一种芯片级封装LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片级封装LED。其包括基板，基板的上方设置有倒装紫外芯片，倒装紫外芯片的底面设置有两个电极，倒装紫外芯片通过两个电极与基板电连接，两个电极与倒装紫外芯片之间均设置有第一石墨烯层，两个第一石墨烯层之间互不连接，倒装紫外芯片的顶面和侧面从内至外依次设置有第二石墨烯层、量子点层和封装胶层。第一石墨烯层可以极大地提高倒装紫外芯片的散热；通过封装胶层和第二石墨烯层将量子点层封装在中间部分，使得量子点层远离倒装紫外芯片的表面，避免量子点层因倒装紫外芯片的表面温度而影响发光效率；通过控制量子点层的粒子尺寸，来控制量子点层的发光颜色；封装胶层提高了LED结构的稳定性，减少外力的损伤。

A chip level package LED

The utility model discloses a chip level package LED. It includes a substrate provided with UV flip chip substrate above the flip UV chip is arranged on the bottom surface of the two electrode, flip chip ultraviolet connected by two electrode and the substrate, a first graphene layer are arranged between the two electrode and the flip chip ultraviolet, between two of the first graphene layer do not connect, flip chip ultraviolet the top surface and the side from the inside to the outside is provided with second graphene quantum dot layer, layer and layer encapsulation. The first graphene layer can greatly improve the UV radiation flip chip package; through the adhesive layer and the second layer of graphene quantum dots encapsulated in the middle part, the surface layer of quantum dots from UV flip chip, avoid the surface temperature of quantum dot layer for flip UV chip and the affect of luminous efficiency; through quantum control some layers of particle size, light color to control quantum dot layer encapsulation layer; improve the stability of LED structure, reduce the external damage.

