本发明公开了一种可提高等离子体处理全局均匀性的等离子体约束环、等离子体处理装置与处理方法。其中，该等离子体约束环包括呈环形的壁体，所述壁体所环绕的空间用于约束等离子体于其内，所述壁体包括：呈环形的内壁，由导体或半导体材料制成；呈环形的外...

本发明公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法和装置中，等离子体阻抗匹配过程不局限于一个脉冲周期内，不论是高射频功率阶段等离子体阻抗匹配过程还是低射频功率阶段的等离子体阻抗匹配过程均可以在不同脉冲周期内进行，因此，本发明提...

本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号；一光谱仪，用于接收等离子体处理装置内发出的光信号...

本发明提供了一种设有反馈去夹持系统的等离子体处理装置，包括一等离子体处理腔室，及放置在所述等离子体处理腔室内的静电夹盘，所述静电夹盘用于支撑基片，所述带反馈去夹持系统升举装置；与所述升举装置的末端相连的气缸；驱动气缸运行的气体输送线路以...

本发明公开一种监测等离子体工艺制程的方法，将一基片放置在一等离子体处理腔室内进行等离子体处理，所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪；等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号，所述背景光信号中包括波长已知的参考光信号；启...

本发明公开了一种基片处理方法及设备。其中，该方法包括：将基片送入由多个壁围成的反应腔内；向反应腔内通入刻蚀气体，以对基片进行刻蚀；通过设置在所述壁上的检测窗口获取反应腔内的光学信号，以确定刻蚀终点；在刻蚀过程中，在检测窗口处形成保护气流...

本发明公开了一种形成双大马士革结构的方法与一种等离子体刻蚀方法，以抑制fence缺陷的产生。其中，该形成双大马士革结构的方法，包括：在含硅介质层内形成连接孔；在含硅介质层的上方及连接孔内形成硬掩膜材料；在硬掩膜材料的上方形成光刻胶图案，...

本发明涉及一种感应耦合型等离子体处理装置，包含：底部与反应腔室顶部连通的套筒；连接射频源的感应耦合线圈，通过支撑组件环绕在法拉第屏蔽件外侧，使射频耦合通过法拉第屏蔽件的开口作用于其内侧的套筒。套筒的顶部和底部分别嵌入进气板外环部分和下支...

本发明提供一种带遮挡板的限流环装置与化学气相沉积设备及其调节方法，在反应腔内将耐热材料制成的遮挡板设置在限流环内侧及托盘外侧之间，通过该遮挡板将限流环内表面的全部或局部进行遮蔽，以阻挡从被加热的托盘射向被冷却的限流环的热辐射，并通过遮挡...

本发明公开了一种半导体基片反应室内部的部件及其制造方法，在铝或铝合金部件主体表面进行微弧氧化技术替代传统的阳极氧化技术，形成的微弧氧化涂层既可以直接作为铝或铝合金部件主体表面的防护层，与等离子体接触；也可以作为夹层，在其外表面再涂覆氧化...

一种等离子处理装置运行方法，所述等离子处理装置包括：反应腔，位于反应腔内下方的基座，一个射频电源连接到所述基座内的电极，一个基片固定装置设置于所述基座上，基片固定在所述基片固定装置上方，一个聚焦环围绕所述基片固定装置且位于所述电极上方，...

一种对MOCVD气体喷淋头预处理的方法，包括提供一反应腔，位于反应腔底部的抽气系统和固定在反应腔顶部的气体喷淋头，所述气体喷淋头内包括位于底部的冷却板和位于顶部的进气管道系统，处理步骤包括向反应腔内充入高压的预处理气体——排出预处理气体...

一种电感耦合等离子处理装置，包括：反应腔，绝缘材料窗位于反应腔顶部，一基座位于反应腔内下方用于固定基片，至少一基片设置于所述基座上，一电感线圈设置于绝缘材料窗上方，所述电感线圈包括一射频能量输入端位于绝缘材料窗中心区域上方，一匹配器包括...

本发明提供了一种静电吸盘装置，包括：静电吸盘、用于支撑所述静电吸盘的支撑结构以及用于测量静电吸盘温度的光纤温度传感器，所述光纤温度传感器包括传输光纤，所述传输光纤包括相互分离的第一传输光纤和第二传输光纤；当将所述静电吸盘组装到所述支撑结...

本发明公开了一种半导体加工设备，包含：反应腔；圆柱形陶瓷窗，圆柱形陶瓷窗为中空结构，其一端与反应腔联通；承载窗，设置在反应腔与圆柱形陶瓷窗之间，承载窗设有通孔，连通反应腔与圆柱形陶瓷窗；进气环，与承载窗相对，设置在圆柱形陶瓷窗的另一端；...

本发明公开了一种具有磁屏蔽功能的绝缘窗冷却装置，将壳体、磁屏蔽罩采用导磁材料制成，在壳体的一侧面设有均匀分布的多个冷却孔，并将磁屏蔽罩设置在带有多个冷却孔的壳体的一侧面上。使得电感耦合等离子体反应器在工作时，绝缘窗冷却装置既能够起到风冷...

本发明公开了一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过对被刻蚀硅在每次刻蚀前进行两次钝化，并且第一钝化步骤是在高压条件下进行，第二钝化步骤是在低压高偏置功率的条件下进行；通过第一钝化步骤能够确保聚合物快速地分布在被刻蚀硅的开口...

本发明公开了一种化学气相沉积装置及其清洁方法，通过在气体抽取部件内设置多个清洁部件，使得多个清洁部件与气体抽取部件的多个抽气孔位置分别对应；并且将每个清洁部件与限流环连接。当限流环上下移动时能够带动多个清洁部件移动，从而带动清洁部件中的...

本发明涉及一种多频脉冲等离子体处理装置，包含：反应腔室；其内顶部设有喷淋头，该喷淋头处设有第一电极；其内底部设有承载基片的基座；该基座处设有施加了第一射频功率电源和第二射频功率电源的第二电极，在基座和喷淋头之间形成主等离子体；移动环，沿...

本发明提供了一种半导体器件制备方法，在同一等离子体反应腔室内进行，包括：向反应腔室中通入第一刻蚀工艺气体，调节反应腔室内的第一刻蚀工艺所需的工艺参数，对半导体器件衬底进行第一刻蚀工艺；判断第一刻蚀工艺已达到刻蚀终点，停止反应腔室内第一刻...