硅片去水膜设备制造技术

本发明专利技术涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片去水膜设备，包括设置在机架上的水槽，所述水槽内设有用于输送硅片的输送辊，所述机架上设有板体，所述板体位于所述水槽上方，所述板体靠近输送辊的一侧开设有进水道，所述板体内设有集水腔，所述集水腔与所述进水道连通，所述板体上设有排水口，所述排水口与所述集水腔连通，所述机架上设有用于控制板体靠近或者远离输送辊的微调机构，本发明专利技术硅片去水膜设备在使用时，传统去水方式无法完全将水去除，而通过改进同样是对水膜进行挤压，通过板体上的进水道，使得硅片上的水通过进水道溢流至排水腔内，避免了传统通过匀水辊去水无效的问题。

Silicon wafer water removal membrane equipment

The invention relates to the technical field of wafer production equipment, in particular to a silicon wafer to water film equipment, including arranged on the machine tank, the water tank is provided with a feeding roller for conveying wafer, the frame is provided with a plate body, the plate body is positioned in the sink, close to the side of the plate body the conveying roller is provided with a water inlet channel, the plate body is provided with a water collecting chamber, the water collecting chamber and the inlet channel is communicated, the plate body is provided with a water outlet, the water outlet is communicated with the water collecting cavity, wherein the frame is provided with a control panel for a body near or away from the adjustment mechanism of the conveying roller the present invention, silicon wafer to water film equipment in use, the traditional way to water could not be completely removed by water, and the improvement is the same to extrude the water film through the inlet channel on the plate, the silicon wafer through the water inlet channel The overflow to the drainage cavity avoids the problem of water removal by the conventional water roller.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片生产设备
，尤其是涉及一种硅片去水膜设备。
技术介绍
在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径，而在实际生产过程中，硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本，通常会将硅片表面多余的水去除，以减少水膜溢出而降低蚀刻液的浓度。现有去水膜装置通常都是由匀水辊将多余的水去除，而水膜也是由水构成，使得匀水辊在经过水膜一侧时，由于水膜外表层具有一定的张力，在匀水辊的挤压下水会流向另一侧，而水膜张力使得水并没有减少，导致匀水辊去水无效，导致在后续硅片刻蚀时，硅片上的水仍会溢出至刻蚀槽内。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为了解决现有匀水辊去水无效的问题，现提供了一种硅片去水膜设备。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片去水膜设备，包括设置在机架上的水槽，所述水槽内设有用于输送硅片的输送辊，所述机架上设有板体，所述板体位于所述水槽上方，所述板体靠近输送辊的一侧开设有进水道，所述板体内设有集水腔，所述集水腔与所述进水道连通，所述板体上设有排水口，所述排水口与所述集水腔连通，所述机架上设有用于控制板体靠近或者远离输送辊的微调机构。将附有水膜的硅片放置在输送辊上输送，当硅片上的水膜与板体接触时，水膜本处于被压状态，当水膜通过进水道时，向进水道内流到，随着硅片的位移，进水道内的水会溢入至集水腔内，再由集水腔内流到排水口排出，最后可通过观察处于后硅片的水膜，并通过微调机构调节板体与硅片之间的距离，使之到达更好的去水效果。为了便于维护方便，进一步地，所述微调机构包括设置螺杆，所述螺杆的一端螺纹连接在所述机架上，所述螺杆的另一端与所述板体转动连接。通过调节螺杆可以控制板体靠近或者远离硅片，结构简单方便，能够快速调节板体与硅片之间的距离。为了能够快速方便的调节螺杆，进一步地，所述螺杆上设有手轮。通过手轮能够方便快速的调节螺杆。