一种一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。本发明专利技术的目的在于，提供在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的一体型薄膜等。第一本发明专利技术涉及一体型薄膜等。一体型薄膜包括：包含基材和配置在基材上的粘合剂层的切割带；以及，配置在粘合剂层上且用于保护半导体元件背面的背面保护薄膜。第一本发明专利技术中，背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。第二本发明专利技术涉及波长555nm的总透光率为3％以上的一体型薄膜等。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。
技术介绍
近年来，广泛利用在基板上通过倒装芯片接合而安装有半导体芯片等半导体元件的倒装芯片型半导体装置。倒装芯片型的半导体装置中，为了防止半导体元件的损伤等，有时在半导体元件的背面设置背面保护薄膜。通常，为了能够目视识别用激光印刷的标识(以下称为“激光标识”)，背面保护薄膜进行了着色(例如参照专利文献1)。已知将背面保护薄膜与切割带组合而成的一体型薄膜。一体型薄膜具有切割带和配置在切割带上的背面保护薄膜。使用了一体型薄膜的半导体装置的制法中，有时存在将一体型薄膜的背面保护薄膜与半导体晶片粘贴并进行芯片分割的工序。一体型薄膜的背面保护薄膜在俯视时大于半导体晶片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许4762959号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于一体型薄膜的背面保护薄膜大于半导体晶片且进行了着色，因此，将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后难以检测半导体晶片的缺口。第一本专利技术的目的在于，提供在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的一体型薄膜和薄膜。第一本专利技术的目的在于，提供在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。第二本专利技术的目的在于，提供在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的一体型薄膜和薄膜。第二本专利技术的目的在于，提供在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果想到通过使背面保护薄膜小于半导体晶片来防止缺口被隐藏的技术。然而，根据本专利技术人的研究而明确了：在所述技术中，一体型薄膜的位置与切割环的位置的对准以及背面保护薄膜的位置与半导体晶片的位置的对准难以同时进行。其后，本专利技术人发现：通过提高背面保护薄膜的波长555nm的总透光率，在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口，从而完成了第一本专利技术。第一本专利技术涉及一体型薄膜。一体型薄膜包括：包含基材和配置在基材上的粘合剂层的切割带、以及配置在粘合剂层上且用于保护半导体元件背面的背面保护薄膜。背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。通过为3％以上，在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口。需要说明的是，半导体元件优选为倒装芯片。第一本专利技术还涉及薄膜，其包括：隔离膜和配置在隔离膜上的一体型薄膜。第一本专利技术还涉及半导体装置的制造方法，其包括如下工序：准备一体型薄膜的工序、以及将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序。半导体装置的制造方法还可以包括在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序之后，用激光对背面保护薄膜进行印刷的工序。对背面保护薄膜进行印刷的工序包括检测与背面保护薄膜接触的半导体晶片的缺口的步骤。第一本专利技术还涉及保护芯片的制造方法，所述保护芯片包括半导体元件和配置在半导体元件的背面上的保护膜。保护芯片的制造方法包括如下工序：准备一体型薄膜的工序、以及将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序。保护芯片的制造方法还可以包括在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序之后，用激光对背面保护薄膜进行印刷的工序。对背面保护薄膜进行印刷的工序包括检测与背面保护薄膜接触的半导体晶片的缺口的步骤。本专利技术人发现：通过提高一体型薄膜的波长555nm的总透光率，在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口，从而完成了第二本专利技术。第二本专利技术涉及波长555nm的总透光率为3％以上的一体型薄膜。通过为3％以上，在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口。一体型薄膜包括：包含基材和配置在基材上的粘合剂层的切割带、以及配置在粘合剂层上且用于保护半导体元件背面的背面保护薄膜。需要说明的是，半导体元件优选为倒装芯片。第二本专利技术还涉及薄膜，其包括：隔离膜和配置在隔离膜上的一体型薄膜。第二本专利技术还涉及半导体装置的制造方法，其包括如下工序：准备一体型薄膜的工序、以及将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序。半导体装置的制造方法还可以包括在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序之后，用激光对背面保护薄膜进行印刷的工序。对背面保护薄膜进行印刷的工序包括检测与一体型薄膜接触的半导体晶片的缺口的步骤。第二本专利技术还涉及保护芯片的制造方法，所述保护芯片包括半导体元件和配置在半导体元件的背面上的保护膜。保护芯片的制造方法包括如下工序：准备一体型薄膜的工序、以及将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序。保护芯片的制造方法还可以包括在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序之后，用激光对背面保护薄膜进行印刷的工序。对背面保护薄膜进行印刷的工序包括检测与一体型薄膜接触的半导体晶片的缺口的步骤。附图说明图1是薄膜的概略俯视图。图2是薄膜的一部分的概略截面图。图3是半导体装置的制造工序的概略截面图。图4是半导体晶片的概略俯视图。图5是半导体装置的制造工序的概略截面图。图6是半导体装置的制造工序的概略截面图。图7是变形例1中的薄膜的一部分的概略截面图。附图标记说明1 薄膜11 背面保护薄膜12 切割带13 隔离膜71 一体型薄膜121 基材122 粘合剂层122A 接触部122B 周边部4 半导体晶片44 缺口5 保护芯片6 被粘物8 吸附基座41 半导体元件51 凸块61 导电材料具体实施方式以下列举出实施方式来详细说明本专利技术，但本专利技术不仅限定于这些实施方式。[实施方式1](薄膜1)如图1和图2所示那样，薄膜1包括隔离膜13和配置在隔离膜13上的背面保护薄膜11。更具体而言，薄膜1包括隔离膜13和配置在隔离膜13上的一体型薄膜71a、71b、71c、……、71m(以下统称为“一体型薄膜71”。)。一体型薄膜71a与一体型薄膜71b之间的距离、一体型薄膜71b与一体型薄膜71c之间的距离、……一体型薄膜71l与一体型薄膜71m之间的距离是一定的。薄膜1能够呈现卷状。(一体型薄膜71)一体型薄膜71包括切割带12和配置在切割带12上的背面保护薄膜11。切割带12包括基材121和配置在基材121上的粘合剂层122。粘合剂层122包括与背面保护薄膜11接触的接触部122A。粘合剂层122还包括配置在接触部122A的周边的周边部122B。接触部122A利用辐射线而进行了固化。另一方面，周边部122B具有利用辐射线而进行固化的性质。作为辐射线，优选为紫外线。基材121可以用其与粘合剂层122接触的第1主面和位于第1主面对侧的第2主面来定义两个表面。背面保护薄膜11可以用其与粘合剂层122接触的第1面和位于第1面对侧的第2面来定义两个表面。第2面与隔离膜13接触。一体型薄膜71的波长555nm的总透光率为3％以上、优选为5％以上、更优选为7％以上。通过为3％以上，在将一体型薄膜71与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口。一体型薄膜71的波长555nm的总透光率的上限例如为50％、30％、20％。一体型薄膜71的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种一体型薄膜，其包括：包含基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带；以及配置在所述粘合剂层上且用于保护半导体元件的背面的背面保护薄膜，所述背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。
【技术特征摘要】
2015.04.30 JP 2015-0931421.一种一体型薄膜，其包括：包含基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带；以及配置在所述粘合剂层上且用于保护半导体元件的背面的背面保护薄膜，所述背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。2.一种薄膜，其包括：隔离膜、以及配置在所述隔离膜上的权利要求1所述的一体型薄膜。3.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：准备一体型薄膜的工序，所述一体型薄膜包括：包含基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带、以及配置在所述粘合剂层上且用于保护半导体元件的背面的背面保护薄膜，所述背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上；以及将所述一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴的工序。4.一种保护芯片的制造方法，其中，所述保护芯片包括半导体元件和配置在所述半导体元件的背面上的保护膜，所述制造方法包括如下工序：准备一体型薄膜的工序，所述一体型薄膜包括：包含基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带、以及配置在所述粘合剂层上且用于保护半导体元件的背面的背面保护薄膜，所述背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3...
【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，木村龙一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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