本发明专利技术涉及一种喷淋板及处理装置，喷淋板包括板体，板体内形成有气体分配系统。气体分配系统包括主进气通道、过渡通道及喷淋通道。工艺气体先由主进气通道进入板体的内部，再经过过渡通道中转后进入喷淋通道，最终由喷淋孔从出气面导入处理腔体内。过渡通道能够起到缓冲作用，避免喷淋通道内的气压直接受到主进气通道内气压波动的影响，故喷淋通道内的气压能够保持较好的一致性。因此，经过过渡通道中转后，从出气面的各区域喷出的气流量也更均衡，从而能够提升工艺气体在处理腔体内分布的均匀性。此外，本发明专利技术还提供一种喷淋方法。本发明专利技术还提供一种喷淋方法。本发明专利技术还提供一种喷淋方法。
【技术实现步骤摘要】
喷淋板、喷淋方法及处理装置
[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，特别涉及一种喷淋板、喷淋方法及处理装5置。
技术介绍
[0002]在工业生产过程中，通常需要通过喷淋板向处理腔体内喷淋特定的工艺气
[0003]体，以促成相应的反应，从而达到特定的生产目的。譬如，原子层沉积(Atomic0layer deposition，ALD)技术是以表面化学气相反应为基础的薄膜沉积技术，可以将物质以单原子膜形式镀在基底表面，并能够对所沉积的薄膜的厚度及均匀度精确控制在原子层厚度范围内。原子层沉积技术由于其优越性，已被广泛应用于半导体、光伏电池等领域。原子层沉积镀膜装置进行镀膜操作时，需要先由喷淋板将工艺气体导入反应腔体内，从而发生镀膜反应。
[0004]5但是，由于受结构的限制，现有喷淋板不同区域的气体流速呈现出较大差
[0005]异，从而导致进入处理腔体的工艺气体在处理腔体内分布的均匀性较差。对于原子层沉积镀膜工艺而言，工艺气体分布不均将会导致镀膜膜厚的均匀性不好。
技术实现思路
[0006]0基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够改善工艺气体在处理腔体内
[0007]分布的均匀性的喷淋板、喷淋方法及处理装置。
[0008]一种喷淋板，包括具有出气面的板体，所述板体内形成有气体分配系统，所述气体分配系统包括主进气通道、过渡通道及喷淋通道，所述喷淋通道沿其延伸方向形成有多个延伸至所述出气面的喷淋孔，且所述喷淋通道通过所述过渡通道与所述主进气通道连通。
[0009]在其中一个实施例中，所述过渡通道及所述喷淋通道均设置有多个，且多个所述过渡通道及所述喷淋通道一一对应，每个所述喷淋通道均通过多个连接通道与对应的过渡通道连通，多个所述连接通道沿所述喷淋通道的延伸方向间隔分布，所述主进气通道依次与多个所述过渡通道连通。
[0010]在其中一个实施例中，每个所述喷淋通道呈长条形并沿第一方向延伸，且多个所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔设置。
[0011]在其中一个实施例中，每个所述过渡通道呈长条形并沿所述第一方向延伸，且每个所述过渡通道与对应的所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向及所述第二方向的第三方向间隔设置。
[0012]在其中一个实施例中，所述主进气通道呈长条形并沿所述第二方向延伸。
[0013]在其中一个实施例中，所述主进气通道依次与多个所述过渡通道的中部连通。
[0014]在其中一个实施例中，所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处相对于所述过渡通道的中点处向所述过渡通道的一端偏移。
[0015]在其中一个实施例中，所述过渡通道位于所述连通处背向所述中心处一侧的内径小于位于所述连通处朝向所述中心处一侧的内径。
[0016]在其中一个实施例中，所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处位于所述过渡通道的中点处。
[0017]在其中一个实施例中，所述连通处沿所述第一方向的两侧，所述连接通道的数量相同。
[0018]在其中一个实施例中，所述主进气通道延伸方向的两端均设置有进气口。
[0019]在其中一个实施例中，所述主进气通道包括导入通道、沿所述第一方向延伸的分流通道及两个沿所述第二方向延伸的导出通道，所述导入通道与所述分流通道的中部连通，两个所述导出通道分别与所述分流通道的两端连通，且其中一个所述导出通道依次与多个所述过渡通道的一端连通，另一个所述导出通道依次与多个所述过渡通道的另一端连通。
[0020]在其中一个实施例中，所述导入通道与所述分流通道的连通处相对于所述分流通道的中点处向所述分流通道的一端偏移。
[0021]在其中一个实施例中，所述分流通道位于所述连通处背向所述中心处一侧的内径小于位于所述连通处朝向所述中心处一侧的内径。
