一种等离子体增强原子层沉积成膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种等离子体增强原子层沉积成膜装置，涉及等离子体发生装置技术领域，包括真空腔室、反应腔室以及工艺腔室，工艺腔室置于真空腔室内；反应腔室内置有线圈，该反应腔室的侧壁上设有多个进气口，且各进气口通过气体分流器控制进气比例；反应腔室相对所述侧壁的另一端为敞口，该敞口置于真空腔室内，并与工艺腔室连通；工艺腔室设有与反应腔室连接的进气端以及与真空泵连通的排气端，以使反应腔室内的等离子体源流向工艺腔室；工艺腔室内置有支架，所述支架上设有若干个用以放置待加工基片的放置层，各放置层的布设方向与等离子体源的流动方向平行，以确保各层基片与等离子体源均匀接触，从而提高各基片间的均一性以及工艺稳定性。性以及工艺稳定性。性以及工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体增强原子层沉积成膜装置


[0001]本技术涉及等离子体发生装置
，具体而言，涉及一种等离子体增强原子层沉积成膜装置。

技术介绍

[0002]等离子体增强原子层沉积(plasma enhanced atomic layer deposition)简称PEALD,等离子增强原子层沉积(PEALD)技术除具有传统热原子层沉积的成膜均匀性好、保型性高等诸多优点之外，还具有沉积温度更低，成膜种类更广泛，工艺控制灵活等优点。PEALD技术广泛应用于半导体集成电路中晶体管栅极介电层(high
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k)和金属栅电极、集成电路互连线扩散阻挡层、OLED平板显示器、光电子材料和器件、DRAM介电层、器件表面处理等，PEALD已成为先进微纳米薄膜制备过程中不可或缺的一种重要技术。但是，当前的等离子增强原子层沉积技术还存在着沉积过程中气场分布不够均匀，导致沉积在晶圆上的原子层厚度不一；且现有技术中通常采用远程等离子体源，等离子体中活性自由基浓度的稳定性及自由基分布不易控制，导致各基片间沉积效果存在差异，影响片间的均一性及工艺的稳定性。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体增强原子层沉积成膜装置，包括真空腔室、反应腔室以及工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室置于所述真空腔室内，所述反应腔室内置有线圈，所述反应腔室的侧壁上设有多个进气口，且各所述进气口通过气体分流器控制进气比例；所述反应腔室相对所述侧壁的另一端为敞口，该敞口置于所述真空腔室内，并与所述工艺腔室连通；所述工艺腔室设有与所述反应腔室连接的进气端以及与真空泵连通的排气端，使得所述反应腔室内的等离子体源流向所述工艺腔室；所述工艺腔室内置有支架，所述支架上设有若干个用以放置待加工基片的放置层，各所述放置层的布设方向与所述等离子体源的流动方向平行，以使各层基片与等离子体源均匀接触。2.根据权利要求1所述的等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于，所述反应腔室设有两个敞口，对应与两个所述工艺腔室连接，且两所述工艺腔室沿所述反应腔室的中心对称...

【专利技术属性】
技术研发人员：明自强，赵茂生，王韫宇，田玉峰，
申请(专利权)人：厦门韫茂科技有限公司，
类型：新型
国别省市：