基板处理方法技术

本发明专利技术涉及基板处理方法，其在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在基板上进行处理工艺。所述基板处理方法包含：在由支撑单元支撑的基板设置于第一处理区域中时，在第一处理区域中在基板上进行第一处理工艺的步骤；在完成第一处理工艺时，使支撑单元转动以将基板移动到第二处理区域的步骤；以及在由支撑单元支撑的基板设置于第二处理区域时，在第二处理区域中在基板上进行第二处理工艺的步骤。的步骤。的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法


[0001]本专利技术关于一种基板处理方法，其在基板上进行如沉积工艺及蚀刻工艺的处理工艺。

技术介绍

[0002]一般来说，为了制造太阳能电池、半导体器件、平板显示装置等，需要在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。为此，会在基板上进行处理工艺，处理工艺的示例包括将包含特定材料的薄膜沉积在基板上的沉积工艺、使用光感材料使薄膜的一部分选择性地曝光的曝光工艺、以及移除薄膜中选择性曝光的部分以形成图案的蚀刻工艺等。
[0003]这种在基板上进行的处理工艺由基板处理设备来进行。基板处理设备包括提供处理空间的腔体、支撑基板的支撑单元、以及朝支撑单元喷射气体的气体喷射单元。基板处理设备使用气体喷射单元所喷射的来源气体以及反应气体在基板上进行处理工艺。
[0004]近年来，对掺杂器件和具有多薄膜结构的器件等具有各种特性的器件的需求正在增加，但相关技术已被实施成，在气体喷射单元总是喷射恒定的气体且支撑单元以特定的旋转速度连续转动而没有停止的情况下进行处理工艺。因此，相关技术会有难以进行用于制造掺杂器件和具有多薄膜结构的器件等具有各种特性的器件的处理工艺的问题。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]本专利技术在于解决上述问题且提供一种基板处理方法，其可进行用于制造掺杂器件和具有多薄膜结构的器件等具有各种特性的器件的处理工艺。
[0007]技术手段
[0008]为了达成上述目的，本专利技术可包含下列要素。
[0009]根据本专利技术的基板处理方法为一种用于处理基板的方法，其在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在基板上进行处理工艺，且可包含：在由支撑单元支撑的基板设置于第一处理区域中时，在第一处理区域中在基板上进行第一处理工艺的步骤；在完成第一处理工艺时，使支撑单元转动以将基板移动到第二处理区域的步骤；以及在由支撑单元支撑的基板设置于第二处理区域中时，在第二处理区域中在基板上进行第二处理工艺的步骤。
[0010]在根据本专利技术的基板处理方法中，进行第一处理工艺的步骤可包含：将第一来源气体喷射到第一处理区域中的步骤，以及将第二来源气体喷射到第一处理区域中的步骤。
[0011]在根据本专利技术的基板处理方法中，进行第二处理工艺的步骤可包含：将第一反应气体喷射到第二处理区域中的步骤，以及将第二反应气体喷射到第二处理区域中的步骤。
[0012]在根据本专利技术的基板处理方法中，进行第二处理工艺的步骤可包含：将第一反应气体喷射到第二处理区域中的步骤，以及在第二处理区域中产生等离子的步骤。
[0013]在根据本专利技术的基板处理方法中，进行第一处理工艺的步骤可将混合有二或更多
种来源气体的混合气体喷射到第一处理区域中。进行第二处理工艺的步骤可将混合有二或更多种反应气体的混合气体喷射到第二处理区域中。
[0014]根据本专利技术的基板处理方法为一种用于处理基板的方法，其在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在基板上进行处理工艺，且可包含：在由支撑单元支撑的基板设置于第一处理区域中时，将第一来源气体喷射到第一处理区域中以进行使用第一来源气体的第一处理工艺的步骤；在完成使用第一来源气体的第一处理工艺时，使支撑单元转动以将基板移动到第二处理区域的步骤；在已经进行使用第一来源气体的第一处理工艺的基板设置于第二处理区域中时，将第一反应气体喷射到第二处理区域中以进行使用第一反应气体的第二处理工艺的步骤；在完成使用第一反应气体的第二处理工艺时，使支撑单元转动以将基板移动到第一处理区域的步骤；在已经进行使用第一反应气体的第二处理工艺的基板设置于第一处理区域中时，将不同于第一来源气体的第二来源气体喷射到第一处理区域中以进行使用第二来源气体的第一处理工艺的步骤；在完成使用第二来源气体的第一处理工艺时，使支撑单元转动以将基板移动到第二处理区域中的步骤；以及在已经进行使用第二来源气体的第一处理工艺的基板设置于第二处理区域中时，将不同于第一反应气体的第二反应气体喷射到第二处理区域中以进行使用第二反应气体的第二处理工艺的步骤。
[0015]有益效果
[0016]根据本专利技术，可实现以下效果。
[0017]本专利技术可被实施成调整使用来源气体的处理工艺以及使用反应气体的处理工艺的每一者的执行时间，因此可在使用来源气体的处理工艺以及使用反应气体的处理工艺的每一者中调整薄膜生长所需的培养时间。因此，本专利技术可进行用于制造掺杂器件和具有多薄膜结构的器件等具有各种特性的器件的处理工艺。
[0018]本专利技术可被实施成在空间上分出进行使用来源气体的处理工艺以及使用反应气体的处理工艺的每一者的处理区域。因此，本专利技术可增加腔体的内部的清理周期，因而可降低清理成本且也会使操作速率增加，进而增加完成处理工艺的基板的产量。
附图说明
[0019]图1为绘示用于进行根据本专利技术的基板处理方法的基板处理设备的示例的立体分解示意图。
[0020]图2为沿图1中的割面线I
‑
I绘示的基板处理设备的侧剖示意图。
[0021]图3为图1中的基板处理设备中的支撑单元的平面示意图。
[0022]图4为根据本专利技术的基板处理方法的示意性流程图。
[0023]图5为根据本专利技术的基板处理方法中的第一处理工艺的示意性流程图。
