等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于对基底进行等离子体处理的等离子体处理装置，包括：腔，包括一个或多个壁，其中腔的壁的一部分是由含金属的材料形成且构造成用作电感耦合等离子体源的初级绕组的电极结构；以及电信号供应设备，用于供应电信号，所述电信号驱动电极结构作为电感耦合等离子体源的初级绕组，以将电感耦合等离子体保持在腔内。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及一种等离子体处理装置。本专利技术还涉及一种相关的等离子体处理方法。
技术介绍
许多工业应用涉及等离子体的使用，以产生活性物质(例如离子、电子、原子、分子和自由基)来满足处理要求。经常，需要以较高的功率密度进行操作来提高反应速度。在半导体或平板处理中更常使用的等离子体源的类型之一是电感耦合等离子体(ICP)反应器。通常，将RF功率施加到在外部布置的天线、线圈或带，结果使得能量通过介电性容器或窗感应性地耦合到处理腔中。将合适的气体或气态混合物以相对低的压力引入处理腔中并产生气体排放。图1a和图1b示出了现有技术ICP设计的示例。图1a和图1b均示出了具有介电性圆柱本体的处理腔10、RF馈送点12,14和调谐电容器20。图1a示出了在外部围绕腔10的介电性部分布置的两匝ICP线圈16。图1b示出了在外部围绕腔10的介电性区域布置的单匝ICP线圈。由于传统的介电材料的相对弱的导热性，从这种类型的系统去除热量可能成为问题。使用具有提高的热特性的更先进的介电材料是可能的。先进的介电材料的示例是AlN。然而，这些先进的材料是昂贵的，此外，它们产生了设计限制，这些设计本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对基底进行等离子体处理的等离子体处理装置，包括：腔，包括一个或多个壁，其中，所述腔的壁的一部分是电极结构，所述电极结构是由含金属的材料形成的并且被构造成用作电感耦合等离子体源的初级绕组；以及电信号供应设备，用于供应电信号，所述电信号驱动所述电极结构作为电感耦合等离子体源的初级绕组，以将电感耦合等离子体保持在所述腔内。

【技术特征摘要】
2016.03.01 GB 1603581.81.一种用于对基底进行等离子体处理的等离子体处理装置，包括：腔，包括一个或多个壁，其中，所述腔的壁的一部分是电极结构，所述电极结构是由含金属的材料形成的并且被构造成用作电感耦合等离子体源的初级绕组；以及电信号供应设备，用于供应电信号，所述电信号驱动所述电极结构作为电感耦合等离子体源的初级绕组，以将电感耦合等离子体保持在所述腔内。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电极结构是单匝结构。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述电极结构是围绕所述腔的外周形成单匝的单个不连续带。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述电极结构包括围绕所述腔的外周形成单匝的多个间隔开的带段。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述带段是被腔壁的由介电材料形成的多个部分间隔开的。6.根据权利要求4或权利要求5所述的装置，其中，所述带段与所述电信号供应设备并联连接。7.根据权利要求4至6中任一项所述的装置，其中，所述带段在它们的中点处接地。8.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述电极结构的靠近基底支撑件的下部区域包括防止在所述下部区域中形成初级电流路径的一个或多个不连续部。9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述不连续部是在所述电极结构中形成的槽。10.根据从属于权利要求4至7中任一项的权利要求8或权利要求9所述的装置，其中，所述电极结构中的每个带段的下部区域包括不连续部。11.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述含金属的材料是金属。12.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述电极结构与所述腔的内部直接通信。13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述电极结构穿过至少一个腔壁而从所述至少一个腔壁的外表面延伸到内表面。14.根据任一前述权利要求所述的装置，还包括布置在所述腔内的基底支撑件。15.根据权利要求14所述的装置，还包括用于将所述基底装载在所述基底支撑件上的装载机构。16.根据任一前述权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·贝内特，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB