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本发明公开了一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，包括以下步骤：第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中；第二步，将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中；第三步，将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面；第四步，用去离子水对硅片进行水洗；...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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