气体注入器以及基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基板处理装置的气体注入器以及基板处理装置，所述基板处理装置包括：涡流形成部和气体排出部，其中，所述涡流形成部包括：气体流出通道，沿第一方向延伸，一端开口，另一端封闭；以及气体流入通道，在所述气体流出通道的靠近封闭的所述另一端的壁部以不与所述气体流入通道的轴线与所述气体流出通道的轴线相交而偏向所述气体流出通道的壁部侧的方式与所述气体流出通道连通，所述气体排出部与所述气体流出通道的开口的所述一端连接并沿所述第一方向延伸，因此，能够提高向腔室中提供的处理气体的均匀度，从而提高喷射到基板上的分布均匀度。到基板上的分布均匀度。到基板上的分布均匀度。

【技术实现步骤摘要】
气体注入器以及基板处理装置


[0001]本技术的实施方式涉及半导体领域，具体涉及一种气体注入器以及基板处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体领域中，已知有对基板进行处理的基板处理装置。基板处理装置通常通过供气管向腔室中输送反应气体和搬运气体以对安置于腔室中的基板进行处理。
[0003]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)技术作为一种半导体基板处理技术，广泛用于基板处理装置中，因其精确性而广受好评，然而，处理气体在从处理气体提供装置被输送到腔室的过程中，会发生分布不均匀的问题(例如，气体聚集在供气管的中心部，而在壁侧气体分布相对较少)，导致无法在通过喷淋头注入到腔室时在腔室中均匀分布，进而导致在基板上发生沉积不均匀的问题。
[0004]图1是现有技术中的气体注入器的主视图。图2是现有技术中的气体注入器的俯视图。图3是根据图1中的剖切线A
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A切割示出的剖视图。图4是根据图2中的剖切线B
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B切割示出的剖视图。
[0005]如图1至图4所示，在现有技术中，用于输送由处理气体供给源5提供的处理气体的供气管200直接以直角弯折并与喷嘴210连接，因此，会导致原本就在供气管200中分布不均匀的处理气体直接与供气管200的以直角弯折的部分发生冲击而变得更加不均匀和不稳定。另外，喷嘴210的内径大于供气管200的内径，供气管200的与喷嘴210连接的部分形成为内径逐渐增加到喷嘴210的内径的喇叭状，从而最终过渡到喷嘴210。因此，处理气体在从供气管200过渡到喷嘴210的过程中会发生进一步紊乱，最终导致处理气体无法通过喷淋头7被均匀地喷射到安置于腔室4中的基板上。
[0006]因此，需要一种能够提高处理气体分布均匀度的技术方案以解决上述的技术问题。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]鉴于上述问题，本技术的一个实施方式的目的在于，提供一种能够提高向腔室中提供的处理气体的分布均匀度，从而提高喷射到基板上的分布均匀度的气体注入器以及基板处理装置。
[0009]技术方案
[0010]作为本技术的一个实施方式，提供一种气体注入器，其包括：涡流形成部和气体排出部，其中，所述涡流形成部包括：气体流出通道，沿第一方向延伸，一端开口，另一端封闭；以及气体流入通道，在所述气体流出通道的靠近封闭的所述另一端的壁部以不与所述气体流出通道的轴线相交而偏向所述气体流出通道的壁部侧的方式与所述气体流出通道连通，所述气体排出部与所述气体流出通道的开口的所述一端连接并沿所述第一方向延
伸。由此，能够使处理气体在通过所述气体流入通道进入所述气体流出通道时形成涡流以提高处理气体在所述气体流出通道中的均匀度，并以该形态通过所述气体排出部向腔室提供，从而使反应气体中的自由基和源气体在腔室中均匀分布，从而防止在基板上发生沉积不均匀的问题。
[0011]在一些实施方式中，在所述气体流入通道与所述气体流出通道的连通处，所述气体流入通道的壁部中在俯视时相对于所述气体流入通道的所述轴线远离所述气体流出通道的所述轴线的壁部与所述气体流出通道的壁部光滑连接。能够使处理气体从所述气体流入通道平滑地过渡到所述气体流出通道，从而形成稳定的涡流，提高处理气体在所述气体流出通道中的均匀度。
[0012]在一些实施方式中，所述气体流入通道的壁部中在俯视时相对于所述气体流入通道的所述轴线远离所述气体流出通道的所述轴线的壁部与所述气体流出通道的壁部的连接点的切线与所述气体流入通道的所述轴线平行。由此，能够进一步使处理气体从所述气体流入通道平滑地过渡到所述气体流出通道并直接沿所述气体流出通道的壁部流动，从而形成稳定的涡流，提高处理气体在所述气体流出通道中的均匀度。
