温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种等离子体处理装置,包括一反应腔,所述反应腔内设置一上电极和一下电极,一供电装置设置于所述下电极下方,将射频功率施加到所述下电极上,所述下电极下方设置管道和电线,所述供电装置包括空心的射频输送管道,所述管道和电线设置于所述空心...该专利属于中微半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种等离子体处理装置,包括一反应腔,所述反应腔内设置一上电极和一下电极,一供电装置设置于所述下电极下方,将射频功率施加到所述下电极上,所述下电极下方设置管道和电线,所述供电装置包括空心的射频输送管道,所述管道和电线设置于所述空心...