【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用气体分配单元的气体供应方法
[0001]本公开涉及一种气体供应方法，更具体地，涉及一种使用气体分配单元的气体供应方法，其包括分别安装在气体分配单元的多个气体供应通道上的多个气体流速控制设备，并且单独地控制通过各气体供应通道的气体的流速和分配顺序，从而改善沉积薄膜在衬底的整个表面区域上的厚度均匀性。
技术介绍
[0002]通常，执行各种工艺来制造半导体设备或平面显示设备。各种工艺包括在衬底上沉积由特定材料制成的薄膜的薄膜沉积工艺，通过使用光敏材料曝光或隐藏薄膜的选定区域的光刻工艺，以及通过去除薄膜的选定区域以期望方式对薄膜进行图案化的蚀刻工艺。每种工艺都在衬底处理设备中执行，该衬底处理设备被设计成为相应的工艺提供最佳的环境。
[0003]特别地，沉积工艺中的重要控制元素之一是沉积在衬底上的薄膜的厚度均匀性。具体地，重要的是控制沉积在衬底上的薄膜的厚度，使得薄膜在衬底的整个表面区域上均匀地形成。当在衬底的整个表面区域上的沉积薄膜的厚度不均匀时，产品的质量、或半导体设备或平板显示设备的性能降低。
[0004]图...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种使用气体分配单元的气体供应方法，所述气体分配单元通过第一气体供应通道、第二气体供应通道、第三气体供应通道、第四气体供应通道和第五气体供应通道将处理气体供应到第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域，所述第一区域对应于衬底处理设备中的气体扩散空间的中心区域，所述第二区域、第三区域、第四区域和第五区域对应于所述气体扩散空间的各边缘区域，所述第一至第五气体供应通道分别包括第一气体流速控制设备、第二气体流速控制设备、第三气体流速控制设备、第四气体流速控制设备和第五气体流速控制设备，所述气体供应方法包括：第一供应步骤，通过所述第一气体供应通道将所述处理气体供应至所述第一区域、或分别通过所述第一至第五气体供应通道将所述处理气体供应至所述第一至第五区域；以及第二供应步骤，分别通过所述第二至第五气体供应通道将所述处理气体供应至所述第二至第五区域。2.一种使用气体分配单元的气体供应方法，所述气体分配单元通过第一气体供应通道、第二气体供应通道、第三气体供应通道、第四气体供应通道和第五气体供应通道将处理气体供应到第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域，所述第一区域对应于衬底处理设备中的气体扩散空间的中心区域，所述第二区域、第三区域、第四区域和第五区域对应于所述气体扩散空间的各边缘区域，所述第一至第五气体供应通道分别包括第一气体流速控制设备、第二气体流速控制设备、第三气体流速控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：金显昌，金润晶，刘光洙，李龙炫，李真镐，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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