衬底处理装置和方法制造方法及图纸

本公开涉及一种衬底处理装置和方法，衬底处理装置包括反应腔室、支撑件、第一加热器、喷淋头、第二加热器、温度感应组件、以及控制器。第二加热器用于给喷淋头至支撑件之间的空间区域进行加热。温度感应组件用于感应绕空间区域周向外围依次间隔设置的至少两个预设部位的温度。控制器用于根据温度感应组件感应的温度控制第二加热器工作，使得空间区域周向外围的各个预设部位的温度均匀一致。如此，能够实现衬底周向方向上不同部位的气流温控，能减小喷淋头的气孔位置和温度差异对气体流速造成的不利影响，使得衬底周向方向上的不同部位的气流温度均匀一致，进而空间区域的周向外围的各个部位气体流速均匀一致，从而能改善薄膜的均匀性。均匀性。均匀性。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置和方法


[0001]本公开涉及半导体
，特别是涉及一种衬底处理装置和方法。

技术介绍

[0002]衬底处理装置，包括但不限于等离子体增强型化学气相沉积设备(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简写为PECVD)，其电场、温度场、流体场是影响大面积沉积薄膜均匀性的三个主要因素。常用的工艺采用一片或两片衬底在同一反应腔室内沉积薄膜，混合气体经过混料箱（Mixture box），再通过多孔状的喷淋头（showerhead ）进入反应腔室，在反应腔室内的衬底表面上沉积得到膜层。然而，衬底表面上沉积得到的薄膜均匀性不高，无法满足客户对膜厚均一性高精度的要求。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种衬底处理装置和方法，它能够提高薄膜的均匀性。
[0004]其技术方案如下：一种衬底处理装置，所述衬底处理装置包括：反应腔室；支撑件，设于所述反应腔室内部，所述支撑件用于支撑衬底；第一加热器，所述第一加热器用于给所述支撑件进行加热；喷淋头，设于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，其特征在于，所述衬底处理装置包括：反应腔室；支撑件，设于所述反应腔室内部，所述支撑件用于支撑衬底；第一加热器，所述第一加热器用于给所述支撑件进行加热；喷淋头，设于所述反应腔室内部并位于所述支撑件的上方；第二加热器，包括加热部件，所述加热部件位于所述反应腔室内部，用于给所述喷淋头至所述支撑件之间的空间区域进行加热；温度感应组件，用于感应所述空间区域中不同部位的温度；控制器，分别与所述温度感应组件、所述第二加热器电性连接，所述控制器用于根据所述温度感应组件感应的温度控制所述第二加热器工作。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述加热部件包括加热线圈；所述加热线圈环绕所述空间区域的周向设置。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述加热部件包括环绕空间区域设置的加热单体。4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，所述加热单体设置有多个，多个所述加热单体等间隔布置，多个所述加热单体的工作功率能够独立调节。5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第二加热器还包括驱动机构；所述驱动机构用于驱动所述加热部件绕所述空间区域转动；所述驱动机构、所述加热部件均和所述控制器电性连接。6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第二加热器还包括转动地设于所述反应腔室内部的载体；所述加热部件设置于所述载体上。7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，所述反应腔室的内壁上设有支撑凸缘与限位凸缘；所述支撑凸缘承托所述载体的底部，所述限位凸缘与所述载体的顶部相互抵接；和/或，所述支撑凸缘和所述限位凸缘上设置有滑轨，所述载体上设置与滑轨配合的滑块。8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括第一电机、以及与所述第一电机的转轴相...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷张涵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：