【技术实现步骤摘要】
一种芯片级封装LED
本技术涉及LED
，尤其涉及一种芯片级封装LED。
技术介绍
CSP的全称是ChipScalePackage，中文意思是芯片级封装、芯片尺寸封装。光源对物体的显色能力称为显色性，物体的颜色显示是由光源的光谱组成决定的。如图1所示，现有技术中的芯片级封装LED一般采用蓝光激发黄色荧光粉，当LED的光照射到花朵上时，花朵的红色不是很鲜艳。定义自然光下的物体的显色指数为100，测试蓝光激发黄色荧光粉的LED的显色指数为70。当我们需要调整灯具的显色指数以配合环境，使得物体更加真实时，现有技术中的LED的蓝光芯片和黄色荧光粉决定了LED发光的光谱组成，无法满足这种需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种芯片级封装LED，其通过调整量子点层的粒子尺寸可以控制发光的颜色，实现LED发光的高显示性，通过封装结构实现了对量子点层的封装和保护，提高了LED结构的可靠性，同时提高了倒装紫外芯片的散热。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种芯片级封装LED，包括基板，基板的上方设置有倒装紫外芯片，倒装紫外芯片的底面设置有两个电极，倒装紫外芯片通过两个电极与基板电连接，两个电极与倒装紫外芯片之间均设置有第一石墨烯层，两个第一石墨烯层之间互不连接，倒装紫外芯片的顶面和侧面从内至外依次设置有第二石墨烯层、量子点层和封装胶层。其中，第二石墨烯层、量子点层、封装胶层与基板一起将倒装紫外芯片封装。倒装紫外芯片的外部的三层结构，使得封装更加可靠。其中，第一石墨烯层的底面积大于电极的底面积。石墨烯具有高导热、高导电、透光的性能，第一石墨烯层与倒装紫外芯片和电极相连接，可以极大地提高倒装紫外芯片的散热，同时不影响电路导通。其中，封装胶层为透明封装胶层。其中，封装胶层为环氧树脂层或硅胶层。其中，电极通过回流焊与基板电连接。其中，基板为GaN、Si、SiN或陶瓷基板。其中，基板上布设有电路。本技术的有益效果：倒装紫外芯片与电极之间设置第一石墨烯层，可以极大地提高倒装紫外芯片的散热，同时不影响电路的导通；倒装紫外芯片的顶面和侧面从内至外依次设置有第二石墨烯层、量子点层和封装胶层，其封装可靠，通过封装胶层和第二石墨烯层将量子点层封装在中间部分，使得量子点层远离倒装紫外芯片的表面，避免量子点层因倒装紫外芯片的表面温度而影响发光效率，同时利用石墨烯的高导热性，使得热量从下方快速导出，石墨烯具有很好的透光性能，不会影响量子点层被激发的效率；量子点层可以被倒装紫外芯片发出的紫外光激发，产生蓝光、红光和绿光，从而形成可见白光，可以通过控制量子点层的粒子尺寸，来控制量子点层的发光颜色；封装胶层提高了LED结构的稳定性，减少外力的损伤。附图说明图1是现有技术的芯片级封装LED的结构示意图。图2是本技术的芯片级封装LED的结构示意图。附图标记如下：1-基板；2-倒装紫外芯片；21-电极；22-第一石墨烯层；3-第二石墨烯层；4-量子点层；5-封装胶层。具体实施方式下面结合图2并通过具体实施例来进一步说明本技术的技术方案。如图2所示，芯片级封装LED包括基板1，基板1的上方设置有倒装紫外芯片2，倒装紫外芯片2的底面设置有两个电极21，倒装紫外芯片2通过两个电极21与基板1电连接，两个电极21与倒装紫外芯片2之间均设置有第一石墨烯层22，两个第一石墨烯层22之间互不连接，倒装紫外芯片2的顶面和侧面从内至外依次设置有第二石墨烯层3、量子点层4和封装胶层5，第二石墨烯层3、量子点层4、封装胶层5与基板1一起将倒装紫外芯片2封装。倒装紫外芯片2的外部的三层结构，使得封装更加可靠。本实施例中，第一石墨烯层22的底面积大于电极21的底面积。优选地，电极21通过回流焊与基板1电连接。石墨烯具有高导热、高导电、透光的性能，第一石墨烯层22与倒装紫外芯片2和电极21相连接，可以极大地提高倒装紫外芯片2的散热，同时不影响电路导通。本实施例中，基板1上布设有电路，基板1为陶瓷基板，封装胶层5为环氧树脂层。在其他实施例中，基板1也可以为GaN、Si或SiN基板，封装胶层5也可以选择硅胶层。本技术的芯片级封装LED的封装流程如下：1)、芯片制程：芯片的生长、成型均通过气相外延的方法，先在衬底生长GaAlN的外延和活性层，再在芯片的上方蒸镀第一石墨烯层22，最后通过涂胶、曝光、蚀刻等一系列的工艺形成电极21；2)、光转换层涂覆：将芯片外延片整体进行气相沉积，依次在不同腔内进行材料沉积，再在芯片表面沉积第二石墨烯层3，然后在第二石墨烯层3上沉积量子点层4，最后在量子点层4沉积封装胶层5，对LED进行分光和编带；3)、制作PCB基板：根据需求设计LED电路，选取基材后在基材上沉积对应电路，裸露相应焊盘。4)、SMT贴片：将LED通过锡膏回流焊表贴在PCB基板1。以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片级封装LED，包括基板(1)，其特征在于，所述基板(1)的上方设置有倒装紫外芯片(2)，所述倒装紫外芯片(2)的底面设置有两个电极(21)，所述倒装紫外芯片(2)通过两个所述电极(21)与所述基板(1)电连接，两个所述电极(21)与所述倒装紫外芯片(2)之间均设置有第一石墨烯层(22)，两个所述第一石墨烯层(22)之间互不连接，所述倒装紫外芯片(2)的顶面和侧面从内至外依次设置有第二石墨烯层(3)、量子点层(4)和封装胶层(5)。

【技术特征摘要】
1.一种芯片级封装LED，包括基板(1)，其特征在于，所述基板(1)的上方设置有倒装紫外芯片(2)，所述倒装紫外芯片(2)的底面设置有两个电极(21)，所述倒装紫外芯片(2)通过两个所述电极(21)与所述基板(1)电连接，两个所述电极(21)与所述倒装紫外芯片(2)之间均设置有第一石墨烯层(22)，两个所述第一石墨烯层(22)之间互不连接，所述倒装紫外芯片(2)的顶面和侧面从内至外依次设置有第二石墨烯层(3)、量子点层(4)和封装胶层(5)。2.根据权利要求1所述的芯片级封装LED，其特征在于，所述第二石墨烯层(3)、所述量子点层(4)、所述封装胶层(5)与所述基板(1)一起将所述倒装紫外芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟长军，
申请(专利权)人：深圳创维RGB电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44