The invention provides a vacuum evaporation device, including evaporation source, plating substrate and vacuum chamber, the evaporation source and the substrate to be plated is arranged in the vacuum chamber, the evaporation source includes evaporation materials, carbon nanotube film structure, a first electrode and a two electrode, the first electrode and the two electric poles are mutually separated and respectively. Connected with the carbon nanotube film structure, the carbon nanotube film structure as a carrier, the evaporation material is provided on the surface of the carbon nanotube film structure, the carbon nanotube structure bearing, the substrate to be plated with the carbon nanotube film structure and relative interval set.
【技术实现步骤摘要】
真空蒸镀装置
本专利技术涉及真空蒸镀领域,尤其涉及一种真空蒸镀装置。
技术介绍
真空蒸镀是将蒸发源在真空中加热,使蒸镀材料气化,并在待镀基底表面沉积成膜的过程。为了形成均匀的薄膜,需要在待镀基底周围形成均匀的气态蒸镀材料。在现有技术中(如中国专利申请CN1970826A)通常需要设置复杂的导流装置将气态蒸镀材料均匀传送至待镀基底表面。尤其当蒸发源为两种以上时,对每种蒸发源的蒸发速率更加难以控制,难以形成预定比例的混合蒸镀材料气体。镀膜尺寸越大,成膜的均匀性越难保证,并且,由于难以控制气态蒸镀材料原子的扩散运动方向,大部分蒸镀材料都不能附着在待镀基底表面,从而造成蒸镀率低且蒸镀速度慢等问题。
技术实现思路
有鉴于此,确有必要提供一种能够解决上述问题的真空蒸镀装置。一种真空蒸镀装置,包括蒸发源、待镀基底及真空室,该蒸发源及待镀基底设置在该真空室中,该蒸发源包括蒸发材料、碳纳米管膜结构、第一电极及第二电极,该第一电极及第二电极相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构电连接,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载,该待镀基底与该碳纳米管膜结构相对且间隔设置。相较于现有技术,本专利技术将自支撑的碳纳米管膜作为蒸镀材料的载体,利用该碳纳米管膜极大的比表面积及自身的均匀性,使承载在该碳纳米管膜上的蒸镀材料在蒸发前即实现较为均匀的大面积分布。在蒸发的过程中利用该自支撑碳纳米管膜瞬时加热的特性,在极短的时间将蒸镀材料完全气化,从而形成均匀且大面积分布的气态蒸镀材料。该待镀基底与该碳纳米管膜间隔距离短,使承载在该碳纳米管膜上的蒸镀材料基本 ...
【技术保护点】
一种真空蒸镀装置,包括蒸发源、待镀基底及真空室,该蒸发源及待镀基底设置在该真空室中,该蒸发源包括蒸发材料,其特征在于,该蒸发源进一步包括碳纳米管膜结构、第一电极及第二电极,该第一电极及第二电极相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构电连接,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载,该待镀基底与该碳纳米管膜结构相对且间隔设置。
【技术特征摘要】
1.一种真空蒸镀装置,包括蒸发源、待镀基底及真空室,该蒸发源及待镀基底设置在该真空室中,该蒸发源包括蒸发材料,其特征在于,该蒸发源进一步包括碳纳米管膜结构、第一电极及第二电极,该第一电极及第二电极相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构电连接,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载,该待镀基底与该碳纳米管膜结构相对且间隔设置。2.如权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,该碳纳米管膜结构在该第一电极及第二电极之间悬空设置,该蒸发材料设置在悬空的碳纳米管膜结构表面。3.如权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,该碳纳米管膜结构的单位面积热容小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文,比表面积大于200平方米每克。4.如权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,该碳纳米管膜结构包括一个或相互层叠的多个碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管。5.如权利要求4所述的真空蒸镀装置,其特征在于,该碳纳米管膜中的碳纳米管基本平行于该碳纳米管膜表面,并沿同一方向延伸。6.如权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,该蒸发源的厚度小于或等于100微米。7.如权利要求1所述的真空蒸镀装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏洋,魏浩明,姜开利,范守善,
申请(专利权)人:清华大学,鸿富锦精密工业深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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