电子器件制造技术

技术编号:11225977 阅读:110 留言:0更新日期:2015-03-27 23:46
一种电子器件,包括衬底晶片,该衬底晶片由许多绝缘材料层制成并且包括电连接网络。集成电路芯片被安装至衬底晶片的顶侧。衬底晶片还包括金属板,该金属板被集成到衬底晶片中并且热耦合至集成电路芯片。金属板可以具有超过衬底晶片的若干层的厚度。金属板可以包括导热流体通过其流动的导管。

【技术实现步骤摘要】
电子器件
[0001 ] 本申请涉及微电子领域。
技术介绍
制作包括一个堆叠在另一个上面并且电连接在一起的电子器件的电子系统是已知的,该电子器件分别包括至少一个集成电路芯片。 堆叠的电子器件尤其具有改进电连接的性能以及减小覆盖面积的优点。然而,在特定情况下,集成电路芯片可以产生热,并且所产生的热可以使其它集成电路芯片变热,并且因此使其它集成电路芯片的性能退化。这尤其是当第一电子器件包括处理器芯片并且堆叠在第一电子器件上的第二电子器件包括存储器芯片时的情况,该处理器芯片产生热,该存储器芯片的操作在其温度增加时尤其退化。 上述情况成为提高所述电子系统的性能的障碍,诸如尤其是其运行程序的速度。然而,当前在所述电子系统所需的性能和它们的覆盖面积之间进行折中的情况并不令人满意,尤其是在手持设备(诸如移动电话)领域。
技术实现思路
本公开旨在解决当前在电子系统所需的性能和它们的覆盖面积之间进行折中的情况并不令人满意的问题。 根据本公开的一个方面,提供了一种电子器件,包括:衬底晶片,由绝缘材料制成并且包括电连接网络;至少一个集成电路芯片,被安装在所述衬底晶片的一侧;以及至少一个金属板,被集成到所述衬底晶片中。 优选地,所述电子器件还包括: 多个中介金属元件,被配置用于将所述集成电路芯片安装到所述衬底晶片; 多个外部金属元件,被安装在所述衬底晶片的相对侧; 其中所述中介金属元件包括:第一中介金属元件,将所述集成电路芯片连接至所述电连接网络;以及第二中介金属元件,将所述集成电路芯片连接至所述金属板;以及 其中所述外部金属元件包括连接至所述电连接网络的第一金属元件和连接至所述金属板的第二外部金属元件。 优选地,所述金属板被定位在所述电连接网络的中介金属层之间。 优选地,所述金属板通过金属过孔连接至所述第二中介金属元件。 优选地,所述金属板通过金属过孔连接至所述第二外部金属元件。 优选地,所述金属板包括突出部,所述第二中介金属元件被放置在所述突出部上。 优选地,所述金属板包括突出部,所述第二外部金属元件被放置在所述突出部上。 优选地,所述金属板包含填充有导热材料的至少一个内部导管。 优选地,所述衬底晶片包含连接至所述金属板的所述内部导管的导管,所述导管被配置用于连接至外部装置以用于形成通过所述导管和所述内部导管的流体流动。 优选地,所述衬底晶片包括多个层并且其中所述金属板具有比多个所述层更厚的厚度。 优选地,所述电子器件还包括另一衬底晶片,所述另一衬底晶片具有另一电连接网络,所述另一电连接网络连接至所述电连接网络并且包括连接至所述另一电连接网络的至少一个其它集成电路芯片。 优选地,所述电子器件还包括印刷电路板,所述衬底晶片使用外部金属元件被安装到所述印刷电路板。 根据本公开的另一方面,提供了一种电子器件,包括: 集成电路芯片,具有第一接触; 衬底晶片,由多个层制成并且具有顶表面和底表面,所述顶表面具有顶部接触焊盘,所述底表面具有底部接触焊盘; 其中所述集成电路芯片被安装至所述衬底晶片,其中所述第一接触连接至所述顶部接触焊盘;以及 所述衬底晶片还包括金属板,所述金属板被嵌入在所述衬底晶片内并且厚度大于多个所述层的厚度; 其中所述金属板热连接至所述集成电路芯片。 优选地,所嵌入的金属板的厚度至少等于衬底晶片的厚度。 优选地,所嵌入的金属板还包括突出部,所述突出部延伸通过所述衬底晶片的层以到达所述衬底晶片的所述顶表面。 优选地,所嵌入的金属板还包括突出部,所述突出部延伸通过所述衬底晶片的层以到达所述衬底晶片的所述底表面。 根据本公开的又一方面,提供了一种电子器件,包括: 集成电路芯片,具有第一接触; 衬底晶片,由多个层制成并且具有顶表面和底表面,所述顶表面具有顶部接触焊盘,所述底表面具有底部接触焊盘; 其中所述集成电路芯片被安装至所述衬底晶片,其中所述第一接触连接至所述顶部接触焊盘;以及 所述衬底晶片还包括金属板,所述金属板被嵌入在所述衬底晶片内; 所述金属板包括填充有导热材料的内部导管; 其中所述金属板热连接至所述集成电路芯片。 优选地,所述衬底晶片还包括延伸通过所述衬底晶片并且与所述金属板的所述内部导管流体连通的导管。 优选地,延伸通过所述衬底晶片的所述导管被配置用于连接至外部装置以用于形成通过所述导管和所述内部导管的导热流体流动。 在本公开的电子器件中,金属板形成用于捕获至少一些由芯片产生的热的装置以及用于将热从芯片传送掉的装置,芯片被保护以免其温度的任何过度增加。 【附图说明】 现在将借由非限制性示例来描述根据本技术的特定实施例的电子器件和电子系统,这些器件和系统由附图图示出,在附图中: 图1示出了电子器件的截面; 图2示出了包括图1中的电子器件的电子系统的截面; 图3示出了图1中的电子器件的变型实施例;以及 图4示出了图1中的电子器件的另一变型实施例。 【具体实施方式】 如图1中所示,电子器件I包括:衬底晶片2,衬底晶片2配备有集成的金属电连接网络3,金属电连接网络3将一侧连接至另一侧;被放置在衬底晶片2 —侧的集成电路芯片4 ;多个中介金属电连接元件5,诸如柱;以及多个外部金属电连接元件6,诸如凸块,被放置在衬底晶片2的任一侧上。 在所示的示例中,集成的电连接网络3从衬底晶片的顶部起包括平行于衬底晶片2的侧部的六个分离的金属层Ml、M2、M3、M4、M5和M6,这些层分别包括由层间金属电连接过孔选择性地连接的金属焊盘。 此外,电子器件I包括至少一个金属板7,至少一个金属板7被集成或并入到衬底晶片2中并且与金属电连接网络3分离。 在所示的示例中,金属板7的厚度使得其占据在中介金属层M2和M5之间包括的厚度。 多个中介金属元件5包括第一中介金属元件5a,第一中介金属元件5a连接芯片4与电连接网络3并且被插入在芯片4的金属焊盘与这一电连接网络3的金属层Ml的金属焊盘8a之间。 多个中介金属元件5也包括第二中介金属元件5b,第二中介金属元件5b被插入在芯片4与电连接网络3的金属层Ml的金属焊盘Sb之间。 在金属层M2中,金属焊盘9b被布置在金属板7的对应侧7a上。 金属过孔1b被布置在金属层Ml的金属焊盘8b与金属层M2的金属焊盘9b之间。 多个外部金属元件6包括第一外部金属元件6a,第一外部金属元件6a被放置在电连接网络3的金属层M6的金属焊盘Ila上。 多个外部金属元件6还包括第二外部金属元件6b,第二外部金属元件6b被放置在电连接网络3的金属层M6的金属焊盘Ilb上。 在金属层M5中,金属焊盘12b被布置在金属板7的对应侧7b上。 金属过孔13b被布置在金属焊盘12b与金属层M6的金属焊盘Ilb之间。 根据一个实施例,集成电路芯片4(其可以是处理器芯片)可以生成热。该热中的至少一些可以优选地借由第二中介金属元件5b、金属焊盘8b、金属过孔1b和金属焊盘9b被传送至金属板7,金属板7被集成到衬底晶片2中。 因此,被集成的或并入的金属板7,由于其相对大的体积而用作热沉或热泵,并且形成热传送装置,以这样的方式芯片4被冷却。 因此,该热中的至少一些可以被传送至第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件,其特征在于,包括:衬底晶片,由绝缘材料制成并且包括电连接网络;至少一个集成电路芯片,被安装在所述衬底晶片的一侧;以及至少一个金属板,被集成到所述衬底晶片中。

