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本发明涉及一种半导体薄膜材料的制作方法，尤其是一种低应力多晶硅薄膜的制作方法，属于半导体领域，该低应力多晶硅薄膜的制作方法通过先确定需要制备的低应力多晶硅薄膜的应力值，然后计算得出成膜温度和退火温度，最后通过分别在成膜温度和退火温度条件下进...
该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。

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