OLED器件发光层形成方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED器件发光层形成方法，其包括：提供设有若干第一子像素开口、第二子像素开口及第三子像素开口的玻璃基板；提供设有若干第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部的磁板；将磁板与玻璃基板贴合，若干第一至第三子像素开口朝下并分别与若干第一至第三磁化部对应；利用通电充磁头对若干第一磁化部和第二磁化部进行磁化，使得若干第一及第二子像素开口内沉积磁粉；采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；移除位于第一及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。上述方法不再需要精细金属掩模作为辅助工具将发光层真空蒸镀至像素开口内上，克服了精细金属掩模制作难度高及成本高的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电显示
，具体涉及一种0LED器件发光层形成方法。
技术介绍
0LED器件是一种新型的显示器件，其具有很多优异的显示性能，目前发展很快。0LED的基本结构通常包括玻璃基板及形成于玻璃基板上的ΙΤ0即氧化铟锡阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极等。同时，外部电源的正极与ITP阳极相连，外部电源的负极与金属阴极相连，当外部电源供应至适当电压时，阳极空穴与阴极电子就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。发光层的厚度很薄，一般为几十纳米左右。目前0LED器件的发光层普遍采用真空蒸镀技术来制得，发光层可以以红光发射层R、绿光发射层G或蓝光发射层B的形式形成，在发光层的制备过程中，需要使用精细金属掩模(Fine Metal Mask, FMM)分别单独沉积红光发射层R、绿光发射层G或蓝光发射层B。由于0LED器件对于分辨率的要求越来越高，从而使得像素密度也越来越高，每个像素单元所占面积也越来越小，因此对于精细金属掩模的结构要求越来越大。然而，受到精细金属掩模加工难度大、成本高的限制，使得目前精细金属掩模无法应用于高分辨率0LED器件内发光层的制备。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述问题，提供一种0LED器件发光层形成方法，该方法可以容易实现不同颜色发光层的依次沉积。为实现上述目的，本专利技术提供一种0LED器件发光层形成方法，其包括以下步骤:提供玻璃基板，所述玻璃基板上设有若干第一子像素开口、若干第二子像素开口及若干第三子像素开口；提供磁板，所述第一磁板内设有与若干第一子像素开口对应的若干第一磁化部、与若干第二子像素开口对应的若干第二磁化部及与若干第三子像素开口对应的若干第三磁化部；将所述磁板与所述玻璃基板贴合，所述若干第一子像素开口、第二子像素开口及第三子像素开口朝下并分别与若干第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部在上下方向上对应；利用通电的充磁头对所述若干第一磁化部和若干第二磁化部进行磁化，并通过所述若干第一磁化部和若干第二磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第二子像素开口内沉积磁粉；采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。进一步的，所述方法还包括:利用通电的充磁头对所述若干第一磁化部和若干第三磁化部进行磁化，并通过所述若干第一磁化部和若干第三磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第三子像素开口内沉积磁粉；采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第二子像素开口对应的第二发光层；移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第三发光层；进一步的，所述方法还包括:利用通电的充磁头对所述若干第二磁化部和若干第三磁化部进行磁化，并通过所述若干第二磁化部和若干第二磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第二子像素开口内沉积磁粉；采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。 进一步的，所述第一发光层、第二发光层及第三发光层为不同颜色的发光层。进一步的，所述充磁头置于所述第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部外，所述磁板为永磁矩阵板。进一步的，所述充磁头置于所述第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部内，所述磁板为电磁矩阵板，所述磁板内还设有连接充磁头的导线。进一步的，所述移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层，具体包括:充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。进一步的，所述移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第二发光层，具体包括:充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第二发光层。进一步的，所述移除位于第二子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第一发光层，具体包括:充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第二子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第一发光层。相对于现有技术，本专利技术实施例中，利用磁板，可以在第一子像素开口及第二子像素开口位置沉积磁粉，然后蒸镀未沉积磁粉的第三子像素开口需要对应沉积的第三发光层，然后移除沉积于第一子像素开口及第二子像素开口位置内的磁粉及发光层，第三发光层则在第三子像素开口内完成沉积。相对于现有技术，该0LED器件内的发光层的形成不再需要精细金属掩模作为辅助工具将发光层真空蒸镀至像素开口内上，克服了精细金属掩模制作难度高及成本高的问题。【附图说明】此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为在实现本专利技术较佳实施例的0LED器件发光层形成方法过程中所使用的第一磁板或第二磁板未与玻璃基板贴合的立体示意图；图2为第一磁板的剖面示意图；图3为第一磁板与玻璃基板贴合的的剖面示意图；图4为图3内所示玻璃基板的两个子像素开口内具有磁粉的示意图；图5为图4内所示玻璃基板的三个子像素开口内具有发光层的示意图；图6为图5内所不的玻璃基板的两个子像素开口内不具有磁粉及发光层，一个子像素开口内具有发光层的示意图；图7为第二磁板的剖面示意图；图8为第二磁板与玻璃基板贴合的的剖面示意图；图9为图8内所示玻璃基板的两个子像素开口内具有磁粉的示意图；图10为图9内所示玻璃基板的三个子像素开口内具有发光层的示意图；图11为图10内所示的玻璃基板的两个子像素开口内不具有磁粉及发光层，一个子像素开口内具有发光层的示意图；图12为本专利技术较佳实施例的一种0LED器件发光层形成方法的流程图；图13为本专利技术较佳实施例的另一种0LED器件发光层形成方法的流程图。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件发光层形成方法，其包括以下步骤：提供玻璃基板，所述玻璃基板上设有若干第一子像素开口、若干第二子像素开口及若干第三子像素开口；提供磁板，所述第一磁板内设有与若干第一子像素开口对应的若干第一磁化部、与若干第二子像素开口对应的若干第二磁化部及与若干第三子像素开口对应的若干第三磁化部；将所述磁板与所述玻璃基板贴合，所述若干第一子像素开口、第二子像素开口及第三子像素开口朝下并分别与若干第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部在上下方向上对应；利用通电的充磁头对所述若干第一磁化部和若干第二磁化部进行磁化，并通过所述若干第一磁化部和若干第二磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第二子像素开口内沉积磁粉；采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕兆辉，邱林林，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32