为了防止在调节手轮时打滑，进一步地，所述手轮上设有滚花。通过在手轮上设置滚花，增加与手轮的摩擦力。为了防止板体歪斜，进一步地，所述板体上设有导向柱，所述机架上设有与所述导向柱相匹配的导向套，所述导向柱滑动设置在所述导向套内。通过导向柱与导向套相互配合，对板体起到导向和限位作用，有效防止板体歪斜现象。为了使板体更好的去水，进一步地，所述进水道沿硅片输送方向逐渐向下倾斜设置。通过将进水道设置呈倾斜状态，对水具有导向作用，更方便水通过进水道流至集水盒内。为了便于维护和加工，进一步地，所述板体由基板和连接板相互拼接而成，所述进水道与所述集水腔均设置在所述连接板上。通过基板和连接板组合成板体，使得板体加工更加方便和便于维护。为了板体更好的去水，进一步地，所述板体位于进水道的一侧设有挡板。通过在板体上设置挡板，挡板对水具有一个阻挡的作用，使得水会更多的向进水道流入，同时挡板也起到导向作用。为了使得集水腔内的更好的排出，进一步地，所述集水腔的下底面为倾斜设置。通过将集水腔的下底面设置成倾斜状态，保证水能够顺着倾斜的下底面到达排水口。本专利技术的有益效果是：本专利技术硅片去水膜设备在使用时，传统去水方式无法完全将水去除，而通过改进同样是对水膜进行挤压，通过板体上的进水道，使得硅片上的水通过进水道溢流至排水腔内，避免了传统通过匀水辊去水无效的问题。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术硅片去水膜设备的主视图；图2是图1中A的局部放大图；图3是本专利技术硅片去水膜设备中板体的主视图；图4是本专利技术硅片去水膜设备中连接板的俯视图；图5是图4中B-B剖视图。图中：1、机架，101、水槽，2、输送辊，3、板体，4、进水道，5、集水腔，6、排水口，7、螺杆，8、手轮，9、滚花，10、导向柱，11、导向套，12、基板，13、连接板，14、挡板。具体实施方式现在结合附图对本专利技术做进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。实施例如图1-5所示，一种硅片去水膜设备，包括设置在机架1上的水槽101，所述水槽101内设有用于输送硅片的输送辊2，机架1上设置有用于驱动输送辊2转动的电机，电机被接入外接电源，并通过外部控制器控制启闭，所述机架1上设有板体3，所述板体3位于所述水槽101上方，所述板体3靠近输送辊2的一侧开设有进水道4，所述板体3内设有集水腔5，所述集水腔5与所述进水道4连通，所述板体3上设有排水口6，所述排水口6与所述集水腔5连通，所述集水腔5的下底面为倾斜设置，所述机架1上设有用于控制板体3靠近或者远离输送辊2的微调机构。所述微调机构包括设置螺杆7，所述螺杆7的一端螺纹连接在所述机架1上，所述螺杆7的另一端与所述板体3转动连接，所述螺杆7上设有手轮8，所述手轮8上设有滚花9。所述板体3上设有导向柱10，所述机架1上设有与所述导向柱10相匹配的导向套11，所述导向柱10滑动设置在所述导向套11内。所述进水道4沿硅片输送方向逐渐向下倾斜设置。进水道4自身就具有导向作用，更加方便水进入。所述板体3由基板12和连接板13相互拼接而成，所述进水道4与所述集水腔5均设置在所述连接板13上。便于加工和维护。所述板体3位于进水道4的一侧设有挡板14。也就是说挡板14位于靠近硅片的输入端。挡板14对水起到阻挡和导向作用。上述硅片去水膜设备在运用时，启动电机，带动机架1上的输送辊2输送，将附有水膜的硅片放置在输送辊2上，硅片随着输送辊2的带动慢慢靠近板体3，板体3将输送辊2上水膜挤压，随着硅片的前进，水膜到达板体3上的进水道4时，进入进水道4，并在挡板14的作用下使水膜向水道方向流动，并溢流至集水腔5内，并通过集水腔5流至排水口6排出，而在板体3挤压溢流出的水流到水槽101内；通过观察去水膜后的硅片，调节手轮8，带动螺杆7转动，使得板体3上的导向柱10在机架1上的导向套11内滑动，从而控制板体3靠近或者远离硅片，使得硅片达到理想的去水膜状态，导向柱10和导向套11起到导向和限位作用。上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片去水膜设备，其特征在于：包括设置在机架(1)上的水槽(101)，所述水槽(101)内设有用于输送硅片的输送辊(2)，所述机架(1)上设有板体(3)，所述板体(3)位于所述水槽(101)上方，所述板体(3)靠近输送辊(2)的一侧开设有进水道(4)，所述板体(3)内设有集水腔(5)，所述集水腔(5)与所述进水道(4)连通，所述板体(3)上设有排水口(6)，所述排水口(6)与所述集水腔(5)连通，所述机架(1)上设有用于控制板体(3)靠近或者远离输送辊(2)的微调机构。

【技术特征摘要】
1.一种硅片去水膜设备，其特征在于：包括设置在机架(1)上的水槽(101)，所述水槽(101)内设有用于输送硅片的输送辊(2)，所述机架(1)上设有板体(3)，所述板体(3)位于所述水槽(101)上方，所述板体(3)靠近输送辊(2)的一侧开设有进水道(4)，所述板体(3)内设有集水腔(5)，所述集水腔(5)与所述进水道(4)连通，所述板体(3)上设有排水口(6)，所述排水口(6)与所述集水腔(5)连通，所述机架(1)上设有用于控制板体(3)靠近或者远离输送辊(2)的微调机构。2.根据权利要求1所述的硅片去水膜设备，其特征在于：所述微调机构包括设置螺杆(7)，所述螺杆(7)的一端螺纹连接在所述机架(1)上，所述螺杆(7)的另一端与所述板体(3)转动连接。3.根据权利要求2所述的硅片去水膜设备，其特征在于：所述螺杆(7)上设有手轮(8)。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙铁囤，汤平，姚伟忠，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32