一种半导体器件，包含具有主动组件区和被动组件区的基底，化合物半导体通道层、化合物半导体阻障层、第一化合物半导体盖层，依序设置于基底之上，且位于主动组件区，栅极电极设置于第一化合物半导体盖层上，源极电极和漏极电极设置于化合物半导体阻障层上...

本申请提供一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括具有第一导电类型的一衬底；形成于前述衬底上的一外延层，且前述外延层具有第一导电类型；自前述外延层的顶表面延伸至前述外延层中的一沟槽结构，前述沟槽结构包括一导电部以及包覆前述导电部的侧...

本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一磊晶层；至少一闸极沟槽，包括一下闸极沟槽和一上闸极沟槽，下闸极沟槽的宽度小于上闸极沟槽的宽度；至少一沟槽闸极结构，设置在至少一闸极沟槽中，至少一沟槽闸极结构包括：一底闸极结构，设置...

本申请公开一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括具有一第一导电类型的一基底、形成于前述基底上的一外延层、自前述外延层的顶表面延伸至外延层中的一井区、形成于前述外延层中且与前述井区的底表面接触的一漂移区、一栅极结构以及一导电结构...

一种半导体器件，包含高电子迁移率晶体管，设置在环状主动组件区中，以及电阻器，设置在被环状主动组件区围绕的被动组件区中。高电子迁移率晶体管包含化合物半导体阻障层的第一部份，堆栈在化合物半导体信道层的第一部份上，以及源极电极、栅极电极和漏极...

一种半导体装置，其包含半导体基底、磊晶层、复数第一金属结构、复数第一掺杂区、复数第二金属结构、复数第二掺杂区、导电层及肖特基层。磊晶层设置在半导体基底上。第一金属结构设置在该磊晶层中，并沿着第一方向延伸，且其在第二方向具有第一宽度。第一...

本发明公开了微机电系统封装及其制造方法，该微机电系统封装包括第一MEMS封装及第二MEMS封装，第二MEMS封装与第一MEMS封装横向隔开；第一MEMS封装包括：一第一元件基板，包括第一MEMS元件；一第一盖基板，键合到第一元件基板，其...

本申请公开一种静电放电保护电路以及电子电路；其中所述静电放电保护电路，包括第一晶体管至第三晶体管以及一放电电路。第一晶体管的漏极耦接接合垫，且其源极耦接第一节点。第二晶体管的栅极耦接电源端、其漏极耦接第一晶体管的栅极、以及其源极耦接接地...

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。此半导体结构包含基板、外延层、阱、栅极电极、导电结构与源极电极。基板具有第一导电型。外延层具有第一导电型并设置于基板上。阱具有不同于第一导电型的第二导电型并设置于外延层中。栅极电极设置于阱上。导电...

本发明实施例提供半导体装置。半导体装置包括半导体基板、第一深阱、至少两个第二阱、多个隔离结构以及注入区。第一深阱设置于半导体基板中，其中第一深阱具有第一导电类型。至少两个第二阱设置于第一深阱上，其中第二阱具有第二导电类型。多个隔离结构覆...

一种半导体结构的制造方法，包括提供衬底；在衬底上方形成图案化硬质掩膜层；刻蚀前述的图案化硬质掩膜层，使图案化硬质掩膜层有一引线孔至少贯穿图案化硬质掩膜层；在引线孔中形成阻挡部；去除图案化硬质掩膜层；在衬底内形成阱并对应阻挡部；以及形成栅...

本发明公开了一种微机电装置及其制造方法，该微机电装置包括第一基板、互连层、微机电装置层、停止部件和第二基板；互连层设置于第一基板上，包含交替堆栈的多个导电层与多个介电层；微机电装置层键合在互连层上，包含质量块；停止部件设置在质量块正下方...

一种半导体装置，包含第一导电类型的磊晶层设置于基底的表面上，沟槽设置于磊晶层中，栅极结构设置于沟槽内，包含上方导电部和下方导电部，介电分隔部设置于上方导电部和下方导电部之间，介电衬层设置于沟槽内且围绕栅极结构，介电衬层具有开口位于沟槽的...

一种半导体器件，包括绝缘基层、半导体层、绝缘层、隔离沟渠及吸除部位。半导体层及绝缘层依序设置于绝缘基层之上，且隔离沟渠设置于半导体层中且贯穿绝缘层。隔离沟渠由上至下包括第一截面、第二截面及第三截面，第一截面高于绝缘层的底面，第二截面及第...

本发明公开了一种电压追踪电路以及电子电路，所述电压追踪电路用以追踪第一电压端上的第一电压与第二电压端上的第二电压中的一个以产生输出电压。电压追踪电路包括第一与第二P型晶体管以及一控制电路。第一P型晶体管的漏极耦接第一电压端。第二P型晶体...

一种微机电装置，包含支撑基板、空腔、停止部件、微机电结构和键合介电层。空腔位于支撑基板的顶面，停止部件与空腔相邻，停止部件的顶面与支撑基板的顶面在同一高度。微机电结构设置于支撑基板上，微机电结构包含质量块和悬臂，质量块设置在停止部件正上...

一种非挥发性存储器装置的控制方法，非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管及控制电路，控制电路耦接于该组存储器单元、周期晶体管及参考晶体管。控制方法包含在该组存储器单元的编程操作或抹除操作时，控制电路读取周期晶体管，...

一种半导体装置，包含基底

本发明公开了一种半导体元件布局及布局改变的检查方法，该半导体元件布局，包括至少一层以上的半导体层以及一虚设层

本发明实施例提供半导体装置及其形成方法