【技术特征摘要】
2013.10.15 FR 13600071.一种电子器件,其特征在于,包括: 衬底晶片,由绝缘材料制成并且包括电连接网络; 至少一个集成电路芯片,被安装在所述衬底晶片的一侧;以及 至少一个金属板,被集成到所述衬底晶片中。2.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,还包括: 多个中介金属元件,被配置用于将所述集成电路芯片安装到所述衬底晶片; 多个外部金属元件,被安装在所述衬底晶片的相对侧; 其中所述中介金属元件包括:第一中介金属元件,将所述集成电路芯片连接至所述电连接网络;以及第二中介金属元件,将所述集成电路芯片连接至所述金属板;以及 其中所述外部金属元件包括连接至所述电连接网络的第一金属元件和连接至所述金属板的第二外部金属元件。3.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述金属板被定位在所述电连接网络的中介金属层之间。4.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述金属板通过金属过孔连接至所述第二中介金属兀件。5.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述金属板通过金属过孔连接至所述第二外部金属元件。6.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述金属板包括突出部,所述第二中介金属元件被放置在所述突出部上。7.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述金属板包括突出部,所述第二外部金属元件被放置在所述突出部上。8.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述金属板包含填充有导热材料的至少一个内部导管。9.根据权利要求8所述的电子器件,其特征在于,所述衬底晶片包含连接至所述金属板的所述内部导管的导管,所述导管被配置用于连接至外部装置以用于形成通过所述导管和所述内部导管的流体流动。10.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述衬底晶片包括多个层并且其中所述金属板具有比多个所述层更厚的厚度。11.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,还包括另一衬底晶片,所述另一衬底晶片具有另一电连接网络,所述另...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·考洛姆布
申请(专利权)人:意法半导体格勒诺布尔二公司
类型:新型
国别省市:法国;FR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1