OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置，属于OLED领域。所述方法包括：在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽；在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。本发明专利技术通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。

【技术实现步骤摘要】
OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置
本专利技术涉及有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)领域，特别涉及一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置。
技术介绍
OLED器件由于其具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快及可柔性显示等一系列优点，已成为极具竞争力和发展前景的下一代显示器件。研究表明，空气中的水汽和氧气等成分对OLED器件的寿命影响很大。因此，对OLED器件进行有效封装，使OLED器件与大气中的水汽、氧气等成分充分隔离，可以大大延长OLED器件的寿命，从而可以延长包括OLED器件的显示装置的使用寿命。目前，OLED器件的封装多采用薄膜封装(ThinFilmEncapsulation，简称TFE)实现，TFE封装方式会在待封装OLED器件上依次沉积第一层无机薄膜、第二层有机薄膜和第三层无机薄膜，以对OLED器件进行保护。其中，第二层有机薄膜一般采用喷墨打印(inkjetprinting)的方式形成，形成过程中有机材料易发生流动，造成最终成型的第二层有机薄膜边缘不整齐，导致第一层无机薄膜和第三层无机薄膜难以接触融合，使得TFE封装效果差，OLED器件良品率下降。
技术实现思路
为了解决现有TFE成膜方法中第二层有机薄膜边缘不整齐的问题，本专利技术实施例提供了一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置。所述技术方案如下：第一方面，提供一种OLED器件的封装方法，所述方法包括：在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘存在距离；在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜，所述第三层无机薄膜与所述第一层无机薄膜的位于所述第一层无机薄膜的边缘和所述凹槽的边缘之间的部分接触。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，包括：采用干刻蚀工艺刻蚀所述第一层无机薄膜的表面，形成所述凹槽。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜，包括：采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺形成所述第一层无机薄膜。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的形状与所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案的形状相同，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案和所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案均为矩形，且所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的边的长度比所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案对应边的长度小0.01～0.5mm。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述待封装OLED器件包括基板以及设置在所述基板上的OLED发光结构，所述第一层无机薄膜覆盖所述OLED发光结构并与所述基板粘接。第二方面，提供一种OLED封装器件，所述OLED封装器件包括：设于OLED器件上的第一层无机薄膜，所述第一层无机薄膜的表面设有凹槽，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘存在距离，设于所述凹槽内的第二层有机薄膜，以及覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的第三层无机薄膜，所述第三层无机薄膜与所述第一层无机薄膜的位于所述第一层无机薄膜的边缘和所述凹槽的边缘之间的部分接触。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面中任一项所述的OLED封装器件。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种OLED器件的封装方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的另一种OLED器件的封装方法的流程图；图2a是本专利技术实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；图2b是本专利技术实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；图2c是本专利技术实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；图2d是本专利技术实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；图2e是本专利技术实施例提供的另一种OLED器件封装过程中的结构示意程图；图3是本专利技术实施例提供的一种OLED封装器件的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种OLED器件的封装方法的流程图，参见图1，该方法包括：步骤101：在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜。步骤102：在第一层无机薄膜的表面形成凹槽。步骤103：在凹槽内形成第二层有机薄膜。步骤104：以覆盖第一层无机薄膜和第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。本专利技术实施例通过在第一层无机薄膜上形成一个凹槽，第二层有机薄膜形成在该凹槽内，在第二层有机薄膜形成的过程中，凹槽四周的无机薄膜作为第二层有机薄膜的挡墙，使得有机材料流动被挡墙挡住，从而保证第二层有机薄膜边缘形貌保持平齐，保证封装效果；另外此种设计使第一层无机薄膜和第三层无机薄膜充分接触，保证了两膜层的融合性，进一步保证封装强度和效果。图2是本专利技术实施例提供的另一种OLED器件的封装方法的流程图，参见图2，该方法包括：步骤201：采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜。如图2a所示，在一种可能的实现方式中，待封装OLED器件20包括基板20a以及设置在基板20a上的OLED发光结构20b，第一层无机薄膜21覆盖OLED发光结构20b并与基板20a粘接。其中，基板20a包括但不限于由衬底基板和设于衬底基板上的薄膜晶体管等膜层组成，衬底基板可以是玻璃基板等。OLED发光结构20b包括但不限于由阳极层、阴极层、有机功能层等膜层组成。其中，第一层无机薄膜21包括但不限于SiNx或SiON等膜层，第一层无机薄膜21的膜层厚度a(未形成凹槽时)可以为0.6～1.8μm，第一层无机薄膜21包裹OLED发光结构20b的侧边的厚度b为0.1-1μm。步骤2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件的封装方法，其特征在于，所述方法包括：在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽；在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，所述方法包括：在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘存在距离；在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜，所述第三层无机薄膜与所述第一层无机薄膜的位于所述第一层无机薄膜的边缘和所述凹槽的边缘之间的部分接触。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，包括：采用干刻蚀工艺刻蚀所述第一层无机薄膜的表面，形成所述凹槽。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜，包括：采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺形成所述第一层无机薄膜。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的形状与所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案的形状相同，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案和所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案均为矩形，且所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的边的长度比所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案对应边的长度小0.01～0.5mm。5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔富毅，陈旭，孙泉钦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11