【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种芯片大功率器件管脚结构。
技术介绍
在放大电路中担任末级输出的管子叫功率管，现有集成电路工艺中，多数已经能将较大功率的功率管集成在集成电路芯片中并进行整体封装。由于功率管一般来说功率远大于芯片中的其他器件，因此功率管的结构需要特别设计以适应其独特的要求，特别是功率管在工作时流过的大电流对器件的各层布局连线提出了很高要求，在整个电流通过上，都能够满足电流要求一直是功率管的设计难点，希望利用更少的金属层设计具有足够电流能力的器件。 现有技术多采用直通式设计，采用直通式设计虽然简单，但电流能力实际受限于功率管的一半面积，并且直通式设计由于源漏电流过于集中，对散热及电流均匀性均有不利影响。
技术实现思路
为克服现有技术的功率管散热不佳，电流均匀性不好的技术缺陷，本专利技术提供一种芯片大功率器件管脚结构。本专利技术所述芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚、源极管脚、与源极管脚连接的第一金属电极、与漏极管脚连接的第二金属电极、所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。 优选的，所述锯齿形状为矩形锯齿。 进一步的，所述矩形锯齿为分级矩形锯齿。更进一步的，所述分级矩形锯齿每级的延展宽度为10至20微米。优选的，所述漏极管脚、源极管脚的数量相同，且都至少两个。采用本专利技术所述芯...
【技术保护点】
芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚（1）、源极管脚（2）、与源极管脚连接的第一金属电极（3）、 与漏极管脚连接的第二金属电极（4）、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱（5）相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。
【技术特征摘要】
1.芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚（1）、源极管脚（2）、与源极管脚连接的第一金属电极（3）、 与漏极管脚连接的第二金属电极（4）、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱（5）相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。
2.一种如权利要求1所述芯片大功...
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