一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备技术

本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备，该控制方法包括：获取内线圈相对于外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节第二电容的电容值以及第四电容的电容值，使得内线圈相对于外线圈的电流比处于期望值。功率分配器为双线圈结构，第二电容的电容值以及第四电容的电容值改变时，内线圈相对于外线圈的电流比不同，进而射频功率分配器的输出的电磁场不同。控制方法根据第二电容的电容值以及第四电容的电容值与电流比之间的函数关系，可以快速确定不同电流比时对应的第二电容的电容值以及第四电容的电容值，直接调节第二电容以及第四电容获取电流比的期望值，进而调节功率分配器的电流，达到调整功率相对分配的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备
本专利技术涉及半导体器件制作
，更具体的说，涉及一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备。
技术介绍
随着微电子机械器件和微电子机械系统(MicroElectromechanicalSystem，简称MEMS)被越来越广泛的应用于汽车和电费电子等领域，硅通孔(ThroughSiliconVia，简称TSV)刻蚀技术在未来封装领域具有广阔前景，深硅刻蚀工艺逐渐成为MEMS制造领域和TSV技术中最炙手可热的工艺之一。电感耦合等离子体(ICP)设备是一种MEMS制造领域和TSV技术中的常用设备，ICP设备通过磁场产生等离子体，所述等离子体用于轰击硅晶圆，对硅晶圆进行刻蚀。如何调节磁场是电感耦合等离子体设备领域亟待解决的问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备，通过调节所述内线圈相对于所述外线圈的电流比可以调节射频功率分配器的磁场。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种控制方法，用于射频功率分配器，该射频功率分配器包括：外线圈、内线圈、第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容；所述外线圈的一端通过所述第一电容连接第一节点，其另一端通过所述第三电容连接第二节点，所述第一节点用于连接射频匹配电路，并通过射频匹配电路连接到射频电源，所述第二节点用于连接接地端；所述内线圈的一端通过所述第二电容连接所述第一节点，其另一端通过所述第四电容连接所述第二节点；该控制方法包括：获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述射频功率分配器中，所述内线圈相对于所述外线圈的电流比处于所述期望值；其中，所述预设函数的计算方法包括：在所述射频功率分配器处于平衡状态时，获取所述第一电容的平衡电容值C1b、所述第二电容的平衡电容值C2b、所述第三电容的平衡电容值C3b以及所述第四电容的平衡电容值C4b；在所述第一电容为C1b，且所述第三电容为C3b时，获取所述电流比的第一线性函数Ii1，Ii1＝A1*Cinner+B1，A1以及B1为常数；在所述第一电容为(1+Δ)*C1b，且所述第三电容为(1+Δ)*C3b时，获取所述电流比的第二线性函数Ii2，Ii2＝A2*Cinner+B2，A2以及B2为常数，Δ为小于1的正数；在所述第一电容为(1-Δ)*C1b，且所述第三电容为(1-Δ)*C3b时，获取所述电流比的第三线性函数Ii3，Ii3＝A3*Cinner+B3，A3以及B3为常数；根据所述第一线性函数、所述第二线性函数以及所述第三线性函数获取所述预设函数，定义所述预设函数为I，则I＝α*Ii1+γ*Ii2+β*Ii3，α、γ以及β为常数；其中，在所述内线圈的电压平衡时，Cinner为所述第二电容以及所述第四电容的组合电容值。可选的，在上述控制方法中，所述获取所述电流比的第一线性函数Ii1包括：在所述第一电容为C1b，且所述第三电容为C3b时，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述内线圈的电压平衡后，获取不同的组合电容值以及每一组合电容值对应的所述电流比；根据多个所述组合电容值，以及各个所述组合电容值对应的所述电流比，进行线性拟合获取所述第一线性函数Ii1。可选的，在上述控制方法中，所述获取所述电流比的第二线性函数Ii2包括：在所述第一电容为(1+Δ)*C1b，且所述第三电容为(1+Δ)*C3b时，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述内线圈的电压平衡后，获取不同的组合电容值以及每一组合电容值对应的所述电流比；根据多个所述组合电容值，以及各个所述组合电容值对应的所述电流比，进行线性拟合获取所述第二线性函数Ii2。可选的，在上述控制方法中，所述获取所述电流比的第三线性函数Ii3包括：在所述第一电容为(1-Δ)*C1b，且所述第三电容为(1-Δ)*C3b时，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述内线圈的电压平衡后，获取不同的组合电容值以及每一组合电容值对应的所述电流比；根据多个所述组合电容值，以及各个所述组合电容值对应的所述电流比，进行线性拟合获取所述第三线性函数Ii3。可选的，在上述控制方法中，所述第二电容的变化量不超过所述第二电容的平衡值的50％，所述第四电容的变化量不超过所述第四电容的平衡值的50％。可选的，在上述控制方法中，Δ大于0，且小于50％。本专利技术还提供了一种射频功率分配器，该射频功率分配器包括：外线圈、内线圈、第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容；所述外线圈的一端通过所述第一电容连接第一节点，其另一端通过所述第三电容连接第二节点，所述第一节点用于连接射频匹配电路，并通过射频匹配电路连接到射频电源，所述第二节点用于连接接地端；所述内线圈的一端通过所述第二电容连接所述第一节点，其另一端通过所述第四电容连接所述第二节点；其中，所述控制器用于获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值，按照预设函数，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述射频功率分配器中，所述内线圈相对于所述外线圈的电流比处于所述期望值。优选的，在上述射频功率分配器中，所述控制器包括：获取单元，所述获取单元用于获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；处理单元，所述处理单元用于按照预设函数，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述射频功率分配器中，所述内线圈相对于所述外线圈的电流比处于所述期望值。本专利技术还提供了一种电感耦合等离子体设备，包括上述射频功率分配器。通过上述描述可知，本专利技术提供的射频功率分配器的控制方法，所述射频功率分配器包括：外线圈、内线圈、第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容；所述外线圈的一端通过所述第一电容连接第一节点，其另一端通过所述第三电容连接第二节点，所述第一节点用于连接射频匹配电路，并通过射频匹配电路连接到射频电源，所述第二节点用于连接接地端；所述内线圈的一端通过所述第二电容连接所述第一节点，其另一端通过所述第四电容连接所述第二节点。所述控制方法包括：获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述射频功率分配器中，所述内线圈相对于所述外线圈的电流比处于所述期望值。所述功率分配器为双线圈结构，第二电容的电容值以及第四电容的电容值改变时，所述内线圈相对于所述外线圈的电流比不同，进而所述射频功率分配器输出的电磁场不同。所述控制方法根据所述第二电容的电容值以及第四电容的电容值与所述电流比之间的函数关系，可以快速确定不同电流比时对应的所述第二电容的电容值以及第四电容的电容值，直接调节第二电容以及第四电容获取电流比的期望值，进而调节功率分配器的磁场，可以通过调节功率分配器的电流，达到调整输出功率相对分配的目的。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为申请实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制方法，用于射频功率分配器，其特征在于，该射频功率分配器包括：外线圈、内线圈、第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容；所述外线圈的一端通过所述第一电容连接第一节点，其另一端通过所述第三电容连接第二节点，所述第一节点用于连接射频匹配电路，并通过射频匹配电路连接到射频电源，所述第二节点用于连接接地端；所述内线圈的一端通过所述第二电容连接所述第一节点，其另一端通过所述第四电容连接所述第二节点；该控制方法包括：获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述射频功率分配器中，所述内线圈相对于所述外线圈的电流比处于所述期望值；其中，所述预设函数的计算方法包括：在所述射频功率分配器处于平衡状态时，获取所述第一电容的平衡电容值C1b、所述第二电容的平衡电容值C2b、所述第三电容的平衡电容值C3b以及所述第四电容的平衡电容值C4b；在所述第一电容为C1b，且所述第三电容为C3b时，获取所述电流比的第一线性函数Ii1，Ii1＝A1*Cinner+B1，A1以及B1为常数；在所述第一电容为(1+Δ)*C1b，且所述第三电容为(1+Δ)*C3b时，获取所述电流比的第二线性函数Ii2，Ii2＝A2*Cinner+B2，A2以及B2为常数，Δ为小于1的正数；在所述第一电容为(1‑Δ)*C1b，且所述第三电容为(1‑Δ)*C3b时，获取所述电流比的第三线性函数Ii3，Ii3＝A3*Cinner+B3，A3以及B3为常数；根据所述第一线性函数、所述第二线性函数以及所述第三线性函数获取所述预设函数，定义所述预设函数为I，则I＝α*Ii1+γ*Ii2+β*Ii3，α、γ以及β为常数；其中，在所述内线圈的电压平衡时，Cinner为所述第二电容以及所述第四电容的组合电容值。...

【技术特征摘要】
1.一种控制方法，用于射频功率分配器，其特征在于，该射频功率分配器包括：外线圈、内线圈、第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容；所述外线圈的一端通过所述第一电容连接第一节点，其另一端通过所述第三电容连接第二节点，所述第一节点用于连接射频匹配电路，并通过射频匹配电路连接到射频电源，所述第二节点用于连接接地端；所述内线圈的一端通过所述第二电容连接所述第一节点，其另一端通过所述第四电容连接所述第二节点；该控制方法包括：获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述射频功率分配器中，所述内线圈相对于所述外线圈的电流比处于所述期望值；其中，所述预设函数的计算方法包括：在所述射频功率分配器处于平衡状态时，获取所述第一电容的平衡电容值C1b、所述第二电容的平衡电容值C2b、所述第三电容的平衡电容值C3b以及所述第四电容的平衡电容值C4b；在所述第一电容为C1b，且所述第三电容为C3b时，获取所述电流比的第一线性函数Ii1，Ii1＝A1*Cinner+B1，A1以及B1为常数；在所述第一电容为(1+Δ)*C1b，且所述第三电容为(1+Δ)*C3b时，获取所述电流比的第二线性函数Ii2，Ii2＝A2*Cinner+B2，A2以及B2为常数，Δ为小于1的正数；在所述第一电容为(1-Δ)*C1b，且所述第三电容为(1-Δ)*C3b时，获取所述电流比的第三线性函数Ii3，Ii3＝A3*Cinner+B3，A3以及B3为常数；根据所述第一线性函数、所述第二线性函数以及所述第三线性函数获取所述预设函数，定义所述预设函数为I，则I＝α*Ii1+γ*Ii2+β*Ii3，α、γ以及β为常数；其中，在所述内线圈的电压平衡时，Cinner为所述第二电容以及所述第四电容的组合电容值。2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述获取所述电流比的第一线性函数Ii1包括：在所述第一电容为C1b，且所述第三电容为C3b时，调节所述第二电容的电容值以及所述第四电容的电容值，使得所述内线圈的电压平衡后，获取不同的组合电容值以及每一组合电容值对应的所述电流比；根据多个所述组合电容值，以及各个所述组合电容值对应的所述电流比，进行线性拟合获取所述第一线性函数Ii1。3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述获取...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伟义，黄智林，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31