一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；在所述衬底上形成所述半导体器件之前，在所述衬底表面形成低氧洁净区，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内。根据本发明专利技术的制造方法，对形成在普通的直拉单晶硅衬底的半导体器件的栅氧质量可靠性有明显改善，可以不用采购价格较贵的经过特殊处理的硅衬底，节约了半导体制造厂的材料成本。通过增加高温吸杂氧化的步骤，加速硅中氧的外扩散，在衬底表面形成一层低氧洁净区，减少了与氧有关的缺陷。另外，吸杂氧化不需要增加额外的设备，可以采用扩散炉管，与生产线工艺兼容。

【技术实现步骤摘要】
201510029289

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；其特征在于：在所述衬底上形成所述半导体器件之前，在所述衬底表面形成低氧洁净区，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；其特征在于：在所述衬底上形成所述半导体器件之前，在所述衬底表面形成低氧洁净区，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：通过对所述衬底进行吸杂氧化工艺以在所述衬底表面形成低氧洁净区。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述吸杂氧化工艺包括在所述衬底表面形成吸杂氧化层以及去除所述吸杂氧化层的步骤。4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述吸杂氧化的温度范围为900～1150℃。5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马春霞，肖魁，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32