刷新控制电路及包括其的存储器件制造技术

一种存储器件可以包括：至少一个存储体；以及控制电路，适用于：响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述至少一个存储体；以及当激活操作在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行时，经由第二刷新操作来刷新所述至少一个存储体。

Refresh control circuit and storage device including the same

A memory device may include at least one memory; and a control circuit for response to refresh commands via a first refresh operation to refresh the at least one memory; and when activated operation is performed between the current and previous refresh command refresh command, to refresh the at least one storage by second refresh operation.

【技术实现步骤摘要】
刷新控制电路及包括其的存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月18日提交给韩国知识产权局的申请号为10-2015-0161690的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本申请涉及一种刷新控制电路和包括刷新控制电路的存储器件。
技术介绍
存储器件的存储单元包括用作开关的晶体管和用于以电荷形式(数据)储存数据的电容器。根据存储单元中是否储存电荷或者根据电容器两端的电压是高还是低，可以将数据分类为高(逻辑1)和低(逻辑0)。由于以电荷累积的方式储存数据，因此原则上不消耗功率。然而，电容器中储存的初始电荷会因为MOS晶体管的PN结引起的泄露电流而下降，因而数据会丢失。为了防止这种数据丢失，在数据丢失之前，必须读取存储单元的数据，且存储单元必须根据读取信息而重新充电。这种操作必须周期性地重复以保留数据。对存储单元重新充电的操作通常称为刷新操作。图1是图示用于解释行锤纹效应(rowhammereffect)的存储器件的单元阵列的一部分的示图。参见图1，‘BL’和‘BL+1’表示位线，单元阵列中的WLK-1’、‘WLK’和‘WLK+1’表示彼此平行布置的三个字线。具体地，具有‘HIGH_ACT’的‘WLK’对应于激活计数或激活频率高的字线。‘WLK-1’和‘WLK+1’是与字线WLK相邻布置的字线。另外，‘CELL_K-1’、‘CELL_K’和‘CELL_K+1’表示分别耦接到字线WLK-1、WLK和WLK+1的存储单元。存储单元CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1分别包括单元晶体管TR_K-1、TR_K和TR_K+1以及单元电容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。当字线WLK被激活以及被预充电(去激活)时，字线WLK-1和WLK+1的电压由于字线WLK与字线WLK-1和WLK+1之间的耦合而上升或下降，由此影响储存在单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷。因此，当字线WLK被频繁激活和或预充电，以在激活状态与预充电状态之间切换(toggle)时，储存在电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷会改变，以损坏储存在单元电容器CELL_K-1和CELL_K+1中的数据。另外，字线WLK在激活状态与预充电状态之间切换时产生的电磁波可以将电子引入至耦接到相邻字线WLK-1和WLK+1的存储单元CELL_K-1和CELL_K+1中所包括的单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1/从该单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1放电出电子，由此损坏存储单元的数据。这种现象在本领域中众所周知为行锤纹。行锤纹随着存储单元密度增大而增加，且因而非常需要寻找方法来克服它。
技术实现思路
本专利技术的各个实施例涉及一种存储器件，其被配置成防止因行锤纹而可能发生的储存在存储单元中的数据恶化。在一个实施例中，一种存储器件可以包括：至少一个存储体；以及控制电路，适用于：响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述至少一个存储体；以及当激活操作在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行时，经由第二刷新操作来刷新所述至少一个存储体。在一个实施例中，一种存储器件可以包括：多个存储体；刷新计数器，适用于产生刷新地址；多个地址储存单元，适用于储存所述多个存储体之中的对应的存储体的字线的地址；以及控制电路，适用于响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述多个存储体中的与刷新地址相对应的字线，以及经由第二刷新操作来将所述多个存储体之中在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行了激活操作的存储体中的、与对应于储存在对应的地址储存单元中的地址的字线相邻的字线刷新。在一个实施例中，一种存储器件可以包括：多个存储体；多个地址储存单元，适用于储存所述多个存储体之中的与对应的存储体的字线相对应的地址；以及控制电路，适用于响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述多个存储体，以及经由第二刷新操作来刷新在地址被储存在所述多个地址储存单元之中的对应的地址储存单元中之后未经由第二刷新操作刷新的存储体。在一个实施例中，刷新控制电路可以包括：预刷新激活信号发生器，适用于在刷新时段期间，将多个预刷新激活信号激活一次或更多次；以及刷新激活信号发生器，适用于传送所述多个预刷新激活信号分别作为多个刷新激活信号，以及阻挡对应的激活控制信号在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间未被激活的预刷新激活信号。刷新控制电路还可以包括：脉冲信号发生器，适用于产生在刷新时段结束的时间点被激活的刷新结束脉冲。刷新激活信号发生器可以包括多个信号发生单元。信号发生单元中的每个可以包括：锁存器，适用于将内部节点的电压锁存；以及驱动单元，适用于当对应的激活控制信号在除了刷新时段之外的时段被激活时将内部节点的电压驱动到第一电平，以及响应于刷新结束脉冲来将内部节点的电压驱动到第二电平。信号发生单元中的每个还可以包括：信号传输单元，适用于传送所述多个预刷新激活信号之中的对应的预刷新激活信号作为所述多个刷新激活信号之中的对应的刷新激活信号，以及在目标刷新操作期间当内部节点的电压处在第二电平时，阻挡对应的预刷新激活信号。在一个实施例中，一种存储器件可以包括：多个存储体；以及控制电路，适用于：响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述多个存储体，以及经由第二刷新操作来仅刷新所述多个存储体之中的在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行了激活操作的存储体。控制电路可以控制所述多个存储体之中的除了在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行了激活操作的存储体的存储体，以跳过第二刷新操作。第一刷新操作可以包括正常刷新操作，正常刷新操作用于将所述多个存储体的多个字线顺序地刷新，以及第二刷新操作包括目标刷新操作，目标刷新操作用于将所述多个存储体的所述多个字线之中的与在给定的时间点被激活的字线相邻的字线刷新。附图说明图1是图示用于解释行锤纹效应的存储器件的单元阵列的一部分的示图。图2是图示存储器件的配置的一部分的示图。图3是图示图2的存储器件的存储体的目标刷新操作的示图。图4是根据本专利技术的一个实施例的存储器件的配置图。图5A和图5B是分别图示根据本专利技术的第一实施例和第二实施例的图4的存储器件的操作的示图。图6是图4的控制电路的配置图。图7是图示图6的预刷新激活信号发生器的操作的波形图。图8是图示根据第一实施例的图6的刷新激活信号发生器的操作的示图。图9是根据第一实施例的图6的刷新激活信号发生器的配置图。具体实施方式以下将参照附图来更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式来实施，而不应当被解释为局限于本文所阐述的实施例。更确切地说，这些实施例被提供使得本公开将是彻底和完整的，且这些实施全将向本领域技术人员充分传达本专利技术。贯穿本公开，相同的附图标记在本专利技术的各种附图和实施例中指代相同的部分。还要注意，在本说明书中，“连接/耦接”是指一个部件不仅直接耦接另一个部件，而且经由中间部件间接耦接另一个部件。将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用来描述各个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语是用来区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下文描本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件包括：至少一个存储体；以及控制电路，适用于：响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述至少一个存储体；以及当激活操作在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行时，经由第二刷新操作刷新所述至少一个存储体。