[0024]图6为呈现根据本专利技术的基板处理方法中的第一处理工艺的各个实施例中的气体喷射时段的时序图。
[0025]图7为根据本专利技术的基板处理方法中的第二处理工艺的示意性流程图。
[0026]图8为呈现根据本专利技术的基板处理方法中的第二处理工艺的各个实施例中的气体喷射时段的时序图。
[0027]图9为呈现根据本专利技术的修改实施例的基板处理方法中的气体喷射时段以及基板
移动时段的时序图。
具体实施方式
[0028]请参阅图1及图2，根据本专利技术的基板处理方法在基板S上进行处理工艺。基板S可为硅基板、玻璃基板、金属基板等。根据本专利技术的基板处理方法可进行将薄膜沉积在基板S上的沉积工艺，以及移除沉积在基板上的部分薄膜的蚀刻工艺等。以下，将主要描述根据本专利技术的基板处理方法进行沉积工艺的实施例，且基于此原因，对本领域技术人员来说显而易见的是，可根据本专利技术规划出进行如蚀刻工艺的另一处理工艺的基板处理方法的实施例。
[0029]可由基板处理设备1进行根据本专利技术的基板处理方法。在描述根据本专利技术的基板处理方法的实施例之前，将详细描述基板处理设备1。
[0030]请参阅图1至图3，基板处理设备1可包含腔体2、支撑单元3、气体喷射单元4以及气体供应单元5。
[0031]请参阅图1至图3，腔体2提供处理空间100。在基板S上进行的处理工艺(如沉积工艺及蚀刻工艺)可于处理空间100中进行。处理空间100可在腔体2中被分成第一处理区域110及第二处理区域120。第三处理区域130可设置于第一处理区域110及第二处理区域120之间。支撑单元3及气体喷射单元4可安装于腔体2中。第一排气口21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基板的方法，其在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在基板上进行处理工艺，所述方法包含：在由支撑单元支撑的所述基板设置于所述第一处理区域中时，在所述第一处理区域中在所述基板上进行第一处理工艺的步骤；在完成所述第一处理工艺时，使所述支撑单元转动以将所述基板移动到所述第二处理区域的步骤；以及在由所述支撑单元支撑的所述基板设置于所述第二处理区域中时，在所述第二处理区域中在所述基板上进行第二处理工艺的步骤，其中进行所述第一处理工艺的步骤包含：将第一来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤；以及将第二来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤。2.如权利要求1所述的方法，其中进行所述第一处理工艺的步骤包含将吹除气体喷射到所述第一处理区域中的步骤。3.如权利要求1所述的方法，其中进行所述第一处理工艺的步骤包含将第三来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中将所述第二来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤喷射与所述第一来源气体不同的所述第二来源气体。5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中将所述第二来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤喷射与所述第一来源气体相同的所述第二来源气体。6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中将所述第一来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤在第一来源喷射时间内喷射所述第一来源气体，并且将所述第二来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤在与所述第一来源喷射时间不同的第二来源喷射时间内喷射所述第二来源气体。7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中将所述第一来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤在第一来源喷射时间内喷射所述第一来源气体，并且将所述第二来源气体喷射到所述第一处理区域中的步骤在与所述第一来源喷射时间相同的第二来源喷射时间内喷射所述第二来源气体。8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中进行所述第二处理工艺的步骤包含将第一反应气体喷射到所述第二处理区域中的步骤。9.一种用于处理基板的方法，其在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在基板上进行处理工艺，所述方法包含：在由支撑单元支撑的所述基板设置于所述第一处理区域中时，在所述第一处理区域中在所述基板上进行第一处理工艺的步骤；在完成所述第一处理工艺时，使所述支撑单元转动以将所述基板移动到所述第二处理区域的步骤；以及在由所述支撑单元支撑的所述基板设置于所述第二处理区域中时，在所述第二处理区域中在所述基板上进行第二处理工艺的步骤，
其中进行所述第二处理工艺的步骤包含：将第一反应气体喷射到所述第二处理区域中的步骤；以及将第二反应气体喷射到所述第二处理区域中的步骤。10.如权利要求9所述的方法，其中进行所述第二处理工艺的步骤包含将吹除气体喷射到所述第二处理区域中的步骤。11.如权利要求9所述的方法，其中将所述第二反应气体喷射到所述第二处理区域中的步骤喷射与所述第一反应气体不同的所述第二反应气体，并且进行所述第二处理工艺的步骤包含将不同于所述第一反应气体以及所述第二反应气体的每一者的第三反应气体喷射到...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世焕，卢载盛，孙淸，尹弘旻，尹洪守，张允柱，赵炳夏，曺知铉，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：