[0013]在一些实施方式中，所述气体流入通道的壁部不在所述气体流出通道内突出。由此，能够使所述气体流出通道的壁部保持圆滑的形状，以使通过所述气体流入通道进入所述气体流出通道的处理气体在所述气体流出通道中形成的涡流更加稳定，以进一步提高处理气体在所述气体流出通道中的均匀度。
[0014]在一些实施方式中，在所述气体流出通道的封闭的所述另一端形成有气流缓冲部。由此，能够使处理气体在通过所述气体流入通道进入所述气体流出通道时不与所述气体流出通道的封闭的一端直接发生接触，而是在所述气流缓冲部中进行缓冲，从而使得所形成的涡流更加稳定，并且随着所形成的涡流向外排出，因此，能够进一步提高处理气体在所述气体流出通道中的均匀度。
[0015]在一些实施方式中，所述气流缓冲部呈球顶形。由此，能够使所述气流缓冲部形成得更加圆滑，以使处理气体在所述气流缓冲部中得到更加充分的缓冲，从而使得所形成的涡流更加稳定，并且随着所形成的涡流向外排出，因此，能够进一步提高处理气体在所述气体流出通道中的均匀度。
[0016]作为本技术的另一个实施方式，提供一种基板处理装置，其包括：上述的气体注入器；用于处理基板的腔室；处理气体供给源，与所述气体注入器的气体流入通道连通，以提供处理气体；以及喷淋头，结合于所述气体注入器的气体排出部的端部，向所述腔室注入气体。由此，能够使反应气体中的自由基和源气体在腔室中均匀分布，从而防止在基板上发生沉积不均匀的问题。
[0017]有益效果
[0018]本技术的一个实施方式的气体注入器以及基板处理装置能够提高向腔室中提供的处理气体的均匀度，从而提高喷射到基板上的分布均匀度。
附图说明
[0019]图1是现有技术中的气体注入器的主视图。
[0020]图2是现有技术中的气体注入器的俯视图。
[0021]图3是根据图1中的剖切线A
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A切割示出的剖视图。
[0022]图4是根据图2中的剖切线B
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B切割示出的剖视图。
[0023]图5是本技术的一个实施方式的气体注入器的主视图。
[0024]图6是本技术的一个实施方式的气体注入器的俯视图。
[0025]图7是根据图5中的剖切线C
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C切割示出的剖视图。
[0026]图8是根据图6中的剖切线D
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D切割示出的剖视图。
[0027]图9是本技术的另一个实施方式的基板处理装置的示意图。
[0028]图10是本技术的实验例的测量结果的示意图。
[0029]图11是本技术的比较例的测量结果的示意图。
[0030]附图标记
[0031]1：基板处理装置；
[0032]2：气体注入器；
[0033]21：涡流形成部；
[0034]211：气体流出通道；
[0035]212：气体流入通道；
[0036]213：气流缓冲部；
[0037]22：气体排出部；
[0038]3：等离子体注入机构；
[0039]31：安置孔；
[0040本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置的气体注入器，其特征在于，包括：涡流形成部和气体排出部，其中，所述涡流形成部包括：气体流出通道，沿第一方向延伸，一端开口，另一端封闭；以及气体流入通道，在所述气体流出通道的靠近封闭的所述另一端的壁部以所述气体流入通道的轴线不与所述气体流出通道的轴线相交而偏向所述气体流出通道的壁部侧的方式与所述气体流出通道连通，所述气体排出部与所述气体流出通道的开口的所述一端连接并沿所述第一方向延伸。2.根据权利要求1所述的气体注入器，其特征在于，在所述气体流入通道与所述气体流出通道的连通处，所述气体流入通道的壁部中在俯视时相对于所述气体流入通道的所述轴线远离所述气体流出通道的所述轴线的壁部与所述气体流出通道的壁部光滑连接。3.根据权利要求2所述的气体注入器，其特征在于，所述气体流入通...

【专利技术属性】
技术研发人员：车东壹，金洙千，河南，李东昊，金官希，黄领务，李俊范，宋秀静，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：