一种等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极和一下电极，一供电装置设置于所述下电极下方，将射频功率施加到所述下电极上，所述下电极下方设置管道和电线，所述供电装置包括空心的射频输送管道，所述管道和电线设置于所述空心的射频输送管道内，不仅大大节约了下电极内部的空间，使得下电极内部有更多的空间实现对其他部件进行改进，同时，将材质较软的液体输送管道、气体输送管道及电线设置在形状较为固定的射频传输通道内部，避免了其在工艺过程中由于形状改变或位置改变导致的与接地环之间的距离发生改变进而对反应腔内的电场分布造成的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置
本专利技术涉及等离子体处理腔的电场分布调节领域，尤其涉及能够实现等离子体处理腔内电场分布稳定可控的

技术介绍
在等离子体处理装置中，一般包括圆柱形或其他形状的反应腔室，在反应腔室的底部设置有用于放置被处理基片的下电极，在反应腔室的顶部设置有上电极，所述上电极与所述下电极相对设置并在之间形成等离子体产生空间，通过在上电极和下电极之间施加射频电压，使得通入反应腔室内的气体形成等离子体，进而可以对放置在下电极上的被处理基片进行处理。所述上电极和所述下电极之间形成的电磁场使得低压的反应气体被电离产生等离子体，电磁场强度能否均匀分布决定等离子体在反应腔室中能否均匀分布，从而决定待处理基片能否处理均匀；故电磁场在上下电极间的均匀分布是决定被处理基片加工能否均匀的关键因素。目前常用的射频电压通常施加于所述下电极，射频功率源通过射频匹配网络和射频输送棒与下电极相连，在下电极上方形成电磁场。在等离子体处理工艺中，不仅要向下电极施加射频功率，为了维持工艺所需的温度还需要在下电极内设置温度调节系统，因此，反应腔室内还需要设置控制温度调节系统的液体输送管道、电缆等线路，众多的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极和一下电极，一供电装置设置于所述下电极下方，将射频功率施加到所述下电极上，其特征在于：所述下电极下方设置管道和电线，所述供电装置包括空心的射频输送管道，所述管道和电线设置于所述空心的射频输送管道内。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极和一下电极，一供电装置设置于所述下电极下方，将射频功率施加到所述下电极上，其特征在于：所述下电极下方设置管道和电线，所述供电装置包括空心的射频输送管道，所述管道和电线设置于所述空心的射频输送管道内。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述供电装置包括三根空心的射频输送管道，所述三根射频输送管道与所述下电极有三个电连接点，所述三个电连接点构成一个同心圆。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述三个电连接点中相邻两电连接点的距离相等。4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述管道包括液体输送管道和气体输送管道，所述液体输送管道，所述气体输送管道和所述电线分别位于一根射频输送管道内部。5.如权利要求4所述的等离子体处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈妙娟，吴狄，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31