[0022]在其中一个实施例中，所述导入通道与所述分流通道的连通处位于所述分流通道的中点处。
[0023]在其中一个实施例中，所述导入通道及所述分流通道均设置有两个，两个所述分流通道分布于所述板体沿所述第二方向的两端，两个所述导出通道的一端与其中一个所述分流通道的两端连通，两个所述导出通道的另一端与另一个所述分流通道的两端连通。
[0024]在其中一个实施例中，所述板体内设置有至少两个所述气体分配系统，且至少两个所述气体分配系统的所述喷淋通道沿所述第二方向交替设置。
[0025]一种处理装置，包括如上述优选实施例中任一项所述的喷淋板及处理腔体，所述喷淋板安装于所述处理腔体且所述出气面朝向所述处理腔体的内侧。
[0026]上述喷淋板及处理装置，工艺气体先由主进气通道进入板体的内部，再经过过渡通道中转后进入喷淋通道，最终由喷淋孔从出气面导入处理腔体内。过渡通道能够起到缓冲作用，避免喷淋通道内的气压直接受到主进气通道内气压波动的影响，故喷淋通道内的气压能够保持较好的一致性。因此，经过过渡通道中转后，从出气面的各区域喷出的气流量也更均衡，从而能够提升工艺气体在处理腔体内分布的均匀性。
[0027]一种喷淋方法，包括步骤：
[0028]经主进气通道将工艺气体导入过渡通道；
[0029]工艺气体经所述过渡通道过渡后导入与所述过渡通道连通的喷淋通道内；
[0030]进入所述喷淋通道的工艺气体沿所述喷淋通道输送，并由沿所述喷淋通道的延伸方向分布的多个喷淋孔喷淋至处理腔体。
[0031]上述喷淋方法，工艺气体先经主进气通道导入过渡通道，经过渡通道中转后进入喷淋通道。过渡通道能够起到缓冲作用，避免喷淋通道内的气压直接受到主进气通道内气压波动的影响，故喷淋通道内的气压能够保持较好的一致性。因此，经过过渡通道中转后，从喷淋孔喷出的气流量也更均衡，从而能够提升工艺气体在处理腔体内分布的均匀性。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为本专利技术较佳实施例中处理装置的局部结构示意图；
[0034]图2为图1所示处理装置中喷淋板的正面透视图；
[0035]图3为图2所示喷淋板中气体分配系统的示意图；
[0036]图4为本专利技术另一个实施例中喷淋板的正面透视图；
[0037]图5为图4所示喷淋板气体分配系统的示意图；
[0038]图6为本专利技术一个实施例中喷淋方法的流程示意图。
具体实施方式
[0039]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种喷淋板，包括具有出气面的板体，所述板体内形成有气体分配系统，其特征在于，所述气体分配系统包括主进气通道、过渡通道及喷淋通道，所述喷淋通道沿其延伸方向形成有多个延伸至所述出气面的喷淋孔，且所述喷淋通道通过所述过渡通道与所述主进气通道连通。2.根据权利要求1所述的喷淋板，其特征在于，所述过渡通道及所述喷淋通道均设置有多个，且多个所述过渡通道及所述喷淋通道一一对应，每个所述喷淋通道均通过多个连接通道与对应的过渡通道连通，多个所述连接通道沿所述喷淋通道的延伸方向间隔分布，所述主进气通道依次与多个所述过渡通道连通。3.根据权利要求2所述的喷淋板，其特征在于，每个所述喷淋通道呈长条形并沿第一方向延伸，且多个所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔设置。4.根据权利要求3所述的喷淋板，其特征在于，每个所述过渡通道呈长条形并沿所述第一方向延伸，且每个所述过渡通道与对应的所述喷淋通道沿垂直于所述第一方向及所述第二方向的第三方向间隔设置。5.根据权利要求3所述的喷淋板，其特征在于，所述主进气通道呈长条形并沿所述第二方向延伸。6.根据权利要求5所述的喷淋板，其特征在于，所述主进气通道依次与多个所述过渡通道的中部连通。7.根据权利要求6所述的喷淋板，其特征在于，所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处相对于所述过渡通道的中点处向所述过渡通道的一端偏移。8.根据权利要求7所述的喷淋板，其特征在于，所述过渡通道位于所述连通处背向所述中心处一侧的内径小于位于所述连通处朝向所述中心处一侧的内径。9.根据权利要求6所述的喷淋板，其特征在于，所述主进气通道与每个所述过渡通道的连通处位于所述过渡通道的中点处。10.根据权利要求7至9任一项所述的喷淋板，其特征在于，所述连通处沿所述第一方向的两侧，所述连接通道的数量相同。11.根据权利要求5所述的喷淋板，其特征在于，所述主进气通...
【专利技术属性】
技术研发人员：康旭，严大，施述鹏，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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