【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种加工设备，特别是在MEMS微机械器件加工中经常用到的，在玻璃片或硅片上制作通孔的设备。
技术介绍
在玻璃片或硅片上制作通孔是微电子与MEMS领域的一项专门技术。在各类传感器的制备过程中，经常要遇到在玻璃片或硅片上制作电极引线孔的问题。目前在硅片和玻璃片上穿孔的方法主要有化学腐蚀和机械研磨。化学腐蚀法须利用掩膜光刻工艺。这种方法不仅工艺过程复杂，而且在制作过程中会破坏硅片和玻璃片表面的平整度。如果后步工艺中涉及到键合等对表面平整度要求极高的工艺时，会带来很大的负面影响。机械研磨法是在玻璃片或硅片上覆盖金刚沙，利用高速旋转的钻头研磨玻璃片或硅片上的金刚沙完成穿孔。这种方法的主要缺点是时间过长，不利于批量加工。同时，容易造成玻璃片或硅片的破损，使成本上升。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可以简化加工工艺、穿孔速度极快、对硅片与玻璃片无任何损伤的电化学法硅片与玻璃片穿孔设备。本专利技术的目的是这样实现的它包括电解槽，在电解槽中装有碱性溶液，电源的负极接石墨电极或者镍电极，穿孔探针接电源的正极，玻璃片或硅片水平置于石墨电极或镍电极上，穿孔探针材料为金属钨，穿孔探针上串联有限流电阻，电源提供脉动直流电压，电压范围为40-100V。本专利技术的电解液是20％的碳酸氢钠或40％的氢氧化钾中的一种。本专利技术的优点在于1、穿孔速度快；2、结构简单，易于操作与携带；3、对玻璃片和硅片表面无破坏性损伤。附图说明附图是本专利技术的结构示意图。(五)具体实施方案下面结合附图举例对本专利技术作更详细的描述实施例一，电化学法玻璃片硅片穿孔设备的组成包括电解...
【技术保护点】
一种电化学法玻璃片硅片穿孔设备，其特征是：它包括电解槽，在电解槽中装有碱性溶液，电源的负极接石墨电极或者镍电极，穿孔探针接电源正极，玻璃片或硅片水平置于石墨电极或镍电极上，穿孔探针材料为金属钨，穿孔探针上串联有限流电阻，电源提供脉动直流电压，电压范围为４０－１００Ｖ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓为，霍明学，王喜莲，蓝慕杰，陈伟平，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]
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