基板处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种基板处理设备，包括：处理腔体、设置在处理腔体的顶部的第一电极、设置在第一电极之下的第二电极，第二电极包括多个开口、从第一电极延伸且延伸到第二电极的多个开口的多个凸出电极，以及相对于第二电极的基板支撑单元，基板支撑单元支撑基板。基板支撑单元支撑基板。基板支撑单元支撑基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理设备


[0001]本专利技术涉及一种基板处理设备，其在基板上进行例如沉积工艺和蚀刻工艺的处理工艺。

技术介绍

[0002]一般来说，为了制造太阳能电池、半导体装置、平板显示设备等，需要在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。为此，可以在基板上进行处理工艺，处理工艺的示例包括将包括特定材料的薄膜沉积在基板上的沉积工艺、通过使用光感材料使薄膜的一部分选择性地曝光的曝光工艺，以及移除薄膜中选择性曝光的一部分以形成图案的蚀刻工艺等。
[0003]在基板上进行的这种处理工艺是由基板处理设备进行。基板处理设备包括提供反应空间的腔体、支撑基板的支撑单元以及朝支撑单元喷射气体的气体喷射单元。基板处理设备通过使用由气体喷射单元喷射的反应气体和源气体，而在基板上进行处理工艺。在进行这种处理工艺的情况下，可以使用在气体喷射单元与由支撑单元支撑的基板之间产生的等离子体。
[0004]这里，当在面对气体喷射单元的基板的整个表面上产生具有均匀强度的等离子体时，可以确保处理工艺的均匀度。然而，在相关技术中，因为等离子体的强度因工艺条件而被部分改变，所以会产生偏差(deviation)，进而产生完成处理工艺的基板的质量下降的问题，这种工艺条件例如为处理工艺的类型、气体的类型和温度等。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]本专利技术在于解决上述问题且用于提供可以提升等离子体强度的均匀度进而提升完成处理工艺的基板的质量的基板处理设备。
[0007]技术方案
[0008]为了达成上述目的，本专利技术可以包括以下元件。
[0009]根据本专利技术的基板处理设备可以包括处理腔体、基板支撑单元、第一电极以及第二电极。处理腔体提供用于处理基板的反应空间。基板支撑单元支撑基板。第一电极安装在处理腔体中，第一电极与基板相对且包括朝基板突出的多个突出电极。第二电极设置在第一电极之下，第二电极包括多个开口，多个突出电极插设于多个开口中。
[0010]在根据本专利技术的基板处理设备中，多个突出电极中的设置在第一区域中的第一突出电极和设置在位于第一区域之外的第二区域中的第二突出电极可以突出不同的长度。
[0011]在根据本专利技术的基板处理设备中，第一突出电极朝基板突出的长度可以长于第二突出电极朝基板突出的长度。
[0012]在根据本专利技术的基板处理设备中，第二突出电极朝基板突出的长度可以长于第一突出电极朝基板突出的长度。
[0013]在根据本专利技术的基板处理设备中，在第二电极中，第一区域中的第二电极和第二区域中的第二电极可以朝基板突出不同的长度。
[0014]在根据本专利技术的基板处理设备中，在第二电极中，第一区域中的第二电极和第二区域中的第二电极可以朝基板支撑单元突出不同的长度。
[0015]在根据本专利技术的基板处理设备中，第一区域中的第二电极与基板支撑单元间隔开的距离可以长于第二区域中的第二电极与基板支撑单元间隔开的距离。
[0016]在根据本专利技术的基板处理设备中，第二区域中的第二电极与基板支撑单元间隔开的距离可以长于第一区域中的第二电极与基板支撑单元间隔开的距离。
[0017]在根据本专利技术的基板处理设备中，第一突出电极可以包括喷射第一气体的第一喷射孔，第二突出电极可以包括喷射第二气体的第二喷射孔，并且第一喷射孔的面积可以与第二喷射孔的面积不同。
[0018]在根据本专利技术的基板处理设备中，第一喷射孔的面积可以被形成为大于第二喷射孔的面积。
[0019]在根据本专利技术的基板处理设备中，第二喷射孔的面积可以被形成为大于第一喷射孔的面积。
[0020]在根据本专利技术的基板处理设备中，面积可以为水平横截面积。
[0021]在根据本专利技术的基板处理设备中，插设于开口中的第二突出电极和第一突出电极中的至少一者可以与第二电极的底面位于同一平面中。
[0022]在根据本专利技术的基板处理设备中，第一突出电极和第二突出电极可以突出相同的长度。
[0023]根据本专利技术的基板处理设备可以包括处理腔体、基板支撑单元、第一喷射板以及第二喷射板。处理腔体提供用于处理基板的反应空间。基板支撑单元支撑基板。第一喷射板安装在处理腔体中，第一喷射板与基板相对且包括朝基板突出且喷射第一气体的多个突出路径。第二喷射板设置在第一喷射板之下，第二喷射板包括多个喷射孔，突出路径插设于喷射孔中且第二气体通过喷射孔被喷射。多个突出路径中的设置在第一区域中的第一突出路径和设置在位于第一区域之外的第二区域中的第二突出路径突出不同的长度。
[0024]在根据本专利技术的基板处理设备中，第一突出路径朝基板突出的长度可以长于第二突出路径朝基板突出的长度。
