基板处理方法技术

本发明专利技术关于一种基板处理方法，特别系一种用于移除形成在基板上的氧化物膜的基板处理方法。根据一示例性实施例，处理被装载至腔体中的基板的基板处理方法包含：将含氮气体供应至设置于腔体之外的等离子体产生器之内部空间、在内部空间中激发含氮气体、将含氢气体供应至内部空间，以及将含氢气体以及在内部空间中被激发的含氮气体供应至基板上。中被激发的含氮气体供应至基板上。中被激发的含氮气体供应至基板上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法


[0001]本专利技术关于一种基板处理方法，特别系关于一种用于将形成在基板上的氧化物膜移除的基板处理方法。

技术介绍

[0002]一般来说，系藉由在基板上以薄膜形式沉积各种材料并接着将薄膜图案化，来制造半导体组件或显示设备。
[0003]然而，当基板暴露于大气并同时为了各个制程而移动时，自然氧化物膜会因氧气或水气而形成在基板的表面上。因为自然氧化物膜具有不完美的结晶性(crystallinity)，所以自然氧化物膜的薄膜质量比由热氧化形成的氧化硅膜的薄膜质量还差，而造成各种缺陷，如半导体组件或显示设备的连接不稳定及线路阻抗。
[0004]通常，会在独立的装置中进行湿式清洗制程以将自然氧化物膜移除。并且，已经过清洗制程的基板会被传送到基板处理设备，且会在基板上进行如薄膜沉积的基板处理制程。然而，当自然氧化物膜在独立的装置中被移除以进行湿式清洗制程时，会因为高价格装置的添加而使生产成本增加。并且，因为自然氧化物膜会在已经进行过清洗制程的基板被传送时再次形成在基板的表面上，所以可能无法有效地移除自然氧化物膜。
[0005](相关技术文件)
[0006](专利文件1)KR10
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2010
‑
0112888A

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]本专利技术提供一种能有效移除形成在基板上的氧化物膜的基板处理方法。
[0009]技术手段
[0010]根据一示例性实施例，处理被装载至腔体中的基板的基板处理方法包含：将含氮气体供应至设置于腔体之外的等离子体产生器的内部空间、在内部空间中激发含氮气体、将含氢气体供应至内部空间，以及将含氢气体以及在内部空间中被激发的含氮气体供应至基板上。
[0011]含氮气体可包含氮气(N2)以及氨气(NH3)其中至少一者。
[0012]含氢气体可包含氢气(H2)。
[0013]含氢气体的供应可为将含氢气体供应至被激发的含氮气体被移动到腔体中所经过的路径上。
[0014]被供应至内部空间的含氢气体至少有部分于被激发的含氮气体被移动到腔体中所经过的路径上被激发。
[0015]将气体供应到基板上可为同时将被激发的含氮气体以及含氢气体供应至基板上。
[0016]基板处理方法可更包含使含氮气体以及含氢气体能与形成在基板上的氧化物膜反应以移除氧化物膜。
[0017]基板处理方法可更包含将含氟气体供应至内部空间。
[0018]含氟气体可包含氟气(F2)、氢氟酸气体(HF)及三氟化氮气体(NF3)其中至少一者。
[0019]含氟气体的供应可为将含氟气体供应至含氢气体被移动到腔体所经过的路径上。
[0020]有利功效
[0021]根据一示例性实施例的基板处理方法可藉由将含氢气体以及在设置于腔体之外的等离子体产生器中被激发的含氮气体供应到基板上，而快速地移除形成在基板上的自然氧化物膜并减少制程时间。
[0022]并且，因为藉由使用被激发的含氮气体供应的含氢气体有至少一部分被激发，所以可产生与形成在基板上的自然氧化物膜反应的制程气体，以有效地移除形成在基板上的自然氧化物膜。
附图说明
[0023]图1为绘示根据一示例性实施例的基板处理设备的示意图；以及
[0024]图2为呈现根据一示例性实施例的基板处理方法的示意性流程图。
具体实施方式
[0025]以下，将参照相关附图详细描述具体实施例。然而，本专利技术可以不同的形式实施且不应被解释为以于此阐述的实施例为限。这些实施例反而是被提供而使本专利技术变得透彻以及完整，且将完整地传达本专利技术的范围给本领域普通技术人员。于附图中，为了清楚描述，层体以及区域的厚度系被夸大的。于附图中，通篇相似的标号指相似的组件。
[0026]图1为绘示根据一示例性实施例的基板处理设备的示意图。
[0027]请参阅图1，根据一示例性实施例用于处理基板的基板处理设备包含：腔体10、设置于中腔体10中以支撑提供于腔体10中的基板S的基板支撑单元30，以及设置于腔体10中以面对基板支撑单元30并朝基板支撑单元30喷射制程气体的气体喷射单元20。并且，基板处理设备可更包含连接于气体喷射单元20并设置于腔体10之外的等离子体产生器40。
[0028]腔体10提供预设的处理空间且维持处理空间的密封。并且，腔体10可包含本体12以及盖体14，本体12包含具有大致上为圆形或矩形的外形的平坦部以及沿垂直方向从平坦部延伸并具有预设处理空间的侧墙部，盖体14具有大致上为圆形或矩形的外形且设置于本体12上以密封腔体10。然而，实施例并不以腔体10的外形为限。举例来说，腔体10可被制造成对应于基板S的外形的各种外形。
[0029]排气孔(未绘示)可形成于腔体10的底面的默认区域中，且连接于排气孔的排气管(未绘示)可设置于腔体10之外。并且，排气管可连接于排气装置(未绘示)。可使用真空泵作为排气装置。因此，可藉由排气装置将腔体10的内部真空抽气成预设的减压气氛，如0.1毫托(mTorr)或更低的预设压力。除了腔体10的底面之外，排气管还可安装于将于以下描述的基板支撑单元30之下的腔体10的侧面上。并且，可进一步安装多个排气管及与其连接的多个排气装置以减少排气时间。
[0030]被提供于用于基板处理制程(如氧化物膜移除制程)的腔体10中的基板S可设置于基板支撑单元30上。于此，基板S可为没有形成薄膜的基板或是形成预设薄膜的基板。并且，如线路的默认结构可形成于基板S上。于此，自然氧化物膜可能形成于基板上。举例来说，因
为基板S暴露于大气，所以可能形成自然氧化物膜。当形成有自然氧化物膜的基板S被装载到腔体10的处理空间中时，经装载的基板S可设置于基板支撑单元30上。于此，基板支撑单元30可包含静电吸盘以藉由使用静电力吸引并维持基板S而使基板S被设置以及支撑或可藉由使用真空吸引或机械力支撑基板S。
[0031]基板支撑单元30可具有对应于基板S的外形的外形，如圆形或矩形。基板支撑单元30可包含设置有基板S的基板支撑件32以及设置于基板支撑件32的下方以沿垂直方向移动基板支撑件32的升降器34。于此，基板支撑件32可被制造成比基板S还大，且升降器34可支撑基板支撑件32的至少一区域(如中心部)并在基板S设置于基板支撑件32上时将基板支撑件32移动至邻近于气体喷射单元20之处。并且，可将加热器(未绘示)安装于基板支撑件32中。加热器以默认温度产生热而加热基板支撑件以及设置于基板支撑件上的基板S，而使得薄膜均匀地沉积于基板S上。
[0032]气体喷射单元20设置于腔体10的内顶侧且朝基板喷射制程气体。气体喷射单元20可具有默认内部空间。气体喷射单元20可具有连接于等离子体产生器40的顶部以及界定有用于将制程气体喷射到基板S上的多个喷射孔的底部。气体喷射单元20可具有对应于基板S的外形的外形，如大致上圆形或矩形。于此，气体喷射单元20可与腔体10的盖体14及侧墙部以预本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，处理被装载到一腔体中的一基板，包含：将一含氮气体供应到设置于该腔体之外的一等离子体产生器的一内部空间；在该内部空间中激发该含氮气体；将一含氢气体供应至该内部空间；以及将该含氢气体以及在该内部空间中被激发的该含氮气体供应至该基板上。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中该含氮气体包含氮气(N2)以及氨气(NH3)其中至少一者。3.如权利要求1所述的基板处理方法，其中该含氢气体包含氢气(H2)。4.如权利要求1所述的基板处理方法，其中该含氢气体的供应为将该含氢气体供应至被激发的该含氮气体被移动到该腔体中所经过的路径上。5.如权利要求1所述的基板处理方法，其中被供应至该内部空间的该含氢气体至少有部...

【专利技术属性】
技术研发人员：金智勋，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：