基板处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种基板处理设备，特别涉及一种在基板上沉积薄膜的基板处理设备。根据示例性实施例的基板处理设备包含多个来源气体供应单元、一气体混合单元以及一腔体。来源气体供应单元用以分别供应多个来源气体。来源气体的至少其中一者包含3

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理设备


[0001]本专利技术涉及一种基板处理设备，特别涉及一种于基板上沉积金属氧化物薄膜的基板处理设备。

技术介绍

[0002]因为如有机金属氧化物薄膜的金属氧化物薄膜具有低功率以及高迁移率(mobility)的优异特性，所以金属氧化物薄膜会在半导体装置、显示设备或太阳能电池中作为形成在基板上的保护层、透明导电层或半导体层使用。
[0003]金属氧化物薄膜可由掺杂有铟(In)及镓(Ga)其中至少一者的锌(Zn)氧化物制成，如铟锌氧化物(IZO)、镓锌氧化物(GZO)及铟镓锌氧化物(IGZO)。金属氧化物薄膜可根据铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成比例而具有各种特性。
[0004]通常，金属氧化物薄膜是藉由使用铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)以预设组成混合的靶材(target)而于溅镀沉积方法中沉积在基板上。然而，在此溅镀金属氧化物薄膜的组成比例直接取决于靶材的组成比例，所以可替换靶材本身以改变金属氧化物薄膜的组成比例。并且，在使用溅镀方法的情况中，即使在溅镀制程的一开始展现出优异的薄膜特性，金属氧化物薄膜的特性仍会因靶材的组成随着薄膜沉积的次数增加而无意间被改变。因此，溅镀制程具有需要经常替换靶材的缺点而导致生产率降低以及成本上升的问题。
[0005](相关技术文件)
[0006](专利文件1)KR10
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2009
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0117543A

