一种电流补偿装置以及带隙基准电路制造方法及图纸

本申请实施例中提供了一种电流补偿装置以及带隙基准电路，该电流补偿装置包括复制模块，用于获得外部输入信号，并对所述外部输入信号进行等效转换，获得等效电流；分流模块，基于所述复制模块转换的等效电流生成第一分支电流和第二分支电流；第一调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第一分支电流，将所述第一分支电流转换为第一调节信号；第二调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第二分支电流，将所述第一分支电流转换为第二调节信号；其中，所述第一调节信号和第二调节信号用于对输出电流动态调节。采用本申请中的方案，用于提高带隙基准电压的准确性。

Current compensation device and band gap reference circuit

The embodiment of the invention provides a current compensation device and bandgap reference circuit, the current compensation device comprises a replication module for obtaining an external input signal and the external input signal of equivalent conversion, equivalent shunt current; equivalent current module, the copy module conversion generates a first current and a second branch based on the current branch; the first adjustment signal generation module, won the first branch current of the shunt module generation, the first branch current is converted to the first control signal; second control signal generation module, second branch current of the shunt module generation, the first branch current is converted to a second control signal; wherein, the first adjustment signal and the second control signal for adjusting the output current dynamic. The scheme in this application is used to improve the accuracy of bandgap voltage reference.

【技术实现步骤摘要】
一种电流补偿装置以及带隙基准电路
本申请涉及带隙基准电路
，尤其涉及一种电流补偿装置以及带隙基准电路。
技术介绍
带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。通常情况下带隙基准电路包括至少三个电阻，分别用R1～R3标识，双极型晶体管Q1和Q2，以及一个运算放大器VP，其结构组成以及连接方式具体可参见图1所示，运算放大器VP存在一定的输入失配偏差电压，会影响带隙基准电路的输出电压精度。通过低失配偏差电压(Offset)设计技术，可以减小运算放大器的输入失配偏差电压的影响。实践中发现，即使消除运算放大器的输入失配偏差电压的影响，仍然带隙基准电压存在一定的不准确性。
技术实现思路
本申请实施例中提供了一种电流补偿装置以及一种电流补偿装置以及带隙基准电路，用于提高带隙基准电压的准确性。根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种电流补偿装置，包括：复制模块，用于获得外部输入信号，并对所述外部输入信号进行等效转换，获得等效电流；分流模块，基于所述复制模块转换的等效电流生成第一分支电流和第二分支电流；第一调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第一分支电流，将所述第一分支电流转换为第一调节信号；第二调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第二分支电流，将所述第一分支电流转换为第二调节信号；其中，所述第一调节信号和第二调节信号用于对输出电流动态调节。根据本申请实施例的第一个方面，在本申请实施例的第一个方面的第一种可能的实现方式中，所述复制模块，包括PMOS管MP2，所述PMOS管MP2的栅极与外部输入信号连接，源极和衬体与输入电源VIN连接；所述PMOS管MP2的漏极与分流模块连接。根据本申请实施例的第一个方面的第一种可能的实现方式，在本申请实施例的第一个方面的第二种可能的实现方式中，所述复制模块，还包括PMOS管MP1，其中：所述PMOS管MP1的栅极与外部输入信号输入端连接；所述PMOS管MP1的衬体、源极分别与PMOS管MP2的衬体、源极连接，并连接至输入电源VIN。根据本申请实施例的第一个方面的第二种可能的实现方式，在本申请实施例的第一个方面的第三种可能的实现方式中，所述PMOS管MP2具体用于按照设定比例复制PMOS管MP1的电流。根据本申请实施例的第一个方面，在本申请实施例的第一个方面的第四种可能的实现方式中，所述分流模块，包含一个第四电阻R4，和一个双极型晶体管Q3，其中：第四电阻R4的一端和所述复制模块连接；所述双极型晶体管Q3的发射极与所述第四电阻R4的另一端连接，所述述双极型晶体管Q3的基极与所述第一调节信号生成模块连接，所述双极型晶体管Q3的集电极和待进行电流补偿的电路中的地线连接。根据本申请实施例的第一个方面的第四种可能的实现方式，在本申请实施例的第一个方面的第五种可能的实现方式中，所述双极型晶体管Q3的基极电流为发射极电流的1/(β+1)倍，其中β是双极型晶体管Q3的电流增益。根据本申请实施例的第一个方面，在本申请实施例的第一个方面的第六种可能的实现方式中，所述第一调节信号生成模块，包括两个NMOS管MNI和MN2；其中，MN1的栅极和MN2的栅极，与分流模块的输入端连接；MN1的漏极和分流模块的输出端连接；MN1的衬体和源极，与待进行电流补偿的电路中的地线连接；MN2的衬体和源极，与待进行电流补偿的电路中的地线连接；MN2的漏极和与待进行电流补偿的电路一端连接。根据本申请实施例的第一个方面，在本申请实施例的第一个方面的第七种可能的实现方式中，所述第二调节信号生成模块，包括一个NMOS管MN3，其中：NMOS管MN3的栅极与分流模块的输入端连接；NMOS管MN3的衬体和源极，与待进行电流补偿的电路中的地线连接；NMOS管MN3的漏极，与待进行电流补偿的电路的另一端连接。根据本申请的第二方面，提供了一种带隙基准电路，包括上述第一方面提出的任一所述的电流补偿装置；以及待进行电流补偿的带隙基准电路。根据本申请的第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述带隙基准电路包含电阻R1、电阻R2、电阻R3，双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2，一个运算放大器，其中：电阻R1、电阻R2的一端和外部电压连接；电阻R1的另一端、电阻R3的一端与运算放大器的反向输入端连接；电阻R2的另一端、双极型晶体管Q2的发射极与运算放大器的正向输入端连接；双极型晶体管Q1的基极、集电极、双极型晶体管Q2的基极、集电极与地连接；双极型晶体管Q1的发射极、电阻R3的另一端分别与电流补偿装置中的第二调节信号生成模块连接；双极型晶体管Q2的发射极与电流补偿装置中的第一调节信号生成模块连接。本申请提出的技术方案中，对外部输入信号进行等效转换，获得等效电流；分流模块，基于等效电流生成第一分支电流和第二分支电流；将所述第一分支电流转换为第一调节信号，将第一分支电流转换为第二调节信号；第一调节信号和第二调节信号用于对输出电流动态调节。从而通过第一调节信号和第二调节信号，对输出电流实现电流补偿，应用在带隙基准电压电路中，可以较好地提高带隙基准电压的准确性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为带隙基准电路结构组成示意图；图2为本专利技术实施例一中，提出的电流补偿装置结构组成示意图；图3a为本申请实施例一中，提出的复制模块结构组成示意图；图3b为本申请实施例一中，提出的复制模块结构组成示意图；图4为本申请实施例一中，提出的分流模块结构组成示意图；图5为本申请实施例一中，提出的第一调节信号生成模块结构组成示意图；图6为本申请实施例一中，提出的第二调节信号生成模块结构组成示意图；图7为本申请实施例二中，提出的带隙基准电路结构组成示意图。具体实施方式在实现本申请的过程中，专利技术人发现带隙基准电路即使消除运算放大器的输入失配偏差电压的影响，仍然带隙基准电压存在一定的不准确性。针对上述问题，本申请实施例中提供了一种电流补偿装置，包括复制模块，用于获得外部输入信号，并对所述外部输入信号进行等效转换，获得等效电流；分流模块，基于所述复制模块转换的等效电流生成第一分支电流和第二分支电流；第一调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第一分支电流，将所述第一分支电流转换为第一调节信号；第二调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第二分支电流，将所述第一分支电流转换为第二调节信号；其中，所述第一调节信号和第二调节信号用于对输出电流动态调节用于解决带隙基准电路即使消除运算放大器的输入失配偏差电压的影响，仍然带隙基准电压存在一定的不准确性的问题。本申请实施例中的方案可以采用各种计算机语言实现，例如，面向对象的程序设计语言Java和直译式脚本语言JavaScript等。为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流补偿装置，其特征在于，包括：复制模块，用于获得外部输入信号，并对所述外部输入信号进行等效转换，获得等效电流；分流模块，基于所述复制模块转换的等效电流生成第一分支电流和第二分支电流；第一调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第一分支电流，将所述第一分支电流转换为第一调节信号；第二调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第二分支电流，将所述第一分支电流转换为第二调节信号；其中，所述第一调节信号和第二调节信号用于对输出电流动态调节。

