意法半导体公司专利技术

意法半导体公司共有218项专利

  • 本发明涉及晶体管和用于制作晶体管的方法。在提供有掩埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)半导体晶片上,例如FD‑SOI和UTBB器件,构造具有部分凹陷栅极的晶体管。外延生长的沟道区域放松了对掺杂源极和漏极分布的设计的约束。部分凹陷栅极...
  • 本公开涉及一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。利用多个蚀刻步骤所形成的半导体封装件包括引线框架、管芯和模塑料。引线框架包括引线和管芯焊盘。引线和管芯焊盘通过多个蚀刻步骤由第一导电材料形成。更具体地,引线框架的引线和管芯焊盘通过至少...
  • 本公开涉及一种电子器件,包括:引线框,具有第一侧、第二侧、第一管芯焊盘、第二管芯焊盘、第一引线和第二引线,第一引线与第一管芯焊盘相关联,并且第二引线与第二管芯焊盘相关联;多个凹部,在第一引线与第二引线之间被定位在引线框的第二侧上;第一孔...
  • 方法包括在主代理处接收来自候选消费者代理的声明,该声明指示候选消费者代理的存在。每个声明包括对应的候选消费者代理的显示器的显示参数。方法进一步包括在主代理处接收来自生产者代理的内容参数,该内容参数定义了将由消费者代理提供的内容的特性。基...
  • 本实用新型提供了半导体封装件。使用可去除的背面保护层形成的半导体封装件包括引线框架、管芯焊盘、引线和围绕它们的模制化合物。管芯焊盘和引线的第一表面通过多个凹部暴露于外部环境。凹部通过在施加模制化合物之前将可去除的背面保护层耦合到引线框架...
  • 本公开涉及用于近场通信应答器设备中的有源负载调制的天线设计。一种近场通信(NFC)应答器包括耦合到发射天线的发射电路和耦合到接收天线的接收电路。发射/接收天线被配置以使得发射天线的操作没有在接收天线上引起信号。有利地,这允许接收天线的持...
  • 本公开涉及具有在焊球处耦合的单独模制的引线框和裸片的半导体封装。根据本文教导的原理,提供了用于半导体裸片的引线框阵列,其具有接收焊球的位置。然后,焊球被施加于引线框阵列,此后引线框阵列和焊球组合被置于第一模具中并且在第一模塑料中被包围。...
  • 一种集成电路包括源漏区、与该源漏区相邻的沟道区、在该沟道区之上延伸的栅极结构以及在该栅极结构的一侧上并且在该源漏区之上延伸的侧壁间隔物。提供了与该侧壁间隔物接触并且具有顶表面的电介质层。该栅极结构包括栅极电极和从该栅极电极作为突起延伸到...
  • 提供了用于具有安全规定的节能网络适配器的系统和方法。根据实施例,网络设备包括网络控制器和耦合到网络控制器的至少一个网络接口,该至少一个网络接口包括被配置为耦合到至少一个物理层接口(PHY)的至少一个介质访问控制(MAC)设备。网络控制器...
  • 本公开涉及的一种电子系统可以包括:运动传感器,被配置为响应于电子设备的移动生成运动信号;以及至少一个特征检测电路,被配置为基于运动信号确定至少一个度量。该系统可进一步包括分类电路,其被配置为基于至少一个度量确定电子设备是否与人体接触。
  • 本公开提供了高电压比较器。一种电子设备包括功率开关,该功率开关具有被耦合到第一节点的控制端子、被耦合到第二节点的第一传导端子以及被耦合到第三节点的第二传导端子。监控电路具有被耦合到第一节点的第一输入和被耦合到第二节点的第二输入,监控电路...
  • 本公开涉及在半导体芯片制造过程期间防止ESD。根据如本文所解释的本公开的原理,选定的引线通过金属带被电连接到引线框架,直到制造过程结束。引线框架通过制造过程接地,以防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中,引线彼此电...
  • 本公开涉及集成悬臂开关。一种纳米级机电开关形式的集成晶体管消除了CMOS电流泄露并且提高了开关速度。纳米级机电开关以从衬底的一部分延伸到腔中的半导悬臂为特征。悬臂响应于施加到晶体管栅极的电压而弯曲,因此在栅极下方形成导电沟道。当器件关断...
  • 本公开涉及一种使用预模制的引线框形成的、具有焊料可附着的侧壁的引线框封装件及其制造方法。将具有多个凹部和多个孔的金属镀覆的引线框放置到顶部和底部模制工具中。然后在引线框中的多个凹部和孔中形成模制化合物,以形成预模制的引线框。将多个管芯和...
  • 本公开涉及一种使用预模制的引线框形成的、具有焊料可附着的侧壁的引线框封装件及其制造方法。将具有多个凹部和多个孔的金属镀覆的引线框放置到顶部和底部模制工具中。然后在引线框中的多个凹部和孔中形成模制化合物,以形成预模制的引线框。将多个管芯和...
  • 本文中描述了一种操作电子设备的方法,该方法包括:从电子设备的至少一个传感器收集初始运动活动数据;以及使用运动活动分类器函数根据收集的初始运动活动数据来生成电子设备相对于其周围环境的初始概率上下文。将所收集的运动活动数据存储在训练数据集中...
  • 本公开提供了在模制期间具有背面保护层以防止模具溢料失效的封装件。使用可去除的背面保护层形成的半导体封装件包括引线框架、管芯焊盘、引线和围绕它们的模制化合物。管芯焊盘和引线的第一表面通过多个凹部暴露于外部环境。凹部通过在施加模制化合物之前...
  • 本发明的各个实施例涉及用于集成电路晶体管器件的背侧源极‑漏极接触及其制作方法。集成电路晶体管形成在衬底上和在衬底中。用金属材料至少部分地填充在衬底中的沟槽,以形成埋置在衬底中的源极(或者漏极)接触。衬底进一步包括外延生长在源极(或者漏极...
  • 半导体封装包括衬底、管芯、绝缘管芯贴装薄膜、仿真管芯、传导层和导电模塑料或密封剂。衬底的第一表面包括多个内部引线,并且衬底的第二表面包括多个外部导电焊盘和导电接地端子。非传导线上流动管芯贴装薄膜被放置以围绕并且包住管芯。仿真管芯覆在管芯...
  • 在一个实施例中,设备可以包括:第一传感器,被配置为在第一时间段和第二时间段期间生成第一传感器数据;第二传感器,被配置为在第一时间段期间被禁用,第二传感器还被配置为在第二时间段期间生成第二传感器数据;以及处理器,被配置为在第一时间段期间确...
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