本文公开了电压驱动器电路。一种低电压到高电压(LV2HV)转换电路具有被配置为接收输入信号(在相对较低的电压处)的输入和被配置为生成输出信号(在相对较高的电压处)的输出。LV2HV转换电路包括电压到电流转换电路，其以相对较低的电压为基准...

本公开涉及电压生成器电路。一种电压生成器电路使用反馈回路来调节输出节点处的输出电压。一对具有相反导电性的源极跟随器晶体管耦合到输出节点。源极跟随器晶体管中的第一个操作以提供用于对电容性负载进行充电的快速电流瞬变，电容性负载被可切换地连接...

集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。

集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。

本文公开了具有可编程差分和共模增益的线性高电压驱动器。一种低电压到高电压(LV2HV)转换电路具有被配置为接收输入信号(在相对较低的电压处)的输入和被配置为生成输出信号(在相对较高的电压处)的输出。LV2HV转换电路包括电压到电流转换电...

本公开涉及用于驱动电容性负载的低输出阻抗、高速高压电压生成器。一种电压生成器电路使用反馈回路来调节输出节点处的输出电压。一对具有相反导电性的源极跟随器晶体管耦合到输出节点。源极跟随器晶体管中的第一个操作以提供用于对电容性负载进行充电的快...

本公开涉及一种用于引线框架的设备和系统。该引线框架具有在引线框架的主体中的凹部，用以收集从将半导体管芯耦合至引线框架的制造工艺中溢流的胶。该凹部在半导体管芯的边缘下方延伸，使得粘合至半导体管芯的胶的任何趋势被该胶粘附至凹部的壁的趋势所抵...

本实用新型涉及一种半导体封装，包括衬底、管芯、绝缘管芯贴装薄膜、仿真管芯、传导层和导电模塑料或密封剂。衬底的第一表面包括多个内部引线，并且衬底的第二表面包括多个外部导电焊盘和导电接地端子。非传导线上流动管芯贴装薄膜被放置以围绕并且包住管...

本公开涉及一种半导体器件，其包括具有金属化侧壁的裸片，其中将连续金属层施加至晶片的背侧的每一边缘。在所述背侧中形成的多个沟道的底部处切割所述晶片以产生单独的裸片，所述单独的裸片分别具有作为所述裸片的侧壁的一部分的凸缘，并且包括被所述金属...

本申请涉及用于移动或可穿戴设备用户的上下文感知的方法和装置。本文公开了一种操作电子设备的方法。该方法包括激活第一感测设备，以及确定电子设备相对于其周围环境的第一概率上下文。该方法包括输出第一概率上下文，以及确定第一概率上下文的置信度度量...

本发明涉及用于电力线通信设备的零待机电力。一个实施例是集成片上系统(SoC)，该集成SoC包括通信接口和接收器标识(ID)探测功能，通信接口被配置用于实现通信协议，该通信接口包括功能模块，该功能模块被单独地激励或者去激励，使得使用最小的...

本公开涉及一种在无胶带引线框上且覆盖在封料中的半导体裸片。该半导体封装体包括从该引线框中形成的且电耦合到该半导体裸片的引线，可以通过嵌入封料中的电触点接入这些引线。通过从该引线框的相反侧蚀刻凹陷来形成这些引线与该引线框之间的开口。所得到...

一种用模制化合物进行封装的MEMS压力传感器。该MEMS压力传感器的特征是引线框、MEMS半导体裸片、第二半导体裸片、多组多条键合接线、以及模制化合物。该MEMS半导体裸片具有内部空腔、感测部件和孔。该MEMS半导体裸片和这些孔被暴露于...

公开了无线电力发射/接收设备、无线电力发射和接收电路。一种无线电力发射/接收设备包括电力发射/接收元件、多个开关、电流传感器和控制器。所述多个开关中的每个具有控制端子和导通端子，其中，所述导通端子耦合到所述电力发射/接收元件。所述电流传...

本申请涉及具有顺应性角的堆叠半导体封装体。一个或多个实施例涉及堆叠在柔性折叠衬底上的堆叠封装体，比如封装体上封装体(PoP)封装体。这些堆叠封装体具有顺应性角。具体地，这些堆叠封装体包括在该折叠衬底的层之间的这些角处的粘合材料。该粘合材...

公开了无线电力发射/接收设备和方法。一种无线电力发射/接收设备包括电力发射/接收元件、多个开关、电流传感器和控制器。所述多个开关中的每个具有控制端子和导通端子，其中，所述导通端子耦合到所述电力发射/接收元件。所述电流传感器感测通过所述电...

本申请涉及用于制造具有导电聚合物层的屏蔽集成电路封装体的方法。该方法包括：提供多个间隔开的IC裸片，这些IC裸片由衬底承载并且由共用包封材料覆盖，以及在相邻IC裸片之间切穿该共用包封材料，从而限定由该衬底承载的多个间隔开的IC封装体。导...

尽管有FinFET和应变硅器件的改进，晶体管仍然继续随着器件尺度缩减而遭受性能下降。这些性能下降具体包括在半传导沟道与衬底之间的电荷泄漏。隔离沟道FinFET器件通过在沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止沟道到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔...

通过在半传导沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止FinFET器件中的沟道到衬底泄漏。类似地，通过在源极/漏极区域与衬底之间插入绝缘层隔离源极/漏极区域与衬底来防止FinFET器件中的源极/漏极到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离传导路径与衬底...

本披露涉及具有用于反馈控制的微流体裸片和传感器的气雾栽培系统。具体地，本披露涉及一种用于植物生长的温室或单个容器，所述温室或单个容器耦合至物联网并且包括用于水或养分分配的微流体裸片。基于包括在生长环境内的传感器，所述微流体裸片是可自动控...