本发明涉及一种封装半导体的方法，特别涉及一种以晶圆等级封装方法来封装半导体装置的封装半导体的方法。根据本发明的实施方案的封装半导体的方法包含步骤：准备包含多个半导体装置的一晶圆；借助使用以独立于该晶圆的方式提供的一遮罩件在该晶圆上形成一...

本发明涉及一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：包括钙钛矿化合物的光吸收层；和具有设置在所述光吸收层的一个表面和另一表面中的至少一个表面上的导电电荷传输层的钙钛矿太阳能电池，其中，光吸收层的所述一个表面设置为比光吸...

本公开涉及一种制造串联太阳能电池的方法，该方法包括：在基板上制备包括第一导电电荷传输层、光吸收层和第二导电电荷传输层的钙钛矿太阳能电池的步骤；在钙钛矿太阳能电池中形成分隔部以形成第一钙钛矿单元太阳能电池和第二钙钛矿单元太阳能电池的步骤；...

本发明关于一种用于基板处理装置的气体供应装置，其包括连接于第一气体喷射部的第一供应管路、连接于所述第一供应管路的多个第一气体供应机构、用于测量所述第一供应管路的第一压力的第一测量机构、连接于第二气体喷射部的第二供应管路、连接于所述第二供...

本发明关于一种基板处理方法，特别系一种用于移除形成在基板上的氧化物膜的基板处理方法。根据一示例性实施例，处理被装载至腔体中的基板的基板处理方法包含：将含氮气体供应至设置于腔体之外的等离子体产生器之内部空间、在内部空间中激发含氮气体、将含...

本发明涉及一种基板处理设备，包括：处理腔体、设置在处理腔体的顶部的第一电极、设置在第一电极之下的第二电极，第二电极包括多个开口、从第一电极延伸且延伸到第二电极的多个开口的多个凸出电极，以及相对于第二电极的基板支撑单元，基板支撑单元支撑基...

本发明涉及一种基板处理设备，包括：处理腔体、设置在处理腔体的顶部的第一电极、设置在第一电极之下的第二电极，第二电极包括多个开口、从第一电极延伸且延伸到第二电极的多个开口的多个凸出电极，以及相对于第二电极的基板支撑单元，基板支撑单元支撑基...

一种基板处理设备，包括：具有侧壁的腔室；在腔室内安装基板的基座；覆盖腔室上表面并由透明介电材料形成的上穹顶；以及设置在上穹顶上以产生感应耦合等离子体的天线。天线包括两个单匝单元天线，两个单匝单元天线各具有上表面和下表面，并且设置成在两个...

一种基板处理设备，包括：具有侧壁的腔室；在腔室内安装基板的基座；覆盖腔室上表面并由透明介电材料形成的上穹顶；以及设置在上穹顶上以产生感应耦合等离子体的天线。天线包括两个单匝单元天线，两个单匝单元天线各具有上表面和下表面，并且设置成在两个...

本发明涉及一种基板处理设备，包括：腔体、支撑腔体的上部的腔体盖、相对腔体盖安装以支撑基板的基座、喷射多种气体的气体喷射器，以及安装于腔体盖中的下垂防止栓。下垂防止栓能够与气体喷射器结合。下垂防止栓包括能供多种气体流动的多条路径。气体流动...

本发明涉及一种基板处理设备，特别涉及一种在基板上沉积薄膜的基板处理设备。根据示例性实施例的基板处理设备包含多个来源气体供应单元、一气体混合单元以及一腔体。来源气体供应单元用以分别供应多个来源气体。来源气体的至少其中一者包含3

本发明提供一种使用气体分配单元的气体供应方法，气体分配单元包括分别安装在多个气体供应通道上的多个气体流速控制设备，并配置为单独地控制通过各个气体供应通道供应的处理气体的流速，并且不同地调整通过各个气体供应通道供应的处理气体的气体供应时间...

本发明关于一种薄膜形成方法，特别是用于形成钨薄膜的薄膜形成方法。根据一示例性实施例，薄膜形成方法包含将一还原气体供应至位于一反应空间中的一基板上、施加一电源以在反应空间中产生电浆，以及将一含钨气体供应到基板上，且含钨气体的供应是在供应还...

本发明相关于一种用于基板处理设备的阻断阀以及基板处理设备，阻断阀包含阀单元、驱动器以及阻断本体。阀单元包含会收缩及伸出的开启/关闭单元。驱动器驱动开启/关闭单元。阻断本体包含容置单元，且开启/关闭单元容置于容置单元中。阻断本体包含连接于...

本发明涉及基板处理方法，其在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在基板上进行处理工艺。所述基板处理方法包含：在由支撑单元支撑的基板设置于第一处理区域中时，在第一处理区域中在基板上进行第一处理工艺的步骤；在完成第一处理工艺时，使支...

本发明为一种基板处理方法，在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在由支撑单元支撑的基板上进行处理步骤，所述基板处理方法包含：将第一气体以及第一清除气体喷射在第一处理区域中的步骤；以及依序将第二清除气体以及第二气体喷射在第二处理区...

一种基板处理装置，包括：处理腔室，提供在所述处理腔室中的反应空间，并且包括基板进入或离开通过的基板入口；基座，设置在所述处理腔室的内部并且支撑所述基板；气体注射器，设置在相对表面上，以朝所述基板注射气体；阀，打开和关闭所述基板入口；以及...

本发明关于一种基板处理设备，包含：腔体、基板支撑部、顶电极以及底电极。基板支撑部于腔体中支撑一或多个基板。顶电极设置于基板支撑部之上并与基板支撑部对向设置。底电极设置于顶电极之下并与顶电极分离。底电极可包含第一电极以及第二电极。具有第一...

本发明公开了一种基板处理设备及废气处理方法。在根据本发明的基板处理设备和废气处理方法中，废气分解模块可以分解从处理室排出的源气体以分解源气体的配体。此外，配体和配体已被分解的源气体通过与分别供给的O2、N2O或O3反应，可以处于稳定状态...

本发明提供了一种基板处理设备及方法，其可以在薄膜沉积于基板上之后有效地清理其中累积有副产物的腔体。此外，本发明提供了一种基板处理设备及方法，其可以在进行有机金属化学气相沉积之后有效地清理包含累积在腔体内部的金属的副产物。部的金属的副产物...