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意法半导体公司专利技术
意法半导体公司共有310项专利
用于电子设备的可重配置传感器单元制造技术
本发明的各个实施例涉及一种用于电子设备的可重配置传感器单元。一种电子设备包括在其上具有至少一个导电迹线的印刷电路板(PCB)。片上系统(SoC)安装在PCB上,并且电耦合至导电迹线。传感器芯片按照与SoC间隔开的方式安装在所述PCB上并...
具有不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件制造技术
本公开的实施例涉及具有不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件。带有不同电学特性的第一和第二晶体管由具有第一类型掺杂物的衬底支撑。该第一晶体管包括:在该衬底之内具有该第一类型掺杂物的阱区、在该阱区之内具有第二类型掺杂物的第一本体区...
带有悬臂式焊盘的叠层半导体封装体制造技术
一个或多个实施例涉及包括多个叠层封装体的带有一个或多个悬臂式焊盘的半导体封装体。在一个实施例中,凹陷位于封装体的衬底中、面朝悬臂式焊盘。悬臂式焊盘包括其上形成有导电球的导电焊盘。悬臂式焊盘被配置成用于吸收作用在封装体上的应力。
半导体器件和引线框制造技术
本公开涉及一种半导体器件和引线框。该半导体器件包括:引线框,包括裸片焊盘,所述裸片焊盘具有表面和在所述表面中的多个空腔;粘合剂,在所述裸片焊盘的所述表面上和所述多个空腔中;以及在所述粘合剂上的半导体裸片,所述半导体裸片包括多个拐角,所述...
以鳍式FET技术实现的集成式拉伸性应变硅NFET和压缩性应变硅锗PFET制造技术
对拉伸性应变的硅层进行图案化以形成在第一衬底区域中的第一组鳍以及在第二衬底区域中的第二组鳍。该第二组鳍覆盖有拉伸性应变的材料,并且执行退火以使在该第二组鳍中的拉伸性应变的硅半导体材料弛豫并在该第二区域中产生多个弛豫的硅半导体鳍。该第一组...
便携式移动订阅制造技术
本公开的实施例涉及便携式移动订阅。网络服务提供商向用户授权订阅,用于使用移动网络服务与特定移动装置对语音、数据和文本信息进行通信。移动装置存储有一个或多个订阅,这些订阅中的每一个订阅都可以被激活。现在使存储在移动装置中的被激活的订阅成为...
多目的地突发协议制造技术
本申请涉及多目的地突发协议。组播传输是高效的但是并不允许对数据被每个接收器所接收进行单独确认。这对于针对每个设备要求具体QoS水平的等时系统而言是无法接受的。提供了一种多媒体通信协议,其在多媒体等时系统中使用了新颖的多目的地突发传输协议...
通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知制造方法及图纸
本公开的实施例涉及通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知。分布式计算系统用于自主地了解智能装置的环境情境中的人工智能。原始情境数据由与智能装置相关联的传感器检测。原始情境数据由智能装置预处理,并且然后被提供至基于云的服务器以进行...
自对准硅锗鳍式FET制造技术
本发明涉及自对准硅锗鳍式FET。一种自对准SiGe鳍式FET器件的特征在于经弛豫的具有高锗浓度的沟道区。初始地形成经弛豫的沟道以接受锗,而不是首先将锗引入该沟道然后尝试使所产生的应变膜弛豫。以此方式,可以在没有应变或损坏晶格的情况下确立...
用于多核芯片的集成电路布局配线制造技术
一种集成电路片上系统(SOC)包括半导体衬底、由形成于该衬底中的多个晶体管构成的多个部件以及在这些部件之间提供电连接的多条互连线路。无沟道设计的使用消除了在芯片的顶部表面上的互连沟道。反而,互连线路在顶部金属化层内互相抵靠,从而保留了5...
碳化硅静电感应晶体管以及用于制作碳化硅静电感应晶体管的工艺制造技术
一种静电感应晶体管被形成在掺杂有第一导电类型的碳化硅衬底上。在碳化硅衬底的顶表面中的第一凹陷区域由原位掺杂有第二导电类型的外延生长栅极区域填充。原位掺杂有第一导电类型的外延生长沟道区域被定位在邻近的外延沟道区域之间。原位掺杂有第一导电类...
集成电路和制造集成电路的方法技术
本公开的实施方式涉及拉伸性硅和压缩性硅锗的共整合。在此披露了其中的邻近的pFET和nFET的应变特性是独立可调的集成电路。这些pFET包括在硅衬底上的压缩性应变SiGe,而这些nFET包括在应变弛豫的SiGe衬底上的拉伸性应变硅。通过镶...
用于改善半导体裸片拐角上的粘合剂圆角部的引线框制造技术
本公开涉及包括具有空腔的裸片焊盘的引线框和用于将半导体裸片附接到引线框的方法。空腔允许在半导体裸片的拐角处在裸片焊盘上形成附加粘合剂,并且防止附加粘合剂溢出到半导体裸片的有源区域上。
制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构技术
本公开涉及制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构。一种集成电路裸片包括具有第一半导体材料层、在第一半导体材料层上的电介质材料层以及在电介质材料层上的第二半导体材料层的衬底。晶体管的延伸沟道区域被定位在第二半导体材料层中,与第二半导...
电力线通信汽车网络制造技术
实施例是一种电力线通信(PLC)设备,包括实施了第一通信协议、由在交通工具的电力分布布线之上通信的收发器构成的通信接口。第一通信协议包括电力线通信汽车网络(PLCAN)定界符类型(DT)(PLCAN‑DT),以及在帧控制中的PLCA变量...
具有半导体鳍结构的隧穿场效应晶体管制造技术
本发明涉及具有半导体鳍结构的隧穿场效应晶体管。在支撑衬底上由半导体材料鳍形成一种隧穿场效应晶体管。该半导体材料鳍包括源极区、漏极区和介于该源极区与该漏极区之间的沟道区。栅极电极在该沟道区处跨坐于鳍之上。在该栅极电极的每一侧上提供多个侧壁...
用于表征运动的设备制造技术
本公开涉及一种用于表征运动的设备。在一个实施例中,设备可以包括:第一传感器,被配置为在第一时间段和第二时间段期间生成第一传感器数据;第二传感器,被配置为在第一时间段期间被禁用,第二传感器还被配置为在第二时间段期间生成第二传感器数据;以及...
通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法技术
本发明涉及通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法。描述了用于形成衬底的局域化的应变区域的方法和结构。沟槽可以在衬底的局域化区域的边界处形成。在局域化区域处的侧壁的上部部分可以由覆盖层覆盖,并且在局域化区域处的侧壁的下部部分可以不被覆盖。...
安全固件提供和设备绑定机制制造技术
本公开涉及安全固件提供和设备绑定机制。电子计算设备提供一种用于更新固件的方法。方法包括在电子设备处接收固件图像,电子设备具有处理器和被布置为存储由处理器执行的指令的存储器。在电子设备中,检索唯一设备标识符并且生成随机数。所生成的随机数被...
半导体裸片封装制造技术
本公开涉及半导体裸片封装。根据如本文所解释的本公开的原理,选定的引线通过金属带被电连接到引线框架,直到制造过程结束。引线框架通过制造过程接地,以防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中,引线彼此电隔离并与引线框架电隔...
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