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]本专利技术提供一种基板处理设备，其能藉由使用化学气相沉积方法在基板上沉积金属氧化物薄膜。
[0009]本专利技术也提供一种基板处理设备，其能轻易控制金属氧化物薄膜的组成比例。
[0010]技术手段
[0011]根据一示例性实施例，基板处理设备包含多个来源气体供应单元、一气体混合单元以及一腔体。来源气体供应单元用以分别供应多个来源气体。来源气体的至少其中一者包含3
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二甲基胺基丙基二甲基铟(3
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Dimethylaminopropyl Dimethyl indium，DADI)。气体混合单元连接于各来源气体供应单元并具有一内部空间。各来源气体于内部空间中以低于各来源气体的一供应速度的一通过速度移动。腔体连接于气体混合单元并具有一反应空间。于内部空间中混合的来源气体被供应至反应空间。
[0012]这些来源气体供应单元可包含用于产生这些来源气体的多个来源材料分别以液态形式储存于其中的多个来源储存槽，以及用于形成分别连接这些来源储存槽以及气体混合单元的多个流动路径的多个来源气体管，且内部空间的截面积可交错于来源气体的通过方向且大于来源气体管中分别形成的流动路径的截面积的总和。
[0013]基板处理设备可更包含用以形成用以连接气体混合单元以及腔体的一流动路径的一混合气体管，且混合气体管中形成的流动路径的截面积可小于交错于该多个来源气体的该通过方向的内部空间的截面积。
[0014]形成于混合气体管中的流动路径的截面积可大于分别形成于来源气体管中的流动路径的截面积的总和。
[0015]内部空间的体积可大于每小时从来源气体供应单元供应的来源气体的最大体积。
[0016]来源气体供应单元可更包含用以为各来源储存槽供应一载体气体的多个载体气体供应源，且基板处理设备可更包含用以调整从载体气体供应源供应的各载体气体的供应量的一控制单元。
[0017]控制单元可以正比于在内部空间中混合的来源气体的混合比例的方式调整各载体气体的供应量。
[0018]这些来源储存槽可包含用以储存包含3
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二甲基胺基丙基二甲基铟的来源材料的第一来源储存槽、用以储存包含三甲基镓(trimethylgallium，TMG)及三乙基镓(triethylgallium，TEG)中的至少一者的来源材料的第二来源储存槽，以及用以储存包含二乙基锌(DEG)及二甲基锌(DMZ)中的至少一者的来源材料的第三来源储存槽。
[0019]这些来源气体供应单元可更包含分别用以加热来源储存槽的多个来源储存槽加热器，且控制单元可控制这些来源储存槽加热器而使得这些来源储存槽维持在不同的温度。
[0020]基板处理设备可更包含用以加热混合气体管的一混合气体管加热器，且控制单元可控制混合气体管加热器而使得混合气体管的温度维持在介于摄氏30度及摄氏150度之间的范围内。
[0021]有利功效
[0022]根据示例性一实施例，用于沉积氧化物薄膜的这些来源气体可混合且均匀地被供应至基板上。
[0023]并且，可根据所需的特性轻易改变沉积于基板上的氧化物薄膜的组成方式。
[0024]虽然藉由使用特定的用语描述及说明特定的实施例，但这些用语仅为用于清楚解释实施例的示例，因此对本领域普通技术人员来说显而易见的是，实施例及技术用语可用其他特定形式表示且可在不改变技术思想以及必要特征的情况下进行改变。因此，应理解的是，根据本专利技术的实施例的简单改变也属于本专利技术的技术精神。
附图说明
[0025]图1为绘示根据一示例性实施例的基板处理设备的示意图。
[0026]图2为根据一示例性实施例绘示来源气体移动而通过气体混合单元的状态的图。
[0027]图3为根据一示例性实施例绘示沿某一个方向观看气体混合单元的状态的图。
[0028]图4为根据一示例性实施例绘示电浆形成于反应空间中的状态的图。
具体实施方式
[0029]以下，将参照相关附图详细说明本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可用不同的形式实施且不应被解释为以于此阐述的实施例为限。这些实施例反而是被提供而使得本发
明能被透彻及完整地理解，且将完整地传达本专利技术的范围给本领域普通技术人员。于附图中，为了清楚说明，层体及区域的厚度被夸大。于附图中，通篇相似的标号指相似的组件。
[0030]图1为绘示根据一示例性实施例的基板处理设备的示意图。并且，图2为根据一示例性实施例绘示来源材料气体移动而通过气体混合单元的状态的图，且图3为根据一示例性实施例绘示沿某一个方向观看气体混合单元的状态的图。
[0031]请参阅图1至图3，根据一示例性实施例的用于处理基板的设备(以下也可称为基板处理设备)包含多个来源气体供应单元100a、100b、100c、气体混合单元200以及腔体400。来源气体供应单元100a、100b、100c用于分别供应多个来源气体，这些来源气体的至少一者包含3
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二甲基胺基丙基二甲基铟(3
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Dimethylaminopropyl Dimethyl indium，DADI)。气体混合单元200连接于各个来源气体供应单元100a、100b、100c且具有内部空间I以具有比供应这些来源气体的供应速度还慢的通过速度。腔体400连接于气体混合单元200并具有反应空间，且于内部空间I中混合的来源气体被供应至反应空间。
[0032]根据一示例性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理基板的设备，包含：多个来源气体供应单元，用以分别供应多个来源气体，该多个来源气体的至少其中一者包含3
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二甲基胺基丙基二甲基铟(3
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DimethylaminopropylDimethylindium，DADI)；一气体混合单元，连接于各该来源气体供应单元并具有一内部空间，各该来源气体于该内部空间中以低于各该来源气体的一供应速度的一通过速度移动；以及一腔体，连接于该气体混合单元并具有一反应空间，于该内部空间中混合的该多个来源气体被供应至该反应空间。2.如权利要求1所述的设备，其中该多个来源气体供应单元包含：多个来源储存槽，用于产生该多个来源气体的多个来源材料分别以液态形式储存于该多个来源储存槽中；以及多个来源气体管，用于形成分别连接该多个来源储存槽以及该气体混合单元的多个流动路径，其中，该内部空间的截面积交错于该多个来源气体的一通过方向且大于该多个来源气体管中分别形成的该多个流动路径的截面积的总和。3.如权利要求2所述的设备，更包含用以形成用以连接该气体混合单元以及该腔体的一流动路径的一混合气体管，其中该混合气体管中形成的该流动路径的截面积小于交错于该多个来源气体的该通过方向的该内部空间的的截面积。4.如权利要求3所述的设备，其中形成于该混合气体管中的该流动路径的截面积大于分别形成于该多个来源气体管中的该多个流动路径的截面积的总和。5.如权利要求1所述的设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金德镐，具泫淏，马彰秀，朴爱贞，李相斗，蔡敏锡，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：