【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种电压追踪电路，特别是有关于一种具有较低功率消耗的电压追踪电路。
技术介绍
1、一般而言，当n型金属氧化物半导体(n-type metal oxide semiconductor，nmos)用于一电子电路的高压侧时，可能会因为在其源/基极上发生过电压，使得nmos晶体管的寄生双极二极管导通，导致漏电流的发生。漏电流会导致电子电路过热，并且损坏电子电路。因此，如何能降低过电压发生时所引起的漏电流，是重要的议题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出一种电压追踪电路。此电压追踪电路用以追踪一第一电压端上的一第一电压与一第二电压端上的一第二电压中的一个以产生一输出电压。电压追踪电路包括一第一p型晶体管、一第二p型晶体管、以及一控制电路。第一p型晶体管具有一栅极、一漏极、以及一源极。第一p型晶体管的漏极耦接第一电压端。第二p型晶体管具有一栅极、一漏极、以及一源极。第二p型晶体管的栅极耦接第一电压端，且第二p型晶体管的漏极耦接第二电压端。控制电路耦接第一电压端以及第二电压端，且根据第一电压以及第二电压产生一控制电压。第一p型晶体管的源极与第二p型晶体管的源极耦接电压追踪电路的一输出端，且输出电压产生于输出端。当第二电压大于第一电压时，控制电路产生控制电压以关断第一p型晶体管。
2、本专利技术另提出一种电子电路。此电子电路包括一高压侧元件以及一电压追踪电路。高压侧元件具有一第一电极端以及一第二电极端，且由一隔离深井区所包围。电压追踪电路耦接第一电极端与第二
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1.一种电压追踪电路，其特征在于，用以追踪一第一电压端上的一第一电压与一第二电压端上的一第二电压中的一个以产生一输出电压，所述电压追踪电路包括：
2.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，当所述第二电压大于所述第一电压时，所述第二P型晶体管导通，且所述输出电压等于所述第二电压。
3.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，所述控制电路包括：
4.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的电压追踪电路，其特征在于，当所述第一电压大于或等于所述第二电压时，所述驱动电路通过所述驱动电压导通所述第一P型晶体管，且所述输出电压等于所述第一电压。
6.如权利要求4所述的电压追踪电路，其特征在于，所述驱动电路提供一调节电压，且以所述调节电压来降低所述第一电压以产生所述驱动电压。
7.如权利要求4所述的电压追踪电路，其特征在于，所述驱动电路包括：
8.如权利要求7所述的电压追踪电路，其特征在于，所述多个降压元件包括：
9.如权利要求8所述的电压追踪电路，其特
10.如权利要求7所述的电压追踪电路，其特征在于，所述多个降压元件包括：
11.如权利要求10所述的电压追踪电路，其特征在于，所述控制电路包括：
12.如权利要求7所述的电压追踪电路，其特征在于，所述多个降压元件包括：
13.如权利要求12所述的电压追踪电路，其特征在于，所述控制电路包括：
14.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，还包括：
15.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，当所述电压追踪电路操作时，所述第一电压维持在一固定值，而所述第二电压为一可变动电压。
16.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，所述输出电压施加于包围一高压侧元件的一隔离深井区。
17.一种电子电路，其特征在于，包括：
18.如权利要求17所述的电子电路，其特征在于，当所述第二电压大于所述第一电压时，所述第二P型晶体管导通，且所述输出电压等于所述第二电压。
19.如权利要求17所述的电子电路，其特征在于，所述控制电路包括：
20.如权利要求17所述的电子电路，其特征在于，还包括：
21.如权利要求20所述的电子电路，其特征在于，所述驱动电路包括：
22.如权利要求20所述的电子电路，其特征在于，当所述第一电压大于或等于所述第二电压时，所述驱动电路通过所述驱动电压导通所述第一P型晶体管一电流路径，且所述输出电压等于所述第一电压。
23.如权利要求17所述的电子电路，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电压追踪电路，其特征在于，用以追踪一第一电压端上的一第一电压与一第二电压端上的一第二电压中的一个以产生一输出电压，所述电压追踪电路包括：
2.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，当所述第二电压大于所述第一电压时，所述第二p型晶体管导通，且所述输出电压等于所述第二电压。
3.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，所述控制电路包括：
4.如权利要求1所述的电压追踪电路，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的电压追踪电路，其特征在于，当所述第一电压大于或等于所述第二电压时，所述驱动电路通过所述驱动电压导通所述第一p型晶体管，且所述输出电压等于所述第一电压。
6.如权利要求4所述的电压追踪电路，其特征在于，所述驱动电路提供一调节电压，且以所述调节电压来降低所述第一电压以产生所述驱动电压。
7.如权利要求4所述的电压追踪电路，其特征在于，所述驱动电路包括：
8.如权利要求7所述的电压追踪电路，其特征在于，所述多个降压元件包括：
9.如权利要求8所述的电压追踪电路，其特征在于，所述控制电路包括：
10.如权利要求7所述的电压追踪电路，其特征在于，所述多个降压元件包括：
11.如权利要求10所述的电压追踪电路，其特征在于，所述控制电路包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：黄绍璋，周业宁，李庆和，许凯杰，陈俊智，王前伟，林功凯，陈立凡，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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