MOS驱动保持电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS驱动保持电路，包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点。本实用新型专利技术MOS驱动保持电路，利用MOS门极高阻抗特性,给MOS信号后，能持续导通达2.5秒种,并自动复位为截止状态。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及MOS驱动保持电路。
技术介绍
现有MOS驱动保持电路比较复杂，成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种MOS驱动保持电路，利用MOS门极高阻抗特性,给MOS信号后，能持续导通达2.5秒种,并自动复位为截止状态。为实现上述目的，本技术的技术方案是设计一种MOS驱动保持电路，包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点；所述信号输入端通过第一支路连接信号输出端；所述第一支路上由信号输入端至信号输出端依次串联有电感、第一二极管、第一电阻；所述第一二极管的正极与电感连接，所述第一二极管的负极与第一电阻连接；所述第一二极管的正极通过第二支路连接接地点，所述第二支路上设有第一电容；所述第一二极管的负极通过第三支路连接接地点，所述第三支路上设有第二电容；所述MOS管的漏极与第一支路连接，所述MOS管漏极与第一支路的连接点位于电感和第一二极管之间；所述MOS管的源极连接接地点；所述MOS管的栅极通过第四支路与PNP三极管的集电极连接；所述第四支路上设有第二二极管；所述第二二极管的正极与PNP三极管的集电极连接，所述第二二极管的负极与MOS管的栅极连接；所述PNP三极管的发射极连与第一支路连接，所述PNP三极管发射极与第一支路的连接点位于第一二极管和第一电阻之间；所述PNP三极管的基极通过第五支路连接信号输出端；所述第五支路上设有第二电阻；所述MOS管的栅极通过第六支路连接接地点；所述第六支路上设有第三电容；所述MOS管的栅极还通过第七支路连接接地点；所述第七支路上设有第三电阻。本技术的优点和有益效果在于：提供一种MOS驱动保持电路，利用MOS门极高阻抗特性,给MOS信号后,能持续导通达2.5秒种,并自动复位为截止状态。附图说明图1是本技术的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。本技术具体实施的技术方案是：如图1所示，一种MOS驱动保持电路，包括信号输入端INPUT+、MOS管Q1、PNP三极管Q2、信号输出端Signal和接地点；所述信号输入端INPUT+通过第一支路连接信号输出端Signal；所述第一支路上由信号输入端INPUT+至信号输出端Signal依次串联有电感L1、第一二极管D1、第一电阻R1；所述第一二极管D1的正极与电感L1连接，所述第一二极管D1的负极与第一电阻R1连接；所述第一二极管D1的正极通过第二支路连接接地点，所述第二支路上设有第一电容C1；所述第一二极管D1的负极通过第三支路连接接地点，所述第三支路上设有第二电容C2；所述MOS管Q1的漏极D与第一支路连接，所述MOS管Q1漏极D与第一支路的连接点位于电感L1和第一二极管D1之间；所述MOS管Q1的源极S连接接地点；所述MOS管Q1的栅极G通过第四支路与PNP三极管Q2的集电极C连接；所述第四支路上设有第二二极管D2；所述第二二极管D2的正极与PNP三极管Q2的集电极C连接，所述第二二极管D2的负极与MOS管Q1的栅极G连接；所述PNP三极管Q2的发射极E连与第一支路连接，所述PNP三极管Q2发射极E与第一支路的连接点位于第一二极管D1和第一电阻R1之间；所述PNP三极管Q2的基极B通过第五支路连接信号输出端Signal；所述第五支路上设有第二电阻R2；所述MOS管Q1的栅极G通过第六支路连接接地点；所述第六支路上设有第三电容C3；所述MOS管Q1的栅极G还通过第七支路连接接地点；所述第七支路上设有第三电阻R3。利用MOS门极高阻抗特性,给MOS信号后,能持续导通达2.5秒种,并自动复位为截止状态。原理:当Signal提供一个置低信号(>5mS)时，Q2导通，电流通过D2给C3充电，当Q2截止时，由C3维持Q1导通，通过R3放电，直到C3两端电压低于Q1开启阀值时Q1截止导通。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
MOS驱动保持电路，其特征在于，包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点；所述信号输入端通过第一支路连接信号输出端；所述第一支路上由信号输入端至信号输出端依次串联有电感、第一二极管、第一电阻；所述第一二极管的正极与电感连接，所述第一二极管的负极与第一电阻连接；所述第一二极管的正极通过第二支路连接接地点，所述第二支路上设有第一电容；所述第一二极管的负极通过第三支路连接接地点，所述第三支路上设有第二电容；所述MOS管的漏极与第一支路连接，所述MOS管漏极与第一支路的连接点位于电感和第一二极管之间；所述MOS管的源极连接接地点；所述MOS管的栅极通过第四支路与PNP三极管的集电极连接；所述第四支路上设有第二二极管；所述第二二极管的正极与PNP三极管的集电极连接，所述第二二极管的负极与MOS管的栅极连接；所述PNP三极管的发射极连与第一支路连接，所述PNP三极管发射极与第一支路的连接点位于第一二极管和第一电阻之间；所述PNP三极管的基极通过第五支路连接信号输出端；所述第五支路上设有第二电阻；所述MOS管的栅极通过第六支路连接接地点；所述第六支路上设有第三电容；所述MOS管的栅极还通过第七支路连接接地点；所述第七支路上设有第三电阻。...

【技术特征摘要】
1.MOS驱动保持电路，其特征在于，包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点；
所述信号输入端通过第一支路连接信号输出端；所述第一支路上由信号输入端至信号输出端依次串联有电感、第一二极管、第一电阻；
所述第一二极管的正极与电感连接，所述第一二极管的负极与第一电阻连接；
所述第一二极管的正极通过第二支路连接接地点，所述第二支路上设有第一电容；
所述第一二极管的负极通过第三支路连接接地点，所述第三支路上设有第二电容；
所述MOS管的漏极与第一支路连接，所述MOS管漏极与第一支路的连接点位于电感和第一二极管之间；
所述MOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱志勇，崔炎，王小六，
申请(专利权)人：苏州松田微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32