半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括半导体基底、肖特基层、复数个第一掺杂区、复数个第二掺杂区、第一导电层以及第二导电层。半导体基底具有第一导电类型，肖特基层设置在半导体基底上。第一掺杂区以及第二掺杂区具有第二导电类型，并且设置于半导体基底内。第一掺杂区相互平行地沿着第一方向延伸，第二掺杂区相互平行地沿着第二方向延伸且横跨第一掺杂区，并共同在半导体基底内定义出复数个网格区。第一导电层设置在肖特基层上，而第二导电层则设置在半导体基底下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置，且特别是关于一种具有肖特基二极管(Schottky diode)元件的半导体装置。

技术介绍

[0002]肖特基二极管元件是由金属与半导体接面构成的二极管元件，且由于其启动电压较PN二极管元件低，加上反应速度较快，因此目前广泛地应用在电源转换电路(power converter)上。然而，现有的肖特基二极管元件也有其缺点，例如具有对元件施予逆向偏压时，电流渗漏较为严重等问题。因此，如何改良现有的肖特基二极管元件以符合实务上的需求仍为目前业界所面临的课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一目的在于改善前述肖特基二极管元件的缺点，解决现有技术所面临的问题。
[0004]为达上述目的，本专利技术提供一种半导体装置，其包括一半导体基底、一肖特基层、复数个第一掺杂区、复数个第二掺杂区、一第一导电层以及一第二导电层。所述半导体基底具有一第一导电类型，而所述肖特基层设置在所述半导体基底上。所述第一掺杂区具有一第二导电类型并且设置于所述半导体基底内，所述第一掺杂区相互平行地沿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一半导体基底，所述半导体基底具有一第一导电类型；一肖特基层，设置在所述半导体基底上；复数个第一掺杂区，具有一第二导电类型并且设置于所述半导体基底内，所述第二导电类型与所述第一导电类型互补，所述第一掺杂区相互平行地沿着一第一方向延伸；复数个第二掺杂区，具有所述第二导电类型并且设置于所述半导体基底内，所述第二掺杂区相互平行地沿着一第二方向延伸且横跨所述第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区交错于所述半导体基底内定义出复数个网格区；一第一导电层，设置在所述肖特基层上；以及一第二导电层，设置在所述半导体基底下。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述肖特基层直接接触所述第一掺杂区和所述第二掺杂区。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基底还包含：一硅基材，具有所述第一导电类型；以及一磊晶硅层，具有所述第一导电类...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄绍璋，许凯杰，陈俊智，陈立凡，李庆和，林庭佑，林功凯，周业甯，宋建宪，杨晓莹，许建祺，曾富群，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：