场效应晶体管驱动器制造技术

技术编号:14788511 阅读:167 留言:0更新日期:2017-03-12 12:24
提供一种包括输入调制器(202)和隔离电容器(206、304)的场效应晶体管(FET)驱动器。输入调制器被配置成输出交流(AC)信号。隔离电容器被配置成接收AC信号作为输入并且被配置成基于AC信号在滤波电容器(310)中存储电荷。滤波电容器(301)被配置成基于所存储的电荷来驱动电容器驱动的FET(102、208、210、212)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般地涉及晶体管。更具体地,本公开涉及场效应晶体管驱动器(driver)。
技术介绍
针对使用零电势触点(potentialfreecontact)的常规应用,常常实现PhotoMOS或固态继电器。然而,这些继电器可能对于场的某些应用而言过慢或者可能要求其自己的隔离电源。在某些应用中,标准场效应晶体管(FET)驱动器可以被实现为替换物。然而,标准FET驱动器向场添加直流。因此,针对其中不能向场添加直流的应用,标准FET驱动器不能被用作PhotoMOS或固态继电器的替换物。
技术实现思路
本公开提供一种场效应晶体管(FET)驱动器。在第一实施例中,FET驱动器包括输入调制器和隔离电容器。输入调制器被配置成输出交流(AC)信号。隔离电容器被配置成接收AC信号作为输入、基于AC信号在滤波电容器中存储电荷、以及基于所存储的电荷来驱动电容器驱动的FET。在第二实施例中,FET驱动器包括放大器、隔离电容器和滤波电容器。放大器被配置成接收时钟信号和数字信号并且被配置成基于时钟信号和数字信号生成经放大的输出。隔离电容器被配置成基于经放大的输出在滤波电容器中存储电荷。滤波电容器被配置成基于所存储的本文档来自技高网...
场效应晶体管驱动器

【技术保护点】
一种场效应晶体管(FET)驱动器,包括:输入调制器(202),其被配置成输出交流(AC)信号;以及隔离电容器(206、304),其被配置成接收AC信号作为输入、基于AC信号在滤波电容器(310)中存储电荷、以及基于所存储的电荷来驱动电容器驱动的FET(102、208、210、212)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.22 US 14/3380051.一种场效应晶体管(FET)驱动器,包括:输入调制器(202),其被配置成输出交流(AC)信号;以及隔离电容器(206、304),其被配置成接收AC信号作为输入、基于AC信号在滤波电容器(310)中存储电荷、以及基于所存储的电荷来驱动电容器驱动的FET(102、208、210、212)。2.根据权利要求1所述的FET驱动器,其中输入调制器包括与门(302),所述与门(302)被配置成接收时钟信号和数字信号并且被配置成基于数字信号来使时钟信号通过以生成AC信号。3.根据权利要求1所述的FET驱动器,其中:电容器驱动的FET包括耦合在负载(106、108)与驱动级(106、108)之间的FET(212),并且放大器(306)的第一节点被耦合到隔离电容器,放大器的第二节点被耦合到FET的栅极,并且放大器的第三节点被耦合到FET的源极。4.根据权利要求1所述的FET驱动器,其中:电容器驱动的FET包括串联地耦合在负载(106、108)与驱动级(106、108)之间的第一FET(208)和第二FET(210),并且放大器(306)的第一节点被耦合到隔离电容器,放大器的第二节点被耦合到第一FET的栅极和第二FET的栅极,并且放大器的第三节点被耦合到第一FET的源极和第二FET的源极。5.一种场效应晶体管(FET)驱动器,包括:放大器(306),其被配置成接收时钟信号和数字信号并且被配置成基于时钟信号和数字信号生成经放大的输出;滤波电容器(310),其被配置成基于电荷驱动电容器驱动的FET(102、208、210、212);以及隔离电容器(206、304),其被配置成基于经放大的输出将电荷存储在滤波电容器中。6.根据权利要求5所述的FET驱动器,进一步包括:整流器(308),其被配置成对隔离电容器的输出进行整流以生成经整流的输出,其中滤波电容器被进一步配置成基于经整流的输...

【专利技术属性】
技术研发人员:E沃米斯特
申请(专利权)人:霍尼韦尔国际公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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