【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及镀膜装置，具体而言，涉及一种多用途的原子层沉积装置。
技术介绍
1、随着先进半导体制作工艺开发，元件结构的深宽比有重大的突破，其中的重要技术发展即为原子层沉积(ald)技术。由于ald渐渐应用于各产业，为了加快传统加热式ald制作工艺速度与因应成长特殊薄膜，等离子体辅助原子层沉积(peald)的技术开始被开发。peald的技术源自等离子体辅助化学气相沉积(pecvd)与ald总合，较ald明显大范围应用。然而现在的原子层沉积装置一般体积较为庞大，为了方便移动以及在一些特定场合中的运用，目前开始出现了体积较小的原子层沉积装置，但是由于体积的缩小，会导致工作效率降低，同时现有的原子层沉积装置一般只能连续沉积成一种膜，难以实现多种膜交替性的沉积，另外，现有的装置中，一般只能单独进行原子层沉积工艺或者单独进行等离子体辅助原子层沉积工艺的实现，导致功能性较差。
技术实现思路
1、本专利技术公开了一种多用途的原子层沉积装置，结构简单，操作便利，旨在改善现有的装置无法兼容原子层沉积工艺与等离子体辅助原子层沉积工艺问题。
2、本专利技术采用了如下方案：
3、本申请提供了一种多用途的原子层沉积装置，包括至少一组反应腔体，所述反应腔体上设置有抽气系统以及至少一组等离子体进源装置以及前驱体输送系统，且所述等离子体进源装置与所述前驱体输送系统连接至控制系统；其中，所述等离子体进源装置连接至所述反应腔体内以用于对所述反应腔体内输送等离子体；所述前驱体输送系统连接至所述反
4、进一步地，所述等离子进源装置包括等离子体腔室，所述等离子腔体腔室外侧缠绕设置有rf线圈，所述rf线圈连接有电源rf电源以在通电时在所述等离子体腔室内产生等离子体；所述等离子体腔室与所述反应腔体之间设置有匀流板。
5、进一步地，所述前驱体输送系统包括至少两个独立的的前驱体物质，且所述前驱体物质的两端均并联有载气气源。
6、进一步地，所述前驱体物质的两端均设置有控制阀。
7、进一步地，所述反应腔体并排设置有两个，且每个所述反应腔体均连接有一组相同的所述等离子体进源装置，两个所述反应腔体连接至同一所述前驱体输送系统，且两个所述反应腔体通过管道连接至同一所述抽气组件。
8、进一步地，所述旋转托盘上设置有多层样品架，所述反应腔体侧面上下设置有至少两个所述等离子体进源装置，两个所述等离子体进源装置并联至同一气体混合器。
9、进一步地，所述气体混合器连通有至少两个气源。
10、进一步地，所述反应腔体外侧设置有温控组件，所述温控组件包括温度控制系统，所述温度控制系统连接有循环冷却水系统
11、有益效果：
12、通过本专利技术设置，对整个反应腔体、等离子体进源装置以及前驱体输送系统进行优化设计，使得设备整体小型化，便于进行移动、运转等工作。通过设置旋转托盘，使得物料放置在托盘上时通过旋转可以使得物料在镀膜时更加均匀；所述旋转托盘上可以设置有单层或者多层的样品架用于放置工件；通过控制系统可以控制所述等离子体进源装置与前驱体输送系统的工作，从而可以控制等离子体进源装置或者前驱体输送系统单独或者同步工作，或者交替进行工作，以实现多种镀膜方式，并使得该装置能够兼容热式原子层沉积和等离子体增强原子层沉积工艺。
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1.一种多用途的原子层沉积装置，包括至少一组反应腔体，其特征在于，所述反应腔体上设置有抽气系统、至少一组等离子体进源装置以及前驱体输送系统，且所述等离子体进源装置与所述前驱体输送系统连接至控制系统；其中，所述等离子体进源装置连接至所述反应腔体内以用于对所述反应腔体内输送等离子体；所述前驱体输送系统连接至所述反应腔体内，且适于至少向所述反应腔体内导入一种前驱体物质；所述反应腔体内设置有可旋转的旋转托盘，所述旋转托盘上适于放置单层样品架或者多层样品架。
2.根据权利要求1所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述等离子进源装置包括等离子体腔室，所述等离子腔体腔室外侧缠绕设置有RF线圈，所述RF线圈连接有电源RF电源以在通电时在所述等离子体腔室内产生等离子体。
3.根据权利要求2所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述等离子体腔室与所述反应腔体之间设置有匀流板。
4.根据权利要求1所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述前驱体输送系统包括至少两个独立的前驱体物质，且所述前驱体物质的两端均连接有载气气源。
5.根据权利要求1
6.根据权利要求1所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述旋转托盘上设置有多层样品架，所述反应腔体侧面上下设置有至少两个所述等离子体进源装置，两个所述等离子体进源装置并联至同一气体混合器。
7.根据权利要求6所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述气体混合器连通有至少两个气源。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述反应腔体外侧设置有温控组件，所述温控组件包括温度控制系统，所述温度控制系统连接有循环冷却水系统。
...【技术特征摘要】
1.一种多用途的原子层沉积装置，包括至少一组反应腔体，其特征在于，所述反应腔体上设置有抽气系统、至少一组等离子体进源装置以及前驱体输送系统，且所述等离子体进源装置与所述前驱体输送系统连接至控制系统；其中，所述等离子体进源装置连接至所述反应腔体内以用于对所述反应腔体内输送等离子体；所述前驱体输送系统连接至所述反应腔体内，且适于至少向所述反应腔体内导入一种前驱体物质；所述反应腔体内设置有可旋转的旋转托盘，所述旋转托盘上适于放置单层样品架或者多层样品架。
2.根据权利要求1所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述等离子进源装置包括等离子体腔室，所述等离子腔体腔室外侧缠绕设置有rf线圈，所述rf线圈连接有电源rf电源以在通电时在所述等离子体腔室内产生等离子体。
3.根据权利要求2所述的多用途的原子层沉积装置，其特征在于，所述等离子体腔室与所述反应腔体之间设置有匀流板。
4.根据权利要求1所述的多用途的原子层...
【专利技术属性】
技术研发人员：明自强，赵茂生，王韫宇，
申请(专利权)人：厦门韫茂科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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