【技术特征摘要】
1.一种电流补偿装置，其特征在于，包括：复制模块，用于获得外部输入信号，并对所述外部输入信号进行等效转换，获得等效电流；分流模块，基于所述复制模块转换的等效电流生成第一分支电流和第二分支电流；第一调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第一分支电流，将所述第一分支电流转换为第一调节信号；第二调节信号生成模块，获得所述分流模块生成的第二分支电流，将所述第一分支电流转换为第二调节信号；其中，所述第一调节信号和第二调节信号用于对输出电流动态调节。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述复制模块，包括PMOS管MP2，所述PMOS管MP2的栅极和外部输入信号连接，所述PMOS管MP2的源极和衬体与电源输入VIN连接；所述PMOS管MP2的漏极与分流模块连接。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述复制模块，还包括PMOS管MP1，其中：所述PMOS管MP1的栅极与外部输入信号输入端连接；所述PMOS管MP1的栅极、源极、衬体分别与PMOS管MP2的栅极、源极、衬体连接。4.根据权利要求3所述的装置，所述PMOS管MP2具体用于按照设定比例复制PMOS管MP1的电流。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述分流模块，包含一个第四电阻R4，和一个双极型晶体管Q3，其中：第四电阻R4的一端和所述复制模块连接；所述双极型晶体管Q3的发射极与所述第四电阻R4的另一端连接，所述述双极型晶体管Q3的基极与所述第一调节信号生成模块连接，所述双极型晶体管Q3的集电极和待进行电流补偿的电路中的地线连接。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述双极型晶体管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：合肥中感微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34