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本发明关于一种基板处理方法，特别系一种用于移除形成在基板上的氧化物膜的基板处理方法。根据一示例性实施例，处理被装载至腔体中的基板的基板处理方法包含：将含氮气体供应至设置于腔体之外的等离子体产生器之内部空间、在内部空间中激发含氮气体、将含氢气...
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