一种气体分配系统及等离子体祛光刻胶装置及其气体分配方法，利用连接气体源的调气板将气体通入等离子体祛光刻胶装置内，调气板的遮挡部用于阻挡气体电离发出的紫外光，避免紫外光直接照射到晶片表面造成晶片损伤，调气板的通气部用于引导气流进入等离子体...

本发明提供了用于真空腔盖启闭的铰链及其真空处理装置，包括：上铰链、下铰链，上铰链和下铰链通过栓销连接，上铰链的下连接端设置有偏心轴，连接孔偏心设置于偏心轴中；下铰链的上连接端设置有斜坡，斜坡位于栓销孔的下方；斜坡具有底端和倾斜面；本发明...

本发明涉及一种等离子体刻蚀方法，用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理，包括如下步骤：向反应腔室通入制程气体，制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体；在反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场，以使反应腔室中交替进行刻蚀制程...

一种真空环境中使用的机械臂，包括：一旋转平台，旋转平台上表面包括第一滑轨，一滑台设置在第一滑轨上可以沿第一滑轨滑动，一承载端固定到所述滑台上，所述承载端用于支撑基片或基片托盘，一个支撑基座支撑所述旋转平台，所述支撑基座上包括一个第一驱动...

本发明公开了一种带有封孔结构的阳极氧化层结构及封孔方法：首先，将阳极氧化层结构进行预热处理；其次，将预热处理后的所述阳极氧化层结构浸入特氟龙溶液内进行封孔处理；再次，将完成封孔处理的所述阳极氧化层结构进行晾干处理；最后，将所述阳极氧化层...

本发明提供一种等离子体处理装置及方法，用以改善等离子体分布的均匀性，其中，所述装置包括：反应腔；位于反应腔内的承片台，用于放置待处理基底；呈同心分布的若干电感耦合线圈，用于将反应腔内的气体等离子体化，包括第一、第二电感耦合线圈；射频功率...

本发明的公开了一种用于等离子反应装置的喷淋头加热冷却装置及方法，采用喷淋头结构、加热结构及冷却结构建立形成喷淋头加热冷却装置；上述部件的组合能够实现反应气体在进入等离子反应腔之前，反应气体在喷淋头结构、加热结构及冷却结构中进行充分混合、...

本发明一种多区主动矩阵温控系统，该温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含：组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线、电源返回线；每个温控模块包含：温控单元，其通电加热进行温度控制；半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其...

本发明提供一种用于ICP刻蚀机的电极结构，包括：电感线圈、电感线圈连接件、连接杆以及套筒；其中，电感线圈设置于绝缘窗上，绝缘窗设置于腔体盖上；连接杆两端分别连接电感线圈和电感线圈连接件；套筒为金属导体材料且接地连接，套筒的一端为端盖、另...

本发明公开了一种限制等离子体泄露的接地环，其设置在一反应腔内，该反应腔内包含一限制环；所述接地环位于所述限制环下方，其包含多个半径逐渐增大的同心接地圆环，每相邻两个同心接地圆环间的间距相等，并且间距为所述限制环上相邻两个同心圆环之间间距...

本发明提供了一种有效清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法，所述方法包括第一步骤和第二步骤，在所述第一步骤中，输送O

本发明公开了一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及其处理方法，包括一等离子体处理腔，所述等离子体处理腔内设置一基座，用于支撑基片，环绕所述基片设置一聚焦环，通过施加射频信号在聚焦环表面产生至少可叠加的两个自偏压，当聚焦环厚度随着等离子体轰...

本发明公开了一种用于等离子体处理装置的晶圆边缘处理组件，所述晶圆边缘处理组件位于一电感耦合等离子体处理装置的刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体内包括设置在底部的基座，基座上方设置有静电夹盘，晶圆设置在所述静电夹盘上；所述晶圆边缘处理组件包含边缘保...

本发明公开了一种等离子体处理装置的清洗方法，包括处理腔体内的部件清洗步骤及升降顶针表面的清洗步骤，施加射频功率源至基座，向处理腔体内引入清洗用反应气体，射频功率将清洗用反应气体激发为清洗等离子体，以对处理腔体内的各部件进行等离子体清洗；...

本发明涉及一种等离子体处理装置，包含：反应腔室；所述反应腔室内的顶部设有喷淋头，向反应腔室内引入清洁气体；所述喷淋头处设置有第一电极；所述的反应腔室内的底部设有基座；所述基座处设置有第二电极；移动环，其沿反应腔室的侧壁内侧设置；所述移动...

本发明提供一种聚焦环的温度调整装置及方法，等离子体辐射到聚焦环上的热量，通过与聚焦环下表面接触的第一导热垫、与第一导热垫下表面接触的绝缘环、与绝缘环下表面接触的第二导热垫，向下传递到与第二导热垫接触的基座，通过基座设置的冷却系统进行冷却...

本发明公开一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置，该装置包含等离子体反应腔，该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环，限制环下设有与限制环射频耦合的接地环；接地环与限制环之间设有间隔部件；该间隔部件...

本发明公开了一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置，在处理腔上方设置加热器，将处理腔与真空进样腔连接，同时确保传输腔能够分别与处理腔、真空进样腔及刻蚀腔相互贯通，实现晶片的传递。本发明提供的用于半导体晶片剥去光刻胶装置能够避免浪费晶片转移的时...

本发明公开了一种改善博世法刻蚀工艺终点监测准确性的方法与利用博世法进行刻蚀的方法，以改善工艺结果的稳定性和刻蚀终点监测结果的准确性。其中，所述改善博世法刻蚀工艺终点监测准确性的方法，包括：获取博世法刻蚀工艺的工艺菜单；更改工艺菜单中某些...

本发明提供一种半导体处理设备、系统与半导体处理设备的顶盖开启方法。所述半导体处理设备，包括反应腔，所述反应腔设置有主体部与顶盖，所述主体部上设置有导轨，所述顶盖上设置有用于开启顶盖的装置，所述装置包括：操作部，设置在顶盖的外表面一侧；轮...