【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气体管路，更为具体地，涉及一种气压供给管路及cvd装置。
技术介绍
1、在晶圆生产工艺中，cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)工艺装置中气体的供给管路，包括连接气源的总管道和连接在总管道上的分支管道，由分支管道继续输送气体，直到用气构件。但是，现有的供给管路只能直接接受气源供给端提供的气体，不能根据需要调节供气的气压，也不能去除空气中的杂质，易使管道、电磁阀体、用气构件等受到损坏；不能对分支管道分别进行控制，当分支管道出现问题，只能切断总管道，停止向所有分支管道供气，再进行查看检修，降低了生产效率。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种气压供给管路及cvd装置，能够调节供气的气压和净化气体，并控制第一分支管道的通断。
2、本专利技术提供的一种气压供给管路，包括与气源连接的总管道、分别与所述总管道连通的分支管道，所述分支管道包括与用于控制有害气体的供给的开闭装置连接的第一分支管道；
3、在所述总管道...
【技术保护点】
1.一种气压供给管路，包括与气源连接的总管道、分别与所述总管道连通的分支管道，其特征在于，所述分支管道包括与用于控制有害气体的供给的开闭装置连接的第一分支管道；
2.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，在所述总管道上设置有总气压检测装置，所述总气压检测装置位于所述气压调节装置和所述杂质去除装置之间，用于检测所述气源提供的气压是否正常。
3.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，总开关阀为手动中止阀。
4.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述气压调节装置为气压调节阀。
5.如权利要求1所述的气压供...
【技术特征摘要】
1.一种气压供给管路，包括与气源连接的总管道、分别与所述总管道连通的分支管道，其特征在于，所述分支管道包括与用于控制有害气体的供给的开闭装置连接的第一分支管道；
2.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，在所述总管道上设置有总气压检测装置，所述总气压检测装置位于所述气压调节装置和所述杂质去除装置之间，用于检测所述气源提供的气压是否正常。
3.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，总开关阀为手动中止阀。
4.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述气压调节装置为气压调节阀。
5.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述杂质去除装置为空气杂质过滤器。
6.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金洙千，吴泰润，金秀宪，张惠贞，车世旭，李踵荣，李俊莹，林勇珍，金大琪，郑允琇，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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