去除硅片背面氮化硅膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，包括以下步骤：第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中；第二步，将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中；第三步，将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面；第四步，用去离子水对硅片进行水洗；第五步，在背面旋转刻蚀装置中通入Ｎ↓［２］，对硅片进行干燥。本发明专利技术通过将硅片放置于背面旋转刻蚀装置中，在浓氢氟酸进行处理，可以在硅片正面不允许淀积额外的氧化膜保护层的情况下方便的去除硅片背面的Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路的工艺方法，尤其是一种去除硅片背面氮化 硅膜的方法。技术背景在集成电路制造工艺中，用低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)方法淀积的&^4薄膜应用广泛，其主要用途有以下3方 面1，选择氧化阻挡层；2，作为干法刻蚀或离子注入阻挡层；3，作为栅 极侧墙材料。由于LPCVD工艺设备的特点，在淀积Si3N4薄膜时，硅片背面也同时被淀积一层和硅片正面Si3N4薄膜相同厚度的Si3N4薄膜。而背面的这层 Si3N4薄膜可能会影响后续的热处理工艺的效果。在通常情况下，背面的这 层Si3N4薄膜需要被去除。在正面允许淀积额外的氧化膜的情况下，可以在硅片正面淀积一层氧化膜作为保护层，然后在热磷酸槽中腐蚀背面Si3Hr薄膜的方法。但是在集成电路工艺中的很多情况下，硅片正面不允许淀积额 外的氧化膜保护层，并且硅片正面的图形结构会被热磷酸腐蚀，因此不能 使用槽式腐蚀的方法。已有技术不能提供一种只腐蚀硅片背面而又不影响硅片正面的方法来去除硅片背面的Si3N4薄膜的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中；第二步，将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中；第三步，将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面；第四步，用去离子水对硅片进行水洗；第五步，在背面旋转刻蚀装置中通入Ｎ↓［２］，对硅片进行干燥。

【技术特征摘要】
1、一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，包括以下步骤第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中；第二步，将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中；第三步，将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面；第四步，用去离子水对硅片进行水洗；第五步，在背面旋转刻蚀装置中通入N2，对硅片进行干燥。2、 如权利要求1所述的去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于， 氢氟酸药液的浓度在40wtQ/。到50wtM之间。3、 如权利要求1所述的去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于， 第二步中硅片的旋转速度为50...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘须电，荣毅，仓凌盛，王明琪，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]