【技术特征摘要】
2015.11.18 KR 10-2015-01616901.一种存储器件包括：至少一个存储体；以及控制电路，适用于：响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述至少一个存储体；以及当激活操作在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行时，经由第二刷新操作刷新所述至少一个存储体。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，存储器件包括多个存储体，且其中，控制电路控制除了在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行了激活操作的所述至少一个存储体之外的存储体以跳过第二刷新操作。3.如权利要求2所述的存储器件，其中，控制电路对所述多个存储体之中的被控制以跳过第二刷新操作的存储体额外地执行第一刷新操作。4.如权利要求1所述的存储器件，其中，第一刷新操作包括正常刷新操作，正常刷新操作用于将所述至少一个存储体的多个字线顺序地刷新，以及第二刷新操作包括目标刷新操作，目标刷新操作用于将所述至少一个存储体的所述多个字线之中的与在给定的时间点被激活的字线相邻的字线刷新。5.如权利要求4所述的存储器件，其中，给定的时间点包括在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间的时间点。6.如权利要求2所述的存储器件，其中，控制电路包括：预刷新激活信号发生器，适用于在执行第一刷新操作或第二刷新操作的刷新时段期间将多个预刷新激活信号激活一次或更多次，所述多个预刷新激活信号中的每个对应于存储体中的一个；以及刷新激活信号发生器，适用于传送所述多个预刷新激活信号分别作为多个刷新激活信号，以及在第二刷新操作期间，阻挡对应的激活控制信号在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间未被激活的预刷新激活信号。7.如权利要求6所述的存储器件，其中，控制电路还包括：存储体激活控制器，适用于产生多个激活控制信号，以及适用于响应于激活命令来将与存储体地址相对应的激活控制信号激活，或者适用于将所述多个激活控制信号之中的与被激活的刷新激活信号相对应的激活控制信号激活，所述多个激活控制信号中的每个对应于所述多个存储体中的一个存储体的激活操作。8.如权利要求6所述的存储器件，其中，刷新激活信号发生器包括多个信号发生单元，且信号发生单元中的每个包括：锁存器，适用于将内部节点的电压锁存；以及驱动单元，适用于当对应的激活控制信号在除了刷新时段之外的时段被激活时将内部节点的电压驱动到第一电平，以及当刷新时段结束时将内部节点的电压驱动到第二电平。9.如权利要求8所述的存储器件，其中，信号发生单元中的每个还包括：信号传输单元，适用于在第一刷新操作期间传送对应的预刷新激活信号作为对应的刷新激活信号，在第二刷新操作期间当内部节点的电压处在第一电平时，传送对应的预刷新激活信号作为对应的刷新激活信号，以及在第二刷新操作期间当内部节点的电压处在第二电平时，阻挡对应的预刷新激活信号。10.一种存储器件包括：多个存储体；刷新计数器，适用于产生刷新地址；多个地址储存单元，适用于储存所述多个存储体之中的对应的存储体的字线的地址；以及控制电路，适用于响应于刷新命令经由第一刷新操作来刷新所述多个存储体中的与刷新地址相对应的字线，以及经由第二刷新操作来将所述多个存储体之中在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行了激活操作的存储体中的、与对应于储存在对应的地址储存单元中的地址的字线相邻的字线刷新。11.如权利要求10所述的存储器件，其中，控制电路控制所述多个存储体之中的除了在当前的刷新命令与先前的刷新命令之间执行了激活操作的存储体之...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鲁根，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR