、所述漏极层以及未被所述源极层和所述漏极层覆盖的基底上涂敷半导体溶液材料的步骤之后，还包括：对所述半导体溶液材料进行预固化。在本专利技术所述的制备方法中，所述基底和所述压印模板中的至少一个形成有流通部，以在所述压印模板压在所述半导体溶液材料上时使得所述凸起部之外的半导体溶液材料自所述流通部流出。在本专利技术所述的制备方法中，将压印模板的凹陷部与所述预设位置对位的步骤，包括：在真空条件下将压印模板的凹陷部与所述预设位置对位；将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上的步骤，包括：在真空条件下，将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上。在本专利技术所述的制备方法中，将压印模板的具有与半导体沟道层形状相同的凹陷部与所述预设位置对位的步骤之前，还包括：在一硬质基板上形成所述半导体沟道层的图形；在形成有所述图形的硬质基板上涂布有机高分子材料并固化；将固化后的有机高分子材料与所述硬质基板分离，固化后的有机高分子材料上形成有与所述图形的形状对应的凹陷部，以得到所述压印模板。在本专利技术所述的制备方法中，所述压印模板具有弹性。在本专利技术所述的制备方法中，所述固化所述凸起部的步骤，包括：在所述基底背对所述凸起部的一侧对所述凸起部进行加热，以固化所述凸起部。本专利技术实施例提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括薄膜晶体管，包括：提供基底和压印模板，所述压印模板具有与半导体沟道层形状相同的凹陷部；在所述基底上形成源极层和漏极层；在所述源极层、所述漏极层以及未被所述源极层和所述漏极层覆盖的基底上涂敷半导体溶液材料；确定所述源极层和所述漏极层上需形成半导体沟道层的预设位置，将所述压印模板的凹陷部与所述预设位置对位；将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上，以除去位于所述凹陷部内的半导体溶液材料之外的其他半导体溶液材料，进而形成与所述凹陷部形状对应的半导体溶液材料的凸起部；固化所述凸起部，并将所述压印模板和所述基底分离，以在所述源极层和所述漏极层上形成半导体沟道层；在所述半导体沟道层上依次形成第一绝缘层和栅极层。在本专利技术所述的制备方法中，在所述基底上形成源极层和漏极层的步骤，还包括：在所述基底上形成电容下极板；在所述半导体沟道层上依次形成第一绝缘层和栅极层的步骤，包括：在所述半导体沟道层以及未被所述半导体沟道层覆盖的源极层、漏极层、基底、电容下极板上形成第一绝缘层；在所述源极层上的第一绝缘层中形成第一过孔，在所述漏极层上的第一绝缘层中形成第二过孔；在与所述电容下极板对应的第一绝缘层上形成电容上极板，并使所述电容上极板通过所述第一过孔与所述源极层连接；在与所述半导体沟道层对应的第一绝缘层上形成栅极层；在所述半导体沟道层上依次形成第一绝缘层和栅极层的步骤之后，包括：在所述栅极层和未被所述栅极层覆盖的第一绝缘层、电容上极板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层中形成有与所述第二过孔连通的第三过孔；在所述第二绝缘层上形成透明电极层，并使所述透明电极层依次通过所述第三过孔和所述第二过孔与所述漏极层连接。相较于现有的制备方法，本专利技术的薄膜晶体管的制备方法通过利用具有半导体沟道层图形的压印模板直接在半导体溶液材料上压印形成半导体沟道层，从而无需使用光阻进行刻印，由此可以避免光阻层对半导体沟道层的侵蚀，能够提高器件性能。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是本专利技术显示面板的制备方法一实施方式的流程图；图2是本专利技术显示面板的制备方法一实施方式的流程图，其中图中为各步骤对应的结构示意；图3是本专利技术显示面板的制备方法中，制作压印模板的流程图，其中图中为各步骤对应的结构示意；图4是本专利技术显示面板的制备方法一实施例中，形成半导体沟道层之后的流程图，其中图中为各步骤对应的结构示意。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。参阅图1和图2，图1是本专利技术显示面板的制备方法一实施例的流程图，图2是本专利技术显示面板的制备方法一实施例的流程图，其中图中为各步骤对应的结构示意。其中，显示面板可以是具有薄膜晶体管结构的任一种显示面板，例如显示面板可以是OLED显示面板或液晶显示面板等。本实施例中，以OLED显示面板为例进行描述，OLED显示面板包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管为有机薄膜晶体管，且为顶栅型有机薄膜晶体管，其中本专利技术实施例重点在于薄膜晶体管的制备过程，所述方法包括以下步骤：步骤S101：提供基底和压印模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基底和压印模板，所述压印模板具有与半导体沟道层形状相同的凹陷部；在所述基底上形成源极层和漏极层；在所述源极层、所述漏极层以及未被所述源极层和所述漏极层覆盖的基底上涂敷半导体溶液材料；确定所述源极层和所述漏极层上需形成半导体沟道层的预设位置，将所述压印模板的凹陷部与所述预设位置对位；将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上，以除去位于所述凹陷部内的半导体溶液材料之外的其他半导体溶液材料，进而形成与所述凹陷部形状对应的半导体溶液材料的凸起部；固化所述凸起部，并将所述压印模板和所述基底分离，以在所述源极层和所述漏极层上形成半导体沟道层；在所述半导体沟道层上依次形成第一绝缘层和栅极层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基底和压印模板，所述压印模板具有与半导体沟道层形状相同的凹陷部；在所述基底上形成源极层和漏极层；在所述源极层、所述漏极层以及未被所述源极层和所述漏极层覆盖的基底上涂敷半导体溶液材料；确定所述源极层和所述漏极层上需形成半导体沟道层的预设位置，将所述压印模板的凹陷部与所述预设位置对位；将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上，以除去位于所述凹陷部内的半导体溶液材料之外的其他半导体溶液材料，进而形成与所述凹陷部形状对应的半导体溶液材料的凸起部；固化所述凸起部，并将所述压印模板和所述基底分离，以在所述源极层和所述漏极层上形成半导体沟道层；在所述半导体沟道层上依次形成第一绝缘层和栅极层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述压印模板和所述基底分离之后，还包括：对所述半导体沟道层的表面和所述基底的表面进行蚀刻处理。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述源极层、所述漏极层以及未被所述源极层和所述漏极层覆盖的基底上涂敷半导体溶液材料的步骤之后，还包括：对所述半导体溶液材料进行预固化。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底和所述压印模板中的至少一个形成有流通部，以在所述压印模板压在所述半导体溶液材料上时使得所述其他半导体溶液材料自所述流通部流出。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述压印模板的凹陷部与所述预设位置对位的步骤，包括：在真空条件下将所述压印模板的凹陷部与所述预设位置对位；将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上的步骤，包括：在真空条件下，将所述压印模板压在所述半导体溶液材料上。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供基底和压印模板的步骤，包括：在一硬质基板上形成所述半导体沟道层的图形；在形成有所述图形的硬质基板上涂布有机高分子材料并固化；将固化后的有机高分子材料与所述硬质基板分离，固化后的有机高分子材料上形成有与所述图形的形状对应的所述凹陷部，以形成所述压印...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘哲，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42