本发明提供一种等离子体电弧监测方法，在利用该对静电吸盘的电信号进行电弧的监测时，通过将电信号与第一阈值进行比较，获得第一比较波形，通过将电信号与第二阈值进行比较，获得第二比较波形，由于第一阈值较小，第一比较波形的脉冲具有更长的持续时间，...

本发明涉及一种用于等离子体处理器的磁场分布调节装置及其调节方法，在同圆心布置在反应腔大气侧的多组线圈上分别施加直流电源，并且对应调整电流的大小及方向，使各组线圈分别产生的低频的静磁场在叠加后，在沿晶片径向位置划分的不同区域能够获得强度不...

本发明公开了一种用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法，包含如下步骤：步骤1：在TSV刻蚀完成后，在反应腔中，对硅通孔的侧壁进行氧化；步骤2：在反应腔中，对经氧化后的硅通孔的侧壁进行刻蚀，去除硅通孔的侧壁经氧化所形成的氧化层。本发明...

本发明提供了一种等离子体处理装置及在等离子体处理装置内处理基片的方法。所述等离子体处理装置包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极及一下电极，本发明在所述下电极外围环绕设置一中空绝缘环，并在所述中空绝缘环内设置一射频线圈，通过在清洁工艺中...

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极和一下电极，一供电装置设置于所述下电极下方，将射频功率施加到所述下电极上，所述下电极下方设置管道和电线，所述供电装置包括空心的射频输送管道，所述管道和电线设置于所述...

本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备，该控制方法包括：获取内线圈相对于外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节第二电容的电容值，使得射频功率分配器中，内线圈相对于外线圈的电流比处于期望值。功率分配器为双线圈结构，第二...

本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备，该控制方法包括：获取内线圈相对于外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节第二电容的电容值以及第四电容的电容值，使得内线圈相对于外线圈的电流比处于期望值。功率分配器为双线圈结构，第...

本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器、控制器以及ICP设备，该控制方法包括：获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；计算所述电流比为所述期望值时对应的所述第一电容以及所述第二电容的电容值；根据计算结果调节所述第一电容以及所述...

本发明提供了一种避免真空腔腔门过冲的启闭装置及真空腔室，包括具有线性驱动轴的线性驱动部件和接头部件，接头部件一端固定于腔门边缘，接头部件另一端具有一连接孔；线性驱动部件的一端活动连接于真空腔的外壁上，另一端和接头部件另一端通过连接孔进行...

本发明提供一种等离子体处理装置，用以改善磁屏蔽效果。所述装置包括：反应腔，内部设置有处理空间；基座，设置在反应腔内，用于放置基片；等离子体产生单元，用于将处理空间内的气体解离为等离子体；磁屏蔽件，位于处理空间的外围，包括相互隔离的至少两...

一种电感耦合等离子处理器，包括：反应腔侧壁以及位于反应腔侧壁上方的绝缘材料窗共同围绕构成反应腔，反应腔内包括一基座，待处理基片固定到基座上方，绝缘材料窗上方包括射频感应装置；所述电感线圈装置通过一个第一匹配器联通到第一射频电源；其特征在...

一种电感耦合等离子处理器，包括：一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括：反应腔体侧壁以及反应腔侧壁顶部依次叠放的一气体聚焦环、一上盖环，上盖环上方的绝缘材料窗。所述气体聚焦环包括中心的开口部和外侧的环形部，外侧环形部的上下表面通过环形...

一种晶片顶升装置及其顶升方法，利用第一顶升组件完成第一顶升阶段，微型气缸驱动顶杆组件上升顶起晶片，使晶片与静电吸盘分离，利用第二顶升组件完成第二顶升阶段，气缸进一步驱动微型气缸和顶杆组件将晶片顶升至设定距离。本发明采用微型气缸来实现第一...

本发明公开了一种等离子体刻蚀光刻胶装置，包括一反应腔及一设置在反应腔上方的反应气体源，所述反应腔内设置一基座用以支撑基片，所述基片上方设置至少一气体分布板用以实现反应气体均匀分布至基片表面，所述气体分布板包括一铝或铝合金主体及包覆在所述...

一种基片支撑台，包括：静电夹盘、加热器和基座，静电夹盘安装到加热器上方，加热器固定到基座上表面；其中所述基座内包括冷却液流通管道；所述加热器包括加热元件用于产生热量，还包括位于加热元件上方的上绝缘材料层和位于加热元件下方的下绝缘材料层，...

本发明提供了一种博世工艺中刻蚀硅基片的方法，针对沉积步骤和刻蚀步骤分别采用两组气体的切换交替进入工艺腔，在不需要调整MFC的响应速度的前提下，就可以使沉积步骤和刻蚀步骤相应的工艺时间步长缩短，也即是本发明利用了MFC的响应时间延迟来巧妙...

一种等离子处理装置，包括：反应腔，一基座位于反应腔内下方用于固定基片，一射频电源连接到基座内的下电极，一气体喷淋头位于反应腔顶部，反应腔内包括至少一待测温部件，所述待测温部件包括第一表面面向基座上方的基片，还包括一第二表面位于所述第一表...

一种实现外磁场屏蔽的等离子处理器，包括：一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括：反应腔体侧壁、反应腔体顶盖，反应腔体内包括一基座，基座上方包括静电夹盘用于固定待处理基片，基片与反应腔体顶盖之间包括等离子产生空间，用于电离通入反应腔体的...

一种半导体处理器，包括：一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括：反应腔体侧壁以及位于反应腔体内的一基座，基座上方包括一加热器，加热器上方固定有静电夹盘用于固定待处理基片，其特征在于所述加热器包括下层加热层和上层加热层，其中下层加热层通...

一种用于电感耦合等离子处理器的光学探测系统，本发明将光学探测系统集成到位于反应腔顶部绝缘材料窗中心的气体喷头中，在保证气体均匀分布的同时，还能探测位于中心区域的刻蚀数据。通过凹陷开口、下层镀膜等方法保证了透明进气片能够长期稳定运行，倾斜...