[0025]在根据本专利技术的基板处理设备中，第二突出路径朝基板突出的长度可以长于第一突出路径朝基板突出的长度。
[0026]有益效果
[0027]根据本专利技术，可以实现以下技术效果。
[0028]本专利技术可以被实施为控制各个区域的等离子体的强度，因此可以提升基板的整个表面上的等离子体强度的均匀度。因此，本专利技术可以提升完成处理工艺的基板的质量。
[0029]本专利技术可以被实施为控制各个区域的气体的压力和流量，因而可以提升喷射到基板的整个表面上的气体的均匀度。因此，本专利技术可以提升完成处理工艺的基板的质量。
附图说明
[0030]图1为根据本专利技术的基板处理设备的侧剖示意图。
[0031]图2为示出根据本专利技术的基板处理设备中在图1中的部分A的侧剖示意图的局部放大图。
[0032]图3为示出根据本专利技术的基板处理设备中的第一电极的底面的仰视示意图。
[0033]图4至图9为示出根据本专利技术的基板处理设备中的第一区域和第二区域中的第一电极、第二电极以及突出电极的侧剖示意图的局部放大图。
[0034]图10为根据本专利技术修改实施例的基板处理设备的侧剖示意图。
[0035]图11为示出根据本专利技术修改实施例的基板处理设备中在图10中的部分B的侧剖示意图的局部放大图。
[0036]图12为示出根据本专利技术修改实施例的基板处理设备中的第一喷射板的底面的仰视示意图。
[0037]图13和图14为示出根据本专利技术修改实施例的基板处理设备中的第一区域和第二区域中的第一喷射板、第二喷射板以及突出路径的侧剖示意图的局部放大图。
具体实施方式
[0038]以下，将参照相关图式详细说明根据本专利技术的基板处理设备的实施例。在图3中，结合于第一电极的底面的突出电极被省略。在图4至9、图13和图14中，虚线为省略线。在图12中，结合于第一喷射板的底面的突出路径被省略。
[0039]请参见图1，根据本专利技术的基板处理设备1在基板S上进行处理工艺。基板S可以为硅基板、玻璃基板、金属基板等。根据本专利技术的基板处理设备1可以进行在基板S上沉积薄膜的沉积工艺、移除沉积在基板S上的薄膜的一部分的蚀刻工艺等。举例来说，根据本专利技术的基板处理设备1可以进行如化学气相沉积(chemical vapor本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理设备，包括：处理腔体，提供用于处理基板的反应空间；基板支撑单元，支撑所述基板；第一电极，安装在所述处理腔体中，所述第一电极与所述基板相对且包括朝所述基板突出的多个突出电极；以及第二电极，设置在所述第一电极之下，所述第二电极包括多个开口，所述多个突出电极插设于所述多个开口中，其中，所述多个突出电极中的设置在第一区域中的第一突出电极和设置在位于所述第一区域之外的第二区域中的第二突出电极突出不同的长度。2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第一突出电极朝所述基板突出的长度长于所述第二突出电极朝所述基板突出的长度。3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第二突出电极朝所述基板突出的长度长于所述第一突出电极朝所述基板突出的长度。4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中：所述第一突出电极包括喷射第一气体的第一喷射孔，所述第二突出电极包括喷射第二气体的第二喷射孔，并且所述第一喷射孔的面积与所述第二喷射孔的面积不同。5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，插设于所述开口中的所述第一突出电极和所述第二突出电极中的一者与所述第二电极的底面位于同一平面中。6.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第二电极的位于所述第一区域中的一部分和所述第二电极的位于所述第二区域中的另一部分朝所述基板突出不同的长度。7.一种基板处理设备，包括：处理腔体，提供用于处理基板的反应空间；基板支撑单元，支撑所述基板；第一电极，安装在所述处理腔体中，所述第一电极与所述基板相对且包括朝所述基板突出的多个突出电极；以及第二电极，设置在所述第一电极之下，所述第二电极包括多个开口，所述多个突出电极插设于所述多个开孔中，其中，所述第二电极的位于第一区域中的一部分和所述第二电极的位于所述第一区域之外的第二区域中的另一部分以不同的长度与所述基板支撑单元间隔开。8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述第二电极的位于所述第一区域的所述一部分与所述基板支撑单元间隔开的距离长于所述第二电极的位于所述第二区域的所述另一部分与所述基板支撑单元间隔开的距离。9.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述第二电极的位于所述第二区域的所述另一部分与所述基板支撑单元间隔开的...

【专利技术属性】
技术研发人员：史胜晔，李智勋，张大洙，全富一，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：