半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置具有电极配线，所述电极配线构成为金属材料和半导体材料在电流的流通方向上相互平行连接；其中，通过将在温度上升时的所述金属材料的电阻值上升量和所述半导体材料的电阻值下降量相加，所述电极配线在温度上升时的电阻值变化被减少。通过本发明专利技术实施例，即使在高温环境下电极配线的电阻值也不发生改变或者变化较小。由此，电极配线的导电能力不会降低，在高温下也不影响半导体装置的使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种具有电极配线的半导体装置。
技术介绍
在半导体装置中，经常会使用电极配线(或者也可以称为电极导线等)来导通电流，一般情况下电极配线由金属材料构成，例如铜、铝等。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
但是，专利技术人发现：在半导体装置中使用金属配线的情况下，由于原子的热振动等因素，高温下金属的自由电子被散射，从而会导致金属配线的电阻增大，由此导电能力降低，影响半导体装置的使用。本专利技术实施例提供了一种半导体装置。期望即使在高温环境下，电极配线的电阻值也不发生改变或者变化较小。根据本专利技术实施例的第一个方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置具有电极配线，所述电极配线构成为金属材料和半导体材料在电流的流通方向上相互平行连接；其中，通过将在温度上升时的所述金属材料的电阻值上升量和所述半导体材料的电阻值下降量相加，所述电极配线在温度上升时的电阻值变化被减少。根据本专利技术实施例的第二个方面，其中，在所述半导体材料和所述金属材料相接的部分形成有金属间化合物层。根据本专利技术实施例的第三个方面，其中，所述金属间化合物层的厚度在3μm以下。根据本专利技术实施例的第四个方面，其中，所述半导体材料是硅单晶。根据本专利技术实施例的第五个方面，其中，所述半导体材料是多晶硅。根据本专利技术实施例的第六个方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置具有电极配线，所述电极配线构成为金属材料和半导体材料在电流的流通方向上相互平行连接；其中，通过将在温度上升时的所述金属材料的电阻值上升量和所述半导体材料的电阻值下降量相加，所述电极配线在温度上升时的电阻值变化被减少；并且所述金属材料包覆所述半导体材料。根据本专利技术实施例的第七个方面，其中，在所述半导体材料和所述金属材料相接的部分形成有金属间化合物层。根据本专利技术实施例的第八个方面，其中，所述金属间化合物层的厚度在3μm以下。根据本专利技术实施例的第九个方面，其中，所述半导体材料是硅单晶。根据本专利技术实施例的第十个方面，其中，所述半导体材料是多晶硅。本专利技术实施例的有益效果在于：通过将金属材料和半导体材料结合起来形成电极配线，即使在高温环境下电极配线的电阻值也不发生改变或者变化较小。由此，电极配线的导电能力不会降低，在高温下也不影响半导体装置的使用。参照后文的说明和附图，详细公开了本专利技术实施例的特定实施方式，指明了本专利技术实施例的原理可以被采用的方式。应该理解，本专利技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本专利技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明所包括的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本专利技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本专利技术实施例的半导体装置的部分示意图；图2是本专利技术实施例的电极配线的电阻值随高温而变化的一示意图；图3是本专利技术实施例的电极配线的另一示意图；图4是本专利技术实施例的电极配线的另一示意图。具体实施方式参照附图，通过下面的说明书，本专利技术实施例的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本专利技术的特定实施方式，其表明了其中可以采用本专利技术实施例的原则的部分实施方式，应了解的是，本专利技术不限于所描述的实施方式，相反，本专利技术实施例包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。实施例1本专利技术实施例提供一种半导体装置，图1是本专利技术实施例的半导体装置的部分示意图。如图1所示，所述半导体装置100具有电极配线101，该电极配线101分别连接两个金属垫102和103，在该金属垫102、电极配线101和金属垫103之间可以形成有电流。在本实施例中，所述电极配线101构成为金属材料和半导体材料在电流的流通方向上相互平行连接。如图1所示，电极配线101可以包括金属材料1011和半导体材料1012，在电极配线101的长度方向上相互平行地连接。其中，所述金属材料1011可以是普通的铜、铝、金等等可以导电的金属，可以使用半导体装置的电极导线现有材料的任意一种或组合。所述半导体材料1012可以是硅单晶，也可以是多晶硅，还可以是其他的半导体材料。本专利技术不限于此，可以根据实际情况确定具体的金属材料和半导体材料。在本实施例中，所述金属材料的电阻值随着温度的升高而变大，所述半导体材料的电阻值随着温度的升高而降低。通过将在温度上升时的所述金属材料的电阻值上升量和所述半导体材料的电阻值下降量相加，所述电极配线在温度上升时的电阻值变化被减少。例如，在温度上升时，电极配线的电阻值的变化不超过预设值，或者在预定范围之内。图2是本专利技术实施例的电极配线的电阻值随高温而变化的一示意图。在本实施例中，当在低温的情况下，可以由金属材料1011主要流通电流。在温度升高的情况下，如图2所示，金属材料1011的电阻值变大从而不容易流通电流，但半导体材料1012由于共价键电子被转移到传导体等因素的影响，电阻值会变小从而易于流通电流。因此当高温的情况下，可以由半导体材料1012主要流通电流。由此，即使温度发生变化，本专利技术实施例的电极配线的电阻值也不发生改变或者变化较小。由此，电极配线的导电能力不会降低，即使在高温下也不影响半导体装置的使用。在本实施例中，在所述半导体材料和所述金属材料相接的部分还可以形成有金属间化合物层。该金属间化合物层可以是合金层，可以由现有的金属间化合物构成，或者组合现有的合金而构成。由此，可以使得电极配线的导电性能更好。此外，还可以根据需要确定所述金属间化合物层的厚度。例如，所述金属间化合物层的厚度可以在3μm(微米)以下。但本专利技术不限于此，可以根据实际情况确定金属间化合物层的具体构成以及厚度。值得注意的是，图1以半导体材料1012被夹在金属材料1011中而形成的平行连接为例，对本专利技术实施例进行了说明。但本专利技术不限于此，例如半导体材料1012和金属材料1011也可以不平行连接。此外，半导体材料和金属材料的连接可以采用其他方式。图3是本专利技术实施例的电极配线的另一示意图，如图3所示，电极配线301可以呈圆柱形，外层的金属材料3011包覆着内层的半导体材料3012。或者，也可以将内层设置为金属材料而外层设置为半导体材料。此外，金属材料3011和半导体材料3012之间还可以形成有金属间化合物层。图4是本专利技术实施例的电极配线的另一示意图，如图4所示，电极配线401可以呈扁平形，金属材料4011与半导体材料4012并列地平行设置。此外，金属材料40本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有电极配线，所述电极配线构成为金属材料和半导体材料在电流的流通方向上相互平行连接；其中，通过将在温度上升时的所述金属材料的电阻值上升量和所述半导体材料的电阻值下降量相加，所述电极配线在温度上升时的电阻值变化被减少。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有电极配线，所述电极配线构成为金属材料和半导体材料在电流的流通方向上相互平行连接；其中，通过将在温度上升时的所述金属材料的电阻值上升量和所述半导体材料的电阻值下降量相加，所述电极配线在温度上升时的电阻值变化被减少。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体材料和所述金属材料相接的部分形成有金属间化合物层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述金属间化合物层的厚度在3μm以下。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体材料是硅单晶。5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体材料是多晶硅。6.一种半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：森裕一，下山直彦，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP