本发明公开了一种气体输送装置，包括气体分流器，用于将反应气体分流为流量可控的多路以输出至等离子体反应腔体内的气体导流件的不同区域；气体调节器，用于接收经气体分流器输出的其中一路反应气体并将其分流为多条支路以输出至气体导流件上对应于该路反...

本发明提供了一种静电夹盘表层电荷的中和方法，包括：当待加工处理器件在等离子体反应腔体内处理完成后，将所述待加工处理器件从所述等离子体反应腔体内移除；其中，在所述待加工处理器件加工处理过程中，所述待加工处理器件利用施加在静电夹盘上的第一电...

一种ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置和方法，在ICP刻蚀器件中设置补偿装置，其包含至少一个补偿器以及连接该补偿器的驱动装置，所述的补偿器设置在感应线圈上方，补偿器产生的感应磁场抵消感应线圈产生的电磁场，根据检测到的等离子分布...

一种ICP刻蚀器件中的加热组件及加热组件设置方法，将一根完整的电阻丝组件分层设置，每一层电阻丝部分形成电阻丝层，电阻丝连接部分连接位于相邻电阻丝层内的电阻丝部分，相邻电阻丝层之间设置绝缘材料层，所有电阻丝层上的电阻丝部分形状相同且位置上...

本发明公开了一种用于从等离子体中选择性地阻止带电粒子通过的屏蔽装置，包括：位于反应腔室内的第一屏蔽板，其中形成多个第一贯通孔，所述第一屏蔽板具有导电材料，所述导电材料上施加一直流偏压；导电组件，设置于反应腔室内所述第一屏蔽板与等离子体源...

本发明公开了一种电感耦合型等离子体处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室顶部具有绝缘盖板，所述绝缘盖板具有一开口；垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒；卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈，所述第一电感耦合线...

本发明提供一种直流偏压测量系统及方法与吸着力调整系统及方法，先获取静电夹盘的射频电源的电压，并根据经验公式求取晶圆上存在的第一直流偏压值；直流电源根据第一直流偏压值反馈，产生顺利吸着晶圆的直流电压时，测得稳定状态下所述直流电源的漏电流，...

本发明公开了一种载片台，用于在等离子体刻蚀工艺中承载基片，所述基片位于所述载片台上方，该载片台包含：基底；设置在所述基底上方的第一电介质层；设置在所述第一电介质层上方的第二电介质层；设置在所述第一电介质层与第二电介质层之间的电极层；环绕...

本发明公开了一种防止堵塞的气体抽取装置，以及设置有该气体抽取装置的MOCVD设备。所述的MOCVD设备包含用于放置晶圆的反应腔以及设置在反应腔顶部的进气装置；气体抽取装置设置在反应腔底部，包含：多个抽气孔，沿周向均匀分布开设在气体抽取装...

本发明涉及一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法，在反应腔室的腔壁内侧布置移动环，并在所述移动环内设置电极；所述电极通过切换开关与射频电源连通，从而在由移动环限定的等离子体扩散范围的边缘区域形成边缘等离子体；或者，所述电极通过切换开关与...

本发明公开了一种整合多功能腔，其包含：处理腔，其设置在所述的整合多功能腔内上方，其一端连接所述的前端模块，用于在前端模块与处理腔之间传输基片，其另一端连接所述的传输腔，用于在处理腔与传输腔之间传输基片；ICP等离子体源，其连接所述的处理...

一种调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法，该温度调节装置设置在等离子体刻蚀腔内，包含设置在绝缘环内的绝缘密封组件，该绝缘密封组件通过气体通道连接到气体供应单元，绝缘密封组件中具有若干沟槽空间，这些沟槽空间通过气体通道与气体...

本发明公开了一种处理腔，所述的处理腔的一端连接所述的前端模块，用于在前端模块与处理腔之间传输基片，其另一端连接所述的传输腔，用于在处理腔与传输腔之间传输基片；所述处理腔连接一ICP等离子体源，所述的ICP等离子体源用于对处理腔内的基片进...

本发明公开了一种电感耦合等离子体陶瓷窗冷却装置，该装置包含：圆柱筒支架；与圆柱筒支架连接的绝缘板；均匀设置在绝缘板上的第一线圈；设置在绝缘板中部的第二线圈组件；设置在第二线圈组件上方的腔体顶部的风扇；与圆柱筒支架内顶部连接，环绕设置在第...

本发明提供了一种静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法，所述插入环为能够通入和排出流体的中空腔体结构，所述调整方法包括：步骤A、获取插入环的预定介电常数；所述预定介电常数由反应腔体内待加工晶圆上方的等离子体密度及其分布确定；步骤B、根...

本发明提供了一种晶圆载盘，其上表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域为多个向下凹陷的用于承载晶圆的承载区，不同所述第一区域之间通过第二区域隔离，在所述第一区域的表面上设置有预设结构，所述预设结构使得所述第一区域的表面面积增加。该预设结...

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室，其具有进气单元、夹持基片的静电夹盘和设于基片外周侧的聚焦环。聚焦环包括固定设置的第一部分和可移动地设置在第一部分上的第二部分。第二部分的最小内径大于第一部分的内径。驱动单元用于驱动聚焦环的...

本发明公开了一种用于化学气相沉积或外延层生长反应器的气体输送装置，包括一隔离板和一气体输送板，所述隔离板上方形成第一气体扩散区域，所述隔离板和所述气体输送板之间形成第二气体扩散区域；所述气体输送板上表面交替设置相互平行的纵长形的第一气体...

本发明提供一种气体喷淋头及其制作方法，用以降低制作的难度。其中的制作方法通过可包括以下步骤：提供第一部件与第二部件，在所述第一部件内形成第一气体通孔，在所述第二部件内形成第二气体通孔；以第一气体通孔与第二气体通孔相对齐的方式，将所述第一...

本实用新型提供一种MOCVD温度探测器的安装机构，该安装机构包含：探测器支架，其架设在反应腔顶部的腔体盖板上；连接块，其架设在探测器支架上，用于连接温度探测装置；探测器支架包含固定区域和/或滑轨区域；固定区域中连接块与探测器支架固定连接...