本发明提供了一种半导体装置及操作电路，该半导体装置，包括一基板、一晶种层、一缓冲层、一通道层、一阻障层、一栅极结构、一第一源

本发明提供了一种保护电路，用以避免一静电放电电流进入一核心电路。本发明的保护电路包括，一检测电路、一电流释放元件、一第一晶体管以及一第二晶体管。检测电路耦接于一第一接触垫以及一第二接触垫之间，用以检测一静电放电事件是否发生。当静电放电事...

本发明公开了一种静电放电保护装置及电路，其中该静电放电保护装置，包括一衬底、一第一PNP元件、一第二PNP元件以及一隔离区。衬底具有一P型导电性。第一PNP元件及第二PNP元件形成于衬底之中。隔离区分隔第一PNP元件及第二PNP元件。本...

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括：一通道层，设置于一基底上；一阻障层，设置于所述通道层上；一第一化合物半导体层，设置于所述阻障层上；以及，一第二化合物半导体层，设置于所述阻障层和所述第一化合物半导体层之间。其中，所述第一化合物半...

高压半导体器件及其形成方法，所述高压半导体器件包括基底，栅极结构、漏极、第一绝缘结构、以及漏极掺杂区。栅极结构设置在基底上。漏极则设置于基底内，并位于栅极结构的一侧。第一绝缘结构设置于基底上，位于栅极结构的下方且部分重叠于栅极结构。漏极...

一种高电子迁移率晶体管，包括基底、三五族沟道层、三五族阻挡层、三五族盖层、源极电极、第一漏极电极、第二漏极电极、以及连接部。其中，三五族沟道层、三五族阻挡层、及三五族盖层依序设置于基底上。源极电极设置于三五族盖层的一侧，第一漏极电极及第...

本发明提供了一种半导体结构及具有半导体结构的高电子迁移率晶体管装置，包括依序位于基板上的晶种层和外延层叠。外延层叠包括第一超晶格部和位于其上的第二超晶格部。第一超晶格部包括重复层叠M1次的第一单元，第一单元分别包括第一子层和位于其上的第...

本发明提供一种半导体结构，包括：基底；通道层，位于基底上；阻障层，位于通道层上；源极结构及漏极结构，位于阻障层的两侧；掺杂化合物半导体层，位于阻障层上，掺杂化合物半导体层具有邻近源极结构的第一侧边、邻近漏极结构的第二侧边、以及至少一开口...

本发明实施例提供一种半导体装置，包括：衬底；第一阱及一第二阱，设置于衬底中且彼此邻接；隔离结构，设置于第一阱上；第一场板，设置于隔离结构上；栅极结构，横跨第一阱及第二阱，且第一场板与栅极结构之间具有开口，此开口露出隔离结构靠近栅极结构的...

本发明提供一种半导体基板、半导体装置、及半导体结构的形成方法，其中，该半导体基板，包含陶瓷基材、晶种层、以及成核层。陶瓷基材具有正表面及背表面，且正表面为非平坦的表面。晶种层位于陶瓷基材的正表面上。成核层位于晶种层上。种层上。种层上。

一种高压半导体装置，包含基底、埋层、汲极区域、源极区域、闸极以及至少一浓度调变区。该基底具有第一导电类型，该埋层设置于该基底内并具有第二导电类型。该汲极区域与源极区域设置于该基底内并位于该埋层上方，而该闸极则设置在该基底上，位于该源极区...

一种半导体装置，包括半导体基底、肖特基层、复数个第一掺杂区、复数个第二掺杂区、第一导电层以及第二导电层。半导体基底具有第一导电类型，肖特基层设置在半导体基底上。第一掺杂区以及第二掺杂区具有第二导电类型，并且设置于半导体基底内。第一掺杂区...

本发明实施例关于一种半导体装置及其指纹感测装置。该半导体装置包括半导体基板、设置于上述半导体基板上的第一金属线路层、设置于上述第一金属线路层上的层间介电层、设置于上述层间介电层上的第二金属线路层以及设置于上述层间介电层中的第一导孔(vi...

本发明提供一种半导体结构以及半导体装置，所述半导体结构包含衬底、于衬底上的晶种层、于晶种层上的缓冲层、于缓冲层上的背阻挡层、于背阻挡层上的通道层与于通道层上的前阻挡层。背阻挡层具有V族元素极性。背阻挡层具有V族元素极性。背阻挡层具有V族...

本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括：基板；缓冲层，位于基板上；阻挡层，位于缓冲层上，其中通道区位于缓冲层中，且邻近于缓冲层与阻挡层的界面；掺杂化合物半导体层，位于一部分的阻挡层上；未掺杂的第一盖层，位于掺杂化合物半导体层上；...

高压半导体装置包括基底、第一绝缘结构、栅极、漏极区域、源极区域以及隔离掺杂区。基底具有第一导电类型，第一绝缘结构设置在基底上。漏极区域设置于基底内且具有第二导电类型。源极区域设置于基底内，其中源极区域具有第一部分以及第二部分，且第一部分...

本发明提供一种封装结构，包含芯片、引线框架、导电胶。引线框架包含芯片座与挡墙结构。芯片座用以承载该芯片且挡墙结构围绕芯片。导电胶设于芯片与引线框架之间。本发明可稳定溢胶情况，还可以防止电磁干扰。还可以防止电磁干扰。还可以防止电磁干扰。

本发明提供了一种高压半导体装置，包括：衬底；基体区及阱区，位于衬底中且彼此分隔，其中基体区具有第一导电类型且阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；块体区及源极，位于基体区中且彼此分隔，其中块体区具有第一导电类型且源极具有第二导电类型...

一种高电子迁移率晶体管，包括III-V族通道层、钝化层、III-V族阻障层、闸极结构和至少一源/汲极电极，其中，钝化层被设置于III-V族通道层之上且包括闸极接触洞和源/汲极接触洞，III-V族阻障层被设置于III-V族通道层和钝化层之...

本发明提供了一种测试电路及电子装置，用以测试一存储电路，并包括一控制器、一图案产生电路、一比较电路以及一暂存器。控制器用以产生多个内部测试信号，并接收一测试结果。图案产生电路根据内部测试信号，写入一测试数据于存储电路的一存储区块中，并读...