本发明公开了一种移动环洁净维持系统，可阻止在等离子处理过程中等离子处理器中的移动环底部和外侧壁表面沉积形成聚合物；所述的移动环洁净维持系统包含：超声波换能器，安装在移动环中；超声波发生器，其输出端连接所述的超声波换能器。其优点是：通过超...

本发明提供一种多波长光学测量装置及其测量方法，该多波长光学测量装置包含：激光发生组件、光学组件、反射光接收组件、以及控制组件，多波长光学测量装置可以产生两种以上的具有不同波长的激光，不同波长的激光的反射率不会同时小于设定阈值，多波长光学...

本发明涉及一种过温保护装置及方法，适用于MOCVD设备，包含：信息采集装置，采集MOCVD设备的运行参数信息；信号转换装置，与信息采集装置连接，对采集到的MOCVD设备的运行参数信息进行信号转换；实时控制器，与信号转换装置连接，接收转换...

本发明提供一种排气系统及防止尘粒回流的装置及方法，通过实时监测真空泵的马达转速信号及过滤器上游及下游的气体压力，当测得的马达转速等于或低于设定的第一转速，并且测得的上下游压力的差值达到为当前工艺所设定的阈值时，控制阀门在马达转速下降到第...

本实用新型公开了一种晶片载体及其所在的化学气相沉积装置，包括：本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面，所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘；多个呈圆形的具有第一直径的凹穴，其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆...

本发明提供用于形成接触孔的方法与等离子体刻蚀方法，用以抑制栅上方氮化物层的肩部损伤。其中，所述等离子体刻蚀方法，包括：提供基片至等离子体刻蚀装置的反应腔，所述基片包括多个栅、位于栅上方及两侧的氮化物层、填充在相邻栅之间及氮化物层上方的氧...

本发明提供一种用于等离子处理器的射频电源控制装置，所述等离子处理器包括：一下电极，下电极上方设置有一静电夹盘，待处理晶圆设置在所述静电夹盘上，一个射频电源通过一个匹配电路输出射频功率到所述下电极，其中所述射频电源控制装置包括一个偏置电压...

本发明提供一种用于半导体设备的光学检测装置，能够监测刻蚀孔的开口尺寸或形貌变化。本发明光学检测装置包括一个腔体，腔体内包括一个基座，基座上固定有晶圆，晶圆上表面具有刻蚀形成的孔或槽，所述晶圆上方设置有一个参考光源用于发射参考光到所述晶圆...

本发明公开了一种博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法，其可更准确地确定刻蚀终点，避免过度刻蚀引起的基片损伤。在所述博世工艺中，连续监测并获得OES信号，其特征在于，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位，对所获得的OES信号进行处理，...

本发明提供等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘，用以改善刻蚀速度不均匀的缺陷。其中，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所...

本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置及方法，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号；一光谱仪，以第二脉冲频率采集所述反应腔内发...

本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置及方法，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向所述反应腔内的基片表面发射脉冲入射光；一光谱仪，用于采集所述反应腔内的光信号；一数据处...

本发明公开了一种带有气体注入装置的等离子体处理装置，所述反应气体注入装置，包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端靠近基片支撑装置，包括若干气体扩散通道；通过在所述绝缘外壳内表面设置一导...

本实用新型提供用于加热可旋转基片承载盘的发热体及CVD设备。其中，发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)；所述第一、二加热丝在所述基片承载盘上的加热区域至少部分重叠；所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆...

本发明提供一种电感耦合等离子处理装置，所述电感耦合等离子处理装置的电感线圈包括多个子线圈，每个子线圈覆盖下方绝缘材料窗的不同区域；一个射频电源通过匹配电路连接到所述多个子线圈的输入端，每个子线圈包括输出端电连接到地，一个控制器控制输入所...

本发明提供一种等离子处理装置的温度校准方法，等离子处理装置内包括加热器，加热器内包括多个可控独立加热区，所述温度校准方法包括：等离子处理步骤，点燃反应腔内的等离子体对基片进行处理，同时热成像装置停止工作；在温度校准步骤中，熄灭等离子体，...

本发明提供一种等离子体处理装置及基片制作方法，其中，包括反应腔体，其中所述反应腔体的至少部分顶板由绝缘材料制成的绝缘材料窗。基片支撑装置，设置于所述反应腔体中的所述绝缘材料窗的下方。射频功率发射装置位于所述绝缘材料窗上方，以发射射频功率...

本发明提供一种半导体处理装置及处理基片的方法，所述装置包括由顶板及反应腔侧壁围成的密封的反应腔，所述顶板构成射频窗，加热薄膜，紧邻所述射频窗上表面设置，包括加热丝及包覆所述加热丝的绝缘材料层；所述加热薄膜上设置开口，一排气装置通过所述开...

本发明提供一种电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法，用以改善半导体处理的均匀性。所述电容耦合等离子体处理装置，包括：反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；上电极，设置在所述顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率...

本发明提供一种等离子体处理装置、热电子发生器、等离子体点燃装置及方法，用于改善等离子体点燃。其中，所述等离子体处理装置包括：腔室，内部具有处理空间；气体入口，作为处理气体进入所述腔室的通道；热电子发生器，产生并输送热电子至腔室内；射频功...