【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低应力多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步骤：S1：确定需要制备的低应力多晶硅薄膜的应力值；S2：根据所需应力值计算得出成膜温度和退火温度，其中，所述成膜温度为正应力成膜温度或负应力成膜温度，所述退火温度为正应力退火温度或负应力退火温度；S3：在成膜温度的条件下，淀积多晶硅；S4：在退火温度的条件下，对步骤S3中的多晶硅进行退火处理以所需要的得到低应力多